晶圓制造產(chǎn)能吃緊，眾廠(chǎng)商急吼吼擴產(chǎn)

2020年和2021年晶圓制造產(chǎn)能相當吃緊，在產(chǎn)能為王的時(shí)期，IDM運營(yíng)的公司具有相當的產(chǎn)能保證，可以有很大的騰挪空間。IDM手握充裕的產(chǎn)能，將是打擊競爭對手的大殺器。

芯思想研究院為您梳理了全球19家公司30個(gè)新增或擴產(chǎn)項目的情況，不包括存儲擴產(chǎn)項目。

最緊缺的是高壓MOS產(chǎn)能，這個(gè)是IDM公司最具實(shí)力的。

代工產(chǎn)能最快也得2022年開(kāi)始釋放。

士蘭微

士蘭集科：2021年將加大工藝設備采購力度、加快工藝設備安裝和調試，爭取在2021年四季度形成月產(chǎn)12英寸3萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。士蘭集科一期于2020年12月21日正式投產(chǎn)。

士蘭集昕：2020年士蘭集昕8英寸月產(chǎn)能已經(jīng)超過(guò)6萬(wàn)片，今年將有望達產(chǎn)8萬(wàn)片。

華潤微

華潤微計劃在重慶建設第一條12英寸產(chǎn)線(xiàn)，預計在2022年可以實(shí)現產(chǎn)能貢獻。規劃月產(chǎn)能為3萬(wàn)片，未來(lái)將全部用于生產(chǎn)自有功率器件產(chǎn)品。

博世

2021年3月，博世德累斯頓晶圓廠(chǎng)首批硅片下線(xiàn)，為下半年正式啟動(dòng)生產(chǎn)運營(yíng)奠定基礎，該晶圓廠(chǎng)投入運營(yíng)后，主攻車(chē)用芯片制造。

博世德累斯頓晶圓廠(chǎng)從2018年6月開(kāi)始施工建設，2019年下半年完成外部施工，2020年安裝調試生產(chǎn)設備，2021年1月開(kāi)始進(jìn)行首批晶圓的制備。

德州儀器

2021年完成德克薩斯州理查德森（Richardson）12英寸晶圓廠(chǎng)廠(chǎng)房建設，預計2023年至2025年達產(chǎn)。

該項目始于2019年，但由于低迷的半導體市場(chǎng)，進(jìn)展不如預期順利。

華虹無(wú)錫

2021年4月19日，無(wú)錫市發(fā)展和改革委員會(huì )網(wǎng)站公布了無(wú)錫華虹集成電路一期擴能項目情況，同時(shí)無(wú)錫華虹集成電路一期擴能項目已入選無(wú)錫2021市重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項目。

無(wú)錫華虹集成電路一期擴能項目單位為華虹半導體（無(wú)錫）有限公司，計劃總投資52億元，將形成一條工藝等級90-65/55nm、月產(chǎn)能達到6.5萬(wàn)片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)。

項目建設起止年限為2021年，當年計劃投資為52億元。

中芯國際

2021年2月5日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在2020年第四季度電話(huà)財報會(huì )議上指出，公司在2021年將繼續保持滿(mǎn)載運行，有序推動(dòng)28nm及以上的擴產(chǎn)計劃，同時(shí)保證一定的盈利能力。

趙海軍指出，目前全球晶圓代工產(chǎn)能十分緊張，主要因為市場(chǎng)需求增長(cháng)遠超預期，同時(shí)晶圓廠(chǎng)的擴產(chǎn)速度相對緩慢。

關(guān)于中芯國際的擴產(chǎn)計劃，趙海軍透露，中芯國際2021年的12英寸月產(chǎn)能將擴充1萬(wàn)片，8英寸的月產(chǎn)能將擴充4.5萬(wàn)片。不過(guò)，由于整體擴產(chǎn)將在下半年完成，因此擴產(chǎn)不會(huì )對營(yíng)收帶來(lái)顯著(zhù)增長(cháng)。

同時(shí)中芯國際還有兩大新廠(chǎng)計劃：

中芯京城項目：中芯控股、國家大基金二期和亦莊國投三方合資投建，一期項目計劃投資76億美元，約合人民幣500億元，建設規模約為24萬(wàn)平方米，最終達成每月約10萬(wàn)片的12英寸晶圓產(chǎn)能，計劃2024年完工。

中芯深圳：2021年3月17日，中芯國際發(fā)布公告稱(chēng)，將和深圳政府擬以建議出資的方式，經(jīng)由中芯深圳進(jìn)行項目發(fā)展和營(yíng)運，重點(diǎn)生產(chǎn)28納米及以上的集成電路并提供技術(shù)服務(wù)，旨在實(shí)現最終每月約4萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能。預期將于2022年開(kāi)始生產(chǎn)。待最終協(xié)議簽訂后，項目的新投資額估計為23.5億美元，折合人民幣約為153億元。

晶合集成

晶合集成N1廠(chǎng)已經(jīng)實(shí)現滿(mǎn)載。

N2廠(chǎng)的建設正在有條不紊地推進(jìn)中，將于2021年完成無(wú)塵室建設和生產(chǎn)機臺入駐，在2022年底實(shí)現1萬(wàn)片/月生產(chǎn)規模。規劃月產(chǎn)能為4萬(wàn)片12英寸晶圓，主要從事55納米代工制程的量產(chǎn)，同時(shí)開(kāi)展40納米工藝制程的開(kāi)發(fā)。

