Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測試的 可靠重復雪崩性能

半導體基礎元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專(zhuān)用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統應用。該技術(shù)已通過(guò)十億個(gè)雪崩周期測試，可用于汽車(chē)感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關(guān)斷時(shí)間（高達4倍）外，該技術(shù)還能通過(guò)減少BOM數量簡(jiǎn)化設計。 

在汽車(chē)動(dòng)力總成中的電磁閥和執行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著(zhù)升壓、續流二極管或主動(dòng)鉗位拓撲結構進(jìn)行構建。第四個(gè)選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來(lái)泄放在其關(guān)斷期間來(lái)自感性負載電流的能量。這種設計與主動(dòng)鉗位方案的效率相當，能夠消除對于二極管和其他器件的需求，從而最大程度地減少器件數量并降低電路復雜性。此外，這種設計還能支持更快的關(guān)斷時(shí)間，進(jìn)而提高電磁閥和繼電器等機電器件的可靠性。通常來(lái)講，這種設計只能使用基于陳舊平面技術(shù)的器件。Nexperia汽車(chē)重復雪崩ASFET產(chǎn)品系列專(zhuān)為解決此問(wèn)題而開(kāi)發(fā)，能夠提供經(jīng)過(guò)十億個(gè)周期測試的可靠重復雪崩功能。  此外，與升壓拓撲相比，這一產(chǎn)品系列可以減少多達15個(gè)板載器件，將器件管腳尺寸效率提高多達30%，從而簡(jiǎn)化設計。

新的MOSFET在175°C時(shí)完全符合AEC-Q101汽車(chē)標準，提供40 V和60 V選項，典型RDS(ON)額定值為12.5mΩ至55mΩ。所有器件均采用公司節省空間的LFPAK56D（雙通道Power-SO8）銅夾片封裝技術(shù)。該封裝堅固可靠，配備鷗翼引腳，實(shí)現出色的板級可靠性，并兼容自動(dòng)光學(xué)檢查(AOI)，提供出色的可制造性。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Richard Ogden解釋說(shuō)：“通常，希望實(shí)現重復雪崩拓撲的工程師不得不依賴(lài)基于陳舊平面半導體技術(shù)的器件。通過(guò)在更高性能硅結構的基礎上，提供具有可靠重復雪崩功能的汽車(chē)級器件，就能增加利用其功能優(yōu)勢而設計的動(dòng)力總成數量?！?

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Nexperia于2020年初推出了專(zhuān)用FET (ASFET)系列，旨在滿(mǎn)足業(yè)界對于最大化性能的需求。ASFET的MOSFET參數針對特定應用進(jìn)行了優(yōu)化。通過(guò)專(zhuān)注于特定的應用，可實(shí)現顯著(zhù)的改進(jìn)。其他ASFET系列適用于熱插拔、以太網(wǎng)供電(PoE)、電池保護和電機控制應用。