臺積電和FinFET時(shí)代

以下文章來(lái)源于EETOP ，作者Daniel Nenni

英特爾開(kāi)創(chuàng )了FinFET時(shí)代，但此后不久就被代工廠(chǎng)奪走了FinFET的主導權。2009年，英特爾在英特爾開(kāi)發(fā)者大會(huì )上推出了22納米FinFET晶圓，并宣布芯片將在2011年下半年上市。果然，第一款FinFET芯片（代號為Ivey Bridge）于2011年5月正式發(fā)布。英特爾22納米工藝確絕對是一種真正的變革性工藝技術(shù)。

英特爾在22nm之后，英特爾推出了14nm，不過(guò)這已經(jīng)推遲了較長(cháng)時(shí)間，而且其產(chǎn)量受到挑戰（雙重成像技術(shù)FinFET），這使得代工廠(chǎng)能夠迎頭趕上（TSMC 16nm 和三星 14nm）。三星在 14nm 上做得非常好，贏(yíng)得了相當多的業(yè)務(wù)，包括蘋(píng)果iPhone 的一部分。

臺積電對 FinFET 采取了不同的方法。在掌握了 20nm 的雙重成像技術(shù)之后，臺積電在16nm制程上采用了FinFET，密度小于Intel 14nm。三星 14nm 與臺積電 16nm 的密度相似，但三星卻假裝自己能與英特爾競爭。這就是為什么流程節點(diǎn)現在是營(yíng)銷(xiāo)術(shù)語(yǔ)，我認為。

這一切都始于我所說(shuō)的蘋(píng)果半步過(guò)程開(kāi)發(fā)方法。臺積電每年都會(huì )為蘋(píng)果公司推出新的工藝版本。在此之前，過(guò)程就像美酒，只有在符合摩爾定律的前提下才會(huì )被打開(kāi)。TSMC繼續在HVM (7nm)工藝中添加部分EUV層，然后以非?？煽氐姆绞綄⒏嗟腅UV層添加到5nm和3nm，從而實(shí)現卓越的良率學(xué)習和打破記錄的工藝斜坡。

Intel 14nm也是“Intelvs TSMC”營(yíng)銷(xiāo)戰開(kāi)始的時(shí)候。英特爾堅持認為臺積電 20nm 是失敗的，因為它不包括 FinFET，代工廠(chǎng)不能跟隨英特爾，因為他們是 IDM，而臺積電只是一家沒(méi)有內部設計經(jīng)驗的代工廠(chǎng)。

正如我們現在所知，英特爾在很多方面都錯了。首先，代工業(yè)務(wù)是一項服務(wù)業(yè)務(wù)，有一個(gè)龐大的合作生態(tài)系統，這使IDM代工廠(chǎng)處于明顯的劣勢?？纯从⑻貭朓DM 2.0戰略的結果將是有趣的，但大多數人猜測它將比以前的嘗試更加失敗

現在讓我們快速看一看臺積電FinFET流程收入從2019年第一季度開(kāi)始以及隨后幾年的第一季度對比:

2019 年第一季度，FinFET 占臺積電收入的 42%。在 2020 年第一季度，這一比例為 54.5%，在 2021 年第一季度，這一比例高達 63%，您可以預期這種激進(jìn)的增長(cháng)趨勢將繼續下去，原因有以下三個(gè)：

(1) 臺積電保護他們的 FinFET 工藝，因此沒(méi)有二次采購。

(2) FinFET 意味著(zhù)以更低的功率獲得更高的性能，鑒于世界面臨的環(huán)境挑戰，更低的功率至關(guān)重要。

(3) 臺積電正在建設大量的 FinFET 產(chǎn)能（3 年 CAPEX 為 1000億美元），并且目前半導體短缺非常嚴重。

底線(xiàn)：臺積電正在努力推動(dòng)其 500 多個(gè)客戶(hù)進(jìn)入 FinFET 時(shí)代，這將再次改變代工格局。

原文：

https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/tsmc/299878-tsmc-and-the-finfet-era/