臺積電3nm太貴只有蘋(píng)果買(mǎi)？“降價(jià)促銷(xiāo)”正在路上
發(fā)布人：科創(chuàng )板日報
時(shí)間：2023-01-15
來(lái)源：工程師
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N3制程中，EUV微影曝光流程多達25層，而單臺EUV微影曝光設備造價(jià)最高達2億美元。因此N3制程單片晶圓生產(chǎn)費用可能高達20000美元，較N5制程高出20%。
為刺激客戶(hù)采用興趣，臺積電已在謀劃“降價(jià)大促銷(xiāo)”——據Tom’s Hardware報道，臺積電正在考慮降低3nm制程系列技術(shù)報價(jià)。
臺積電3nm制程系列包含多個(gè)細分制程技術(shù)，包括N3、N3E、N3P、N3X等。
其中，還未面世的新一代N3E制程成本較N3制程來(lái)得低，這一情況也已成為市場(chǎng)共識。
有市場(chǎng)分析師指出，N3制程中，EUV微影曝光流程多達25層，而如今單臺EUV微影曝光設備造價(jià)即高達1.5億-2億美元。因此，N3技術(shù)極為昂貴，而臺積電為攤平設備采購成本，不得不對N3及后續制程收取高昂費用。
此前有消息稱(chēng)，使用臺積電N3制程技術(shù)后，單片晶圓生產(chǎn)費用可能高達20000美元，較N5制程晶圓單價(jià)（16000美元）高出20%。
正如上文所述，臺積電正考慮降低3nm系列制程報價(jià)，尤其是N3E制程。
為何是N3E？該制程最多僅需使用19層EUV微影曝光流程，制造復雜度略低，其成本也較低。因此，臺積電可在不損害獲利能力的情況下，進(jìn)一步降低N3E制程的生產(chǎn)報價(jià)。
分析師預計，2023年下半年，N3制程產(chǎn)能便將迎來(lái)“有意義的”提升，不過(guò)，屆時(shí)優(yōu)化版本N3E制程也將準備就緒。
因此，高性能運算、智能手機、定制芯片等方面的主要客戶(hù)（包括AMD、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、MRVL、AVGO、GUC等），可能將留在原有的N4或N5（4/5nm）制程節點(diǎn)，或選擇成本較低的N3E來(lái)作為首次在3nm制程上的投產(chǎn)節點(diǎn)。
另外，根據AMD此前公開(kāi)的計劃來(lái)看，其2024年部分采用Zen 5設計的產(chǎn)品將采用3nm制程生產(chǎn)；英偉達也計劃在其下一代Blackwell架構GPU中，采用3nm制程技術(shù)。
在3nm系列制程技術(shù)成本高昂的情況下，客戶(hù)對該技術(shù)的采用或將局限于某些特定產(chǎn)品。而一旦臺積電愿意降價(jià)，客戶(hù)未來(lái)或將重新考慮3nm系列制程采用策略。
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