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意法半導體是怎樣煉成巨頭的？擅長(cháng)聯(lián)合，布局多重應用，投資未來(lái)
- 歐洲是世界半導體的重要一極，ST（意法半導體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱(chēng)為歐洲半導體的三駕馬車(chē)，也是全球知名的半導體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門(mén)1、自帶一定的應用市場(chǎng)，ST要靠自己找市場(chǎng)、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問(wèn)題。據市場(chǎng)研究機構Garnter數據，ST 2022年營(yíng)收158.4億美元，年增長(cháng)率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導體公司。大浪淘沙、洗牌無(wú)數的半導體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導體巨頭的？又是如何布局未來(lái)的？表1 202
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MCU SiC
汽車(chē)芯片，有兩大好賽道
- 汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢，勢必帶動(dòng)車(chē)用半導體的價(jià)值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機。先看功率半導體，車(chē)規功率半導體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議
- 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅動(dòng)。根據協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠(chǎng)生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(cháng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 賽米控 電動(dòng)汽車(chē)芯片 SiC IGBT
羅姆買(mǎi)新廠(chǎng) 搶SiC產(chǎn)能
- 全球車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)，目前主要由IDM大廠(chǎng)獨霸，根據統計，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營(yíng)收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產(chǎn)能，并宣布買(mǎi)下日本一家太陽(yáng)能系統廠(chǎng)的舊工廠(chǎng)，未來(lái)將引進(jìn)SiC功率半導體8吋晶圓產(chǎn)線(xiàn)到工廠(chǎng)內，預計在2024年底啟動(dòng)，將使羅姆的SiC功率半導體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
- 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì )從AQG324這個(gè)測試標準的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個(gè)SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現這個(gè)用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
- 關(guān)鍵字： SiC Traction模塊 安森美 202311
消息稱(chēng)蘋(píng)果今秋將推出三款新Apple Watch 包括第二代Ultra
- 據外媒報道，在月初舉行全球開(kāi)發(fā)者大會(huì )，推出各大產(chǎn)品線(xiàn)新的操作系統及傳聞已久的MR頭顯Vision Pro之后，外界對蘋(píng)果的關(guān)注就將轉向秋季的新品發(fā)布會(huì )，以及將推出的iPhone、iPad、Apple Watch等新品上。對于將推出的Apple Watch，有外媒在最新的報道中稱(chēng)蘋(píng)果將推出3款。援引一名資深記者透露的消息，報道蘋(píng)果在秋季將推出3款新Apple Watch，其中兩款是Apple Watch Series 9，另一款則是Apple Watch Ultra。代號分別為N207、N208和N210，
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動(dòng)器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導體市場(chǎng)中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問(wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達到非常有吸引力的水平。隨著(zhù)市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅動(dòng)器
國內8英寸SiC傳來(lái)新進(jìn)展
- 近年來(lái)，汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)充電應用及儲能系統等領(lǐng)域對碳化硅半導體產(chǎn)品需求不斷增長(cháng)，并推動(dòng)新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內廠(chǎng)商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現8英寸拋光片的開(kāi)發(fā)，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實(shí)現小批量生產(chǎn)；天科合達計劃在2023年實(shí)現8英寸襯底產(chǎn)品的小規模量產(chǎn)，同時(shí)該公司在5月與半導體大廠(chǎng)英飛凌簽訂碳化硅長(cháng)期供應協(xié)議。近期，科友半導體傳來(lái)了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度
- 關(guān)鍵字： 8英寸 SiC 科友半導體
使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)
- 最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應用受到了廣泛關(guān)注，但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來(lái)放心地使用 SiC器件。應用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應用范圍相關(guān)。例如，一些設計人員認為SiC MOSFET 應該用來(lái)替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數很有競爭力，反向恢復電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數校正 (TPPFC) 或同
- 關(guān)鍵字： 202306 SiC
羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(cháng)期供貨合作協(xié)議
- SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長(cháng)期供貨合作協(xié)議。根據該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過(guò)1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車(chē)電力電子技術(shù)開(kāi)發(fā)合作伙伴關(guān)系”，并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作，開(kāi)展了適用于電動(dòng)汽車(chē)的SiC功率元器件和采用SiC芯
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
- 在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進(jìn)的器件結構與創(chuàng )新工藝技術(shù)結合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
- 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車(chē)、渦輪機、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來(lái)了多重挑戰。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車(chē)、渦輪機、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)、5G 和物
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中國小型 SiC 廠(chǎng)商，難過(guò) 2023
- 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車(chē)中使用 SiC 芯片的電動(dòng)汽車(chē)公司。特斯拉的使用結果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開(kāi)關(guān)損耗降低了 75％。換算下來(lái)，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統效率可以提高 5％左右。一場(chǎng)特斯拉的大風(fēng)，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過(guò)去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動(dòng)車(chē)傳動(dòng)系統 SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng )新技術(shù)找到下一代電動(dòng)車(chē)動(dòng)力系統減少使用 S
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第三代半導體高歌猛進(jìn)，誰(shuí)將受益？
- “現在的新車(chē)，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì )再用傳統功率器件”。功率半導體大廠(chǎng)意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著(zhù)獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(cháng)期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(cháng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
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