三大晶圓廠(chǎng)競逐新型晶體管

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一場(chǎng)十年一次的變革正在進(jìn)行，涉及的是計算機芯片最基本的組成部分之一，它有可能在未來(lái)幾年重新洗牌芯片巨頭的排名。

英特爾(Intel)、三星(Samsung)和臺積電(TSMC)正競相實(shí)現晶體管技術(shù)的代際跨越。為了實(shí)現任何接近元宇宙背后的想法所要求的計算需求，為了產(chǎn)生不是笑話(huà)的人工智能，為了制造真正的自動(dòng)駕駛汽車(chē)，甚至為了讓?xiě)贸绦蚣虞d更快，必須實(shí)現這一飛躍。

這種新一代設計被稱(chēng)為“gate-all-around（GAA）”。使用新的材料，重新設計的制造工具，每一個(gè)都要花費數千萬(wàn)美元，新的gate完成了一件事:它們更嚴格地控制每個(gè)晶體管接收的電流?，F代芯片在一個(gè)設備上可以有超過(guò)300億個(gè)晶體管，在某些情況下甚至可以達到數百億個(gè)。Gartner預計，到2025年，芯片制造商將從這項新技術(shù)中獲得約50億美元的收入，而去年這一數字為零。

芯片公司必須每年提供更多的計算能力，才能實(shí)現科技巨頭們所承諾的未來(lái)。要做到這一點(diǎn)，需要使用地球上最復雜、最昂貴的制造設備，還需要開(kāi)發(fā)更有創(chuàng )意的方法來(lái)改善芯片結構的基本方面。這意味著(zhù)將原子大小的特征變得更小。這個(gè)過(guò)程大致被稱(chēng)為摩爾定律(Moore 's law)，它讓芯片行業(yè)蓬勃發(fā)展了半個(gè)世紀，但現在變得越來(lái)越難。

應用材料副總裁Kevin Moraes說(shuō):“我們的收縮速度肯定在大幅放緩?！?/span>

芯片制造商通過(guò)結合先進(jìn)的工具來(lái)提高大批量生產(chǎn)和性能，比如極紫外光刻機和幫助在每塊硅上擠壓更多特性的技術(shù)。通常情況下，制造商將技術(shù)和技術(shù)的改進(jìn)作為使用越來(lái)越小的納米數的過(guò)程節點(diǎn)。

但另一種解決日益困難的問(wèn)題的方法是進(jìn)一步完善每個(gè)芯片的基本組成部分:晶體管。

“制程節點(diǎn)只是衡量進(jìn)展的一個(gè)指標，”J.Gold Associates首席分析師杰克?戈爾德(Jack Gold)表示?！拔艺J為更重要的是晶體管本身的設計，而不僅僅是過(guò)程節點(diǎn)。為此，英特爾和其他公司一直在推進(jìn)晶體管的設計，尤其是gate的設計方式?！?/span>

更好的gate，更快的芯片

“gate”是每個(gè)晶體管上控制晶體管是否接收電力的微小部分——有點(diǎn)像用腳踩在花園水管上打開(kāi)或關(guān)閉水——以表示組成數據位的0和1。但是，gate就像軟管一樣，可能是不完美的，即使采用最先進(jìn)的設計，也會(huì )有一些電流漏電。

FeibusTech分析師Mike Feibus說(shuō):“當你開(kāi)始把東西做得更小的時(shí)候，你會(huì )發(fā)現小元件的一些電氣特性不如大元件時(shí)的性能好?！薄坝幸粋€(gè)經(jīng)驗法則，你的體積越小，電流泄漏越多，這就意味著(zhù)更多的熱量?！?/span>

因為芯片制造商知道一些電能會(huì )逃避gate，繼續縮小功能以達到新設計預期的功耗和性能變得越來(lái)越困難。為了制造更高效、產(chǎn)生更少能量的gate和晶體管，芯片制造商花費數十億美元發(fā)明下一個(gè)更好的開(kāi)發(fā)方法。

MLCommons執行董事David Kanter表示:“基于gate的全功能設計將比(現有)設計具有更好的性能和效率，可能會(huì )改變許多高性能產(chǎn)品的競爭地位?！?/span>

用材料包圍晶體管的四個(gè)部分，而不是現在的三面設計，可以使gate更好地調節電流。在芯片的原子尺度上，更好地控制電流給設計師提供了新的選擇:最重要的是，使它們更小。

更小的晶體管允許設計師將更多的晶體管壓縮到一個(gè)芯片上，而增加更多這樣的微小功能大致意味著(zhù)芯片運算能力的提高。

Feibus說(shuō):“有了更好的熱和功率特性，這意味著(zhù)你可以在其他條件相同的情況下，提高電源的功率，你將擁有更高的時(shí)鐘速率，而且你不需要為高性能設計提供奇異的冷卻，這樣就可以降低成本?！?/span>

