功率MOSFET在集成驅動(dòng)電路中的設計應用簡(jiǎn)析
功率MOSFET目前在一些大中型開(kāi)關(guān)電源的驅動(dòng)電路中得到了廣泛的應用,此前我們曾經(jīng)為大家總結了幾種MOSFET在驅動(dòng)電路中的常見(jiàn)應用方式,在今天的文章中,我們將會(huì )就功率MOS管在集成芯片UC3724/3725構成的驅動(dòng)電路中的設計應用實(shí)例,展開(kāi)詳細介紹。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201808/386639.htm集成芯片UC3724是一種比較常見(jiàn)的驅動(dòng)芯片,常見(jiàn)于家電、小功率電源的應用中。下圖所展示的是一種利用UC3724/3725構成的驅動(dòng)電路結構。
在上圖所展示的驅動(dòng)電路中,集成芯片UC3724所擔任的主要作用是用來(lái)產(chǎn)生高頻載波信號,載波頻率由電容CT和電阻RT決定。一般載波頻率小于600kzH,其芯片的4腳和6腳兩端產(chǎn)生高頻調制波,經(jīng)高頻小磁環(huán)變壓器隔離后送到UC3725芯片7、8兩腳經(jīng)UC3725進(jìn)行解調后得到驅動(dòng)信號,而UC3725內部有一肖特基整流橋同時(shí)將7、8腳的高頻調制波整流成一直流電壓供驅動(dòng)所需功率。
一般來(lái)說(shuō),在這種驅動(dòng)電路的設計和應用中,MOSFET的轉化效率直接關(guān)系到驅動(dòng)功率是否達到工作要求,因此需要慎重選擇。在上圖所展示的這一利用集成芯片UC3724/3725構成的驅動(dòng)電路中,載波頻率越高驅動(dòng)延時(shí)越小,但太高抗干擾性變差。隔離變壓器磁化電感越大磁化電流越小,UC3724發(fā)熱越少,但太大使匝數增多導致寄生參數影響變大,同樣會(huì )使抗干擾能力降低。故根據實(shí)驗研究得出,對于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取(400一500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導如SK、7K等高頻環(huán)形磁芯比較好。
這種使用MOSFET進(jìn)行功率轉化的驅動(dòng)電路,在實(shí)際的應用方面僅適合于信號頻率小于100kHz場(chǎng)合,因信號頻率相對載波頻率太高的話(huà),相對延時(shí)太多,且所需驅動(dòng)功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱厲害溫升較高,故100kHz以上開(kāi)關(guān)頻率僅對較小極電容的MOSFET才可以。對于kIVA左右開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz場(chǎng)合,它是一種性能良好的驅動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn):?jiǎn)?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/電源">電源工作,控制信號與驅動(dòng)實(shí)現隔離,結構簡(jiǎn)單尺寸較小,尤其適用于占空比變化莫測或信號頻率也變化的場(chǎng)合。
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