N3廠(chǎng)規劃提上日程，計劃建置16萬(wàn)片產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)無(wú)塵室。

粵芯半導體

二期投資65億元，新增月產(chǎn)能20000片；專(zhuān)注于55-90nm模擬工藝平臺，生產(chǎn)高精度數模轉換芯片、高端電源管理芯片、光學(xué)傳感器、車(chē)載及生物傳感芯片等產(chǎn)品；計劃2021年投資14億元，完成無(wú)塵車(chē)間裝修、設備安裝以及生產(chǎn)輔助設施建設。

海辰半導體

主要從事CIS（攝像電路）、DDI（驅動(dòng)電路）、PMIC（電源管理集成電路）及NAND存儲器等代工業(yè)務(wù)，也正在開(kāi)發(fā)邏輯、MEMS和混合信號芯片等新的代工業(yè)務(wù)。

2020年第四季開(kāi)展商業(yè)化生產(chǎn)；

2021年有望形成月產(chǎn)5萬(wàn)片產(chǎn)能；

2022年達產(chǎn)11.5萬(wàn)片。

臺積電

南京：2021年4月22日，臺積電宣布28.87億美元投資，在南京廠(chǎng)擴充月產(chǎn)2萬(wàn)片28nm及以上工藝產(chǎn)能。引來(lái)國內一片討論聲。

2021年臺積電資本開(kāi)支由年初的250億美元至280億美元提升至300億美元，其中約80%將用于3納米、5納米和7納米等先進(jìn)工藝；約10%分配給先進(jìn)封裝和光罩；約10%用于特殊工藝。

臺積電準備在美國亞利桑那州投資數百億美元建設一座先進(jìn)的芯片晶圓工廠(chǎng)，主要用于生產(chǎn)5nm芯片。5nm新廠(chǎng)規劃月產(chǎn)能2萬(wàn)片，2021年動(dòng)工，2024年左右量產(chǎn)，2021年至2029年，支出（包括資本支出）約120億美元。

聯(lián)電

2021年資本支出金額23億美元，其中85%用于12英寸產(chǎn)能擴產(chǎn)，15%用于8英寸產(chǎn)能擴產(chǎn)。

12英寸產(chǎn)能擴充包括，15美元用以南科廠(chǎng)FAB12P5廠(chǎng)區28納米1萬(wàn)片產(chǎn)能，其他資金用以廈門(mén)聯(lián)芯12英寸28納米產(chǎn)能。

與多家客戶(hù)攜手合作，客戶(hù)以支付預付款（或者產(chǎn)能保證金）的形式，所得資金用以擴充FAB12P6廠(chǎng)區產(chǎn)能，約3萬(wàn)片28納米HKMG產(chǎn)能，預計在2023年第2季度實(shí)現量產(chǎn)。

力積電

2021年3月25日，力積電開(kāi)工新建一座12英寸晶圓廠(chǎng)，總投資新臺幣 2780 億元，總產(chǎn)能每月 10 萬(wàn)片，將自 2023 年起分期投產(chǎn)，以成熟制程1x到50nm為主。

世界先進(jìn)

世界先進(jìn)宣布以新臺幣9.05億元（約合人民幣2.1億元）的價(jià)格購買(mǎi)友達位于臺灣竹科的L3B廠(chǎng)房。待改造完成后，成為世界先進(jìn)的第五座8 英寸晶圓廠(chǎng)，月產(chǎn)能預計4萬(wàn)片8英寸晶圓。L3B廠(chǎng)房交割日訂為2022 年1 月1 日。也就是說(shuō)，如果一切順利，世界先進(jìn)第五座最快也要等到2023年出貨。

格芯

2021年2月17日，格芯宣布為解決全球半導體供應緊缺的問(wèn)題，已決定與美國國防部（DoD）達成戰略合作伙伴關(guān)系，將在美國紐約北部馬耳他擴建FAB8工廠(chǎng)，生產(chǎn)美國所需要的芯片。FAB8附件的66英畝地塊已經(jīng)于2020年6月獲得。新工廠(chǎng)最快于2023年啟用。

同時(shí)格芯表示，還將投資14億美元以提升其在美國、新加坡和德國的三家晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)能，14億美元將在2022年前投入使用，以增加生產(chǎn)12納米至90納米的芯片產(chǎn)能。

三星

2021年3月4日三星在提交給得克薩斯州官員的文件中透露了擴大在美芯片制造業(yè)務(wù)的計劃，預計將在該項目上投資170億美元。

該公司表示，預計的項目成本包括用于建筑和物業(yè)升級的51億美元，以及用于設備的99億美元。

相關(guān)供應鏈也已經(jīng)證實(shí)三星將擴建位于美國德州奧斯丁的S2晶圓廠(chǎng)，新擴建晶圓廠(chǎng)將采用EUV曝光設備。

英特爾

英特爾計劃投資約200億美元在美國亞利桑那州的Octillo園區新建兩座晶圓廠(chǎng)。新晶圓廠(chǎng)將為英特爾現有產(chǎn)品和客戶(hù)不斷擴大的需求提供支持，并為代工客戶(hù)提供所承諾的產(chǎn)能。