干貨!一種簡(jiǎn)易的MOSFET自舉驅動(dòng)電路設計分享

功率開(kāi)關(guān)器件MOSFET在驅動(dòng)電路中的應用頻率在最近幾年直線(xiàn)上升，在一些中小功率的開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅動(dòng)電路的設計不僅省時(shí)省力，還具有良好的功率轉換效果。本文將會(huì )為各位工程師分享一種建議的MOSFET自舉驅動(dòng)電路設計方案，下面就讓我們一起來(lái)看看吧。

相信大多數工程師都非常了解的一個(gè)設計要求是，在一個(gè)開(kāi)關(guān)電源的電路設計過(guò)程中，驅動(dòng)電路的工作要求是在最短的時(shí)間內改變MOSFET的阻抗，使其從最大值轉換成最小值。實(shí)際的導通時(shí)間至少是理論值的數量級2、3倍的時(shí)間延遲。這一要求也從側面說(shuō)明了一個(gè)問(wèn)題，那就是MOSFET的寄生參數比抽象出來(lái)的模型復雜的多，它們將會(huì )隨驅動(dòng)電壓的改變而改變。而自舉驅動(dòng)電路的設計目的是把這些電容充滿(mǎn)，使門(mén)極電壓達到導通值。主板buck電路設計中，為降低續流二極管的導通損耗，用低導通阻值的場(chǎng)效應管代替二極管，上下兩個(gè)開(kāi)關(guān)管交錯導通,即所謂同步整流模式，其電路設計效果如下圖圖1所示。

圖1 同步整流結構中的上下端開(kāi)關(guān)管

在圖1所展示的這一同步整流結構的電路圖中可以看到，下端開(kāi)關(guān)管源極接地驅動(dòng)相對簡(jiǎn)單，上端源極(Phase端)電壓在0—Vin間變化，驅動(dòng)時(shí)需要自舉電路實(shí)現門(mén)源間的電壓差。因此，根據功率器件MOSFET的開(kāi)關(guān)特點(diǎn)，本文設計了帶自舉能力的MOSFET推挽驅動(dòng)電路，其電路結構的設計圖下圖圖2所示。

圖2 MOSFET驅動(dòng)和門(mén)極放電回路設計

圖2所展示的這一MOSET驅動(dòng)和門(mén)極放電回路結構中，這種電路主要被用于圖1所展示的上端開(kāi)關(guān)管的驅動(dòng)，由于上端MOSFET的源極接濾波器和下端開(kāi)關(guān)管無(wú)法接地而處于懸浮狀態(tài)，需要同步的自舉電路來(lái)抬升門(mén)極驅動(dòng)電壓，特別是執行導通動(dòng)作時(shí)，源極逐漸上升的電位迫使其他共處一平面接入點(diǎn)的如Q2集電極電位上抬，使GS間的壓差減少造成驅動(dòng)失敗。上圖中，二極管D1和CBOOT組成自舉電路：下端開(kāi)光管導通時(shí)D1導通，CBOOT充電至輸入電壓。下端關(guān)斷時(shí)，上端源極電位逐漸上升，D2關(guān)斷，電容上端的電壓也隨之上升，這樣實(shí)現了自舉功能。