Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內最佳水平

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類(lèi)器件中達到業(yè)內最低水平，該參數是600 V MOSFET在功率轉換應用中的關(guān)鍵指標 (FOM)。

　　Vishay提供支持所有功率轉換過(guò)程的各種MOSFET技術(shù)，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種最新電子系統。隨著(zhù)SiHH068N60E的推出以及即將發(fā)布的第四代600 V E系列產(chǎn)品，我們可在設計電源系統架構的初期滿(mǎn)足提高能效和功率密度的要求—包括功率因數校正和硬切換DC/DC轉換器拓撲結構。

　　SiHH068N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級結技術(shù)，10 V條件下典型導通電阻僅為0.059 Ω，超低柵極電荷下降到53 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，比同類(lèi)最接近的MOSFET低12 %。SiHH068N60E有效輸出電容Co(er)和Co(tr) 分別僅為94 pf和591 pF，可改善開(kāi)關(guān)性能。這些性能參數意味著(zhù)更低的傳導和開(kāi)關(guān)損耗，從而達到節能效果。

　　日前發(fā)布的器件采用PowerPAK? 8x8封裝，符合RoHS標準，無(wú)鹵素，可承受雪崩模式下過(guò)壓瞬變，并保證極限值100 %通過(guò)UIS測試。

　　SiHH068N60E現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為10周。