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SiC和GaN的技術(shù)應用挑戰

1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動(dòng)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車(chē)牽引逆變器、車(chē)載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽(yáng)能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應用。SiC 進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間略長(cháng)，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
關(guān)鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN

東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng )新

1 SiC、GaN相比傳統方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿(mǎn)足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點(diǎn)，SiC 的擊穿場(chǎng)是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開(kāi)關(guān)器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
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ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況

ST（意法半導體）關(guān)注電動(dòng)汽車(chē)、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開(kāi)關(guān)管用于開(kāi)發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開(kāi)關(guān)和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
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攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進(jìn)在汽車(chē)和工業(yè)中的應用

1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰性的應用，尤其是高壓大電流等應用場(chǎng)景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統的效率，進(jìn)而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC（車(chē)載充電機）采用SiC，可實(shí)現更高的能效和功率密度。隨著(zhù)汽車(chē)市場(chǎng)向800 V 高壓系統發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進(jìn)電源
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從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

碳化硅（SiC）具有高擊穿場(chǎng)強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可很好地滿(mǎn)足新能源汽車(chē)與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來(lái)五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優(yōu)勢資源重點(diǎn)發(fā)展。
關(guān)鍵字： ?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸擴產(chǎn)

圖騰柱無(wú)橋PFC與SiC相結合，共同提高電源密度和效率

效率和尺寸是電源設計的兩個(gè)主要考慮因素，而功率因數校正 (PFC)也在變得越來(lái)越重要。為了減少無(wú)功功率引起的電力線(xiàn)諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時(shí)對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰性。本文介紹了如何通過(guò)修改傳統 PFC 拓撲結構來(lái)更好地實(shí)現這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個(gè)整流器二極管和一個(gè)升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無(wú)橋拓撲結構還有一種提高
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采用SiC提高住宅太陽(yáng)能系統性能

預計在未來(lái)五年，住宅太陽(yáng)能系統的數量將大幅增長(cháng)。太陽(yáng)能系統能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動(dòng)汽車(chē)充電，甚至將多余的電力輸送至電網(wǎng)。有了太陽(yáng)能系統，即使發(fā)生電網(wǎng)故障，也不用擔心。本篇博客介紹了住宅太陽(yáng)能系統的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來(lái)提高太陽(yáng)能系統的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽(yáng)能逆變器系統概述住宅太陽(yáng)能逆變器系統中包括了產(chǎn)生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉換器使用“最大功率點(diǎn)跟蹤”(MPPT) 方法（根據陽(yáng)光的強度和方向優(yōu)化能量采集），將可
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杰平方半導體宣布啟動(dòng)香港首間碳化硅（SiC）先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)項目

由創(chuàng )新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企業(yè)辦公室共同推動(dòng)，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區政府創(chuàng )新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng )科發(fā)展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導體芯片，促進(jìn)香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進(jìn)出口市場(chǎng)之一，香港更是位處大
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新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過(guò)3,500種LTspice模型

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過(guò)3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁(yè)面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對應的LTspice?模型覆蓋率
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基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案

L4986簡(jiǎn)介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專(zhuān)有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng )新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓?jiǎn)?dòng)功能，無(wú)需使用傳統的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個(gè)版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡(jiǎn)介：Double-boost 是無(wú)橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著(zhù)提
關(guān)鍵字： ST SIC 第三代半導體 CCM PFC 4986 電動(dòng)工具割草機雙boost double boost 無(wú)橋PFC

M12266 Type-C輸入3-6節鋰電池同口充放電管理移動(dòng)電源雙向快充IC解決方案

引言Type-C充電接口因其快速充電和高度的通用性，成為了電子設備未來(lái)最主流的充電接口。它的兼容性強、數據傳輸速度快、充電速度快、可逆插拔等特點(diǎn)，使其在未來(lái)的發(fā)展中具有很大的潛力。常見(jiàn)的便攜式電子設備如吸塵器、電動(dòng)工具、音箱等，未來(lái)將不再需要使用專(zhuān)用的適配器充電，一套Type-C口快充即可適配日常充電設備，這不僅會(huì )給我們的工作和生活帶來(lái)巨大便利，也將大大減少電子垃圾，意義非凡。由于常見(jiàn)的便攜式電子設備都采用鋰電池供電，而不同設備的電采用的鋰電池串數不同。多節鋰電池充放電管理一直是一個(gè)棘手的問(wèn)題。Type-
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編寫(xiě)可移植C/C++程序的要點(diǎn)

以前做過(guò)兩年 C++ 程序移植工作，從 Win32 平臺移植到 Linux 平臺。大約有上百萬(wàn)行 C/C++代碼，歷時(shí)一年多。在開(kāi)發(fā) Win32 版本時(shí)，已經(jīng)強調了程序的可植性，無(wú)奈 Win32 團隊里對 Linux 精通的人比較少，很多問(wèn)題沒(méi)有想到，直到后來(lái)移植工作開(kāi)始時(shí)，才發(fā)現移植并非像想的那樣簡(jiǎn)單。后來(lái)，我發(fā)現大家對移植工程師都比較輕視，不管是從工資待遇還是管理層的態(tài)度來(lái)看都是這樣。他們往往認為，你們不過(guò)是把別人實(shí)現好的東西移植過(guò)去罷了，你老老實(shí)實(shí)，按步就班去做就行了，根本不需要絲毫創(chuàng )意。事實(shí)并非如
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英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯：每瓦性能翻倍

9 月 20 日消息，在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng )新峰會(huì )上，英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代（代號：Meteor Lake）的核顯升級。據介紹，英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級到 Xe LPG，相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外，新一代核顯有更高的頻率，同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對 DX12U 進(jìn)行了優(yōu)化，支持倍幀功能，支持新特性“Out of Order Sampling”。此外，英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎，支持最
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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來(lái)說(shuō)是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽(yáng)
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來(lái)說(shuō)是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽(yáng)
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