600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準
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時(shí)間：2017-11-25
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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017年11月24日，德國慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿(mǎn)足了高功率SMPS市場(chǎng)對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開(kāi)關(guān)拓撲具備業(yè)內領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設備電源和 電動(dòng)汽車(chē)充電站等高功率SMPS應用。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201711/372028.htm
該600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或競爭性產(chǎn)品高出1.45%之多。它不僅擁有快速開(kāi)關(guān)技術(shù)的所有優(yōu)勢，還兼具高換相穩固性，同時(shí)不影響在設計過(guò)程中的輕松部署。該600 V CoolMOS CFD7擁有更低的柵極電荷(Qg)和更好的關(guān)斷性能。此外，其反向恢復電荷(Qrr)比市場(chǎng)上的競爭性產(chǎn)品低69%之多。該600 V CoolMOS CFD7可為T(mén)HD和SMD器件提供業(yè)內領(lǐng)先的解決方案，從而能夠支持高功率密度解決方案。
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