將新一代gate技術(shù)成功應用于大批量生產(chǎn)的制造商，將能夠制造出以目前工藝技術(shù)無(wú)法實(shí)現的計算能力飛躍的芯片。

跑的最快的

三家最大的芯片制造商都在努力研究如何利用這項前景廣闊的技術(shù)。這個(gè)問(wèn)題并不是生產(chǎn)一批具有新功能的芯片;它正在生產(chǎn)數十萬(wàn)甚至數百萬(wàn)個(gè)芯片，其規模足以滿(mǎn)足最先進(jìn)技術(shù)的需求。

三星(Samsung)或許有優(yōu)勢。該公司高管之一金南·金(Kinam Kim)在近20年前與人合著(zhù)了一篇有關(guān)這種新gate技術(shù)的早期技術(shù)論文。該公司是最早承諾生產(chǎn)下一代gate的公司之一，并討論了在2017年實(shí)現這一技術(shù)的路徑。今年4月，三星表示，該公司有望在今年用新處理器大量生產(chǎn)芯片。

然而，我們有理由對其進(jìn)展持懷疑態(tài)度。Gartner芯片分析師高拉夫?古普塔(Gaurav Gupta)表示，此前有大量報道稱(chēng)，三星在確保其最新的制造工藝能夠生產(chǎn)足夠數量的工作芯片方面存在問(wèn)題，并數次推遲了新gate的計劃發(fā)布日期。三星沒(méi)有回復記者的置評請求。

因此，即使蘋(píng)果公司在某些芯片上推出了新設計，對于要求可靠性的大客戶(hù)來(lái)說(shuō)，這可能不是一個(gè)可行的選擇——例如，新iPhone的發(fā)布推遲6個(gè)月將對蘋(píng)果的業(yè)務(wù)造成災難性的影響。

Gupta說(shuō):“三星一直在說(shuō)，他們將是第一個(gè)在3納米范圍內實(shí)現全能的公司?！彼f(shuō):“他們一直在推動(dòng)，接下來(lái)六個(gè)月，再六個(gè)月，再六個(gè)月。他們現在說(shuō)，他們希望在今年年底之前完成?！?/span>

英特爾表示，其目前的計劃是在2024年面向大批量客戶(hù)推出這項技術(shù)。人們也有理由對英特爾的努力表示懷疑;該公司在過(guò)去幾代的生產(chǎn)改進(jìn)上經(jīng)歷了多年的拖延。它也是最后一個(gè)采用EUV光刻技術(shù)的公司，該技術(shù)被廣泛認為是未來(lái)改進(jìn)的必要技術(shù)。英特爾發(fā)言人表示，該公司仍在朝著(zhù)路線(xiàn)圖目標前進(jìn)。

但英特爾是第一家成功地用當前這一代gate大批量生產(chǎn)芯片的公司，這表明它擁有再次做到這一點(diǎn)的技術(shù)機構知識。在首席執行官帕特?蓋爾辛格的領(lǐng)導下，公司的發(fā)展方向比在他之前的混亂歲月要清晰得多。盡管如此，英特爾仍有很多事情需要證明，而蓋爾辛格計劃的一部分包括Gupta所稱(chēng)的“非常激進(jìn)”的戰略，以重新奪回其制造業(yè)領(lǐng)導地位。

就目前的情況來(lái)看，臺積電將是最后一個(gè)采用新柵技術(shù)的主要制造商。高管們守口如瓶，該公司沒(méi)有回應置評請求，但臺積電披露，計劃在2025年的某個(gè)時(shí)候推出這款產(chǎn)品。熟悉臺積電業(yè)務(wù)的人士表示，總體而言，臺積電是一家經(jīng)營(yíng)保守的企業(yè)，如果可能的話(huà)，它傾向于規避風(fēng)險，采用一種新的、未經(jīng)驗證的新gate技術(shù)是一個(gè)很大的風(fēng)險。

但與競爭對手相比，新市場(chǎng)對臺積電的影響可能要小一些。它的大多數客戶(hù)都購買(mǎi)智能手機芯片，該公司已經(jīng)證明，它可以用英特爾(Intel)和三星(Samsung)難以部署的EUV工具來(lái)制造這些芯片。因此，臺積電可能暫時(shí)可以使用其他技術(shù)，以使其硅材料的性能更佳，直到它能推出新的閘機設計。

Gupta說(shuō):“關(guān)鍵是，這一切都與動(dòng)力和性能有關(guān)，在代工業(yè)務(wù)的先進(jìn)節點(diǎn)上，90%以上的客戶(hù)都是臺積電的客戶(hù)?！彼a充稱(chēng)，如果臺積電使用現有g(shù)ate技術(shù)的制造優(yōu)于三星，那么臺積電就不會(huì )失去客戶(hù)。

對于芯片設計師來(lái)說(shuō)，堅持使用當前這一代晶體管也有其優(yōu)勢。新的gate要求芯片設計的某些方面被廢棄，行業(yè)分析人士說(shuō)，制造帶有新gate的芯片的道路很容易超過(guò)兩到三年。因此，如果像高通(Qualcomm)、AMD或英偉達(Nvidia)這樣的芯片制造商押注今年能夠推出新一代芯片，而這種情況沒(méi)有發(fā)生，它們可能會(huì )受到嚴重傷害。