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ultra c sic 文章 進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區
SiC生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來(lái)說(shuō)非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(cháng)仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過(guò)渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(cháng)，同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩定性，這導致生長(cháng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 關(guān)鍵字： SiC 晶圓
采用Corning? Gorilla? Armor，三星 Galaxy S24 Ultra開(kāi)創(chuàng )耐用性和視覺(jué)清晰度新標準
- 康寧，紐約州——康寧公司（紐約證券交易所代碼：GLW）和三星電子有限公司于2024年1月17日宣布，三星的Galaxy S24 Ultra設備將采用康寧的新型Corning? Gorilla? Armor蓋板材料。大猩猩Armor具有無(wú)與倫比的耐用性和視覺(jué)清晰度，能在陽(yáng)光下提供更豐富的顯示效果，并能更好地防止日常磨損造成的損壞?！翱祵幍拇笮尚?玻璃與Galaxy S系列一起推動(dòng)了創(chuàng )新，并在實(shí)現更高的耐用性方面取得了重大進(jìn)展，”三星電子執行副總裁兼移動(dòng)體驗業(yè)務(wù)機械研發(fā)團隊主管 Kwang
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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線(xiàn)
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶(hù)實(shí)現更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
- 關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器 工業(yè)電力轉換 氮化鎵場(chǎng)效應晶體管 碳化硅 SiC
安森美：緊握第三代半導體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉型與可持續發(fā)展
- 1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(cháng)的 推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jì)都超預期。 其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(cháng)約 50%，在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(cháng) 35%，創(chuàng ) 歷史新高，第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現創(chuàng )紀錄 收入。安森美大中華區銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導體領(lǐng)域，安森美專(zhuān)注于 SiC，重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
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SiC 長(cháng)期供貨，理想簽協(xié)議
- 意法半導體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(cháng)期供貨協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： SiC
2023年12月編程語(yǔ)言排行榜出爐，C#有望成為2023年度編程語(yǔ)言
- TIOBE編程社區指數是一個(gè)衡量編程語(yǔ)言受歡迎程度的指標，評判的依據來(lái)自世界范圍內的工程師、課程、供應商及搜索引擎。日前其官網(wǎng)公布了2023年12月的編程語(yǔ)言排行榜，官方的標題是“C#有望成為 2023 年度編程語(yǔ)言（C# on its way to become programming language of the year 2023）”。前20名編程語(yǔ)言中的“大多數”都失去了人氣，這是因為小眾編程語(yǔ)言的受歡迎度在上升。12月Python、C、C++、Java均有所下跌，其中C的跌幅最大，為-5.12
- 關(guān)鍵字： 編程語(yǔ)言 C# C C++ Java
注意！沒(méi)有這個(gè)接口你的設備可能無(wú)法銷(xiāo)往歐盟！
- USB Type-C?的出現標志著(zhù)連接技術(shù)的轉折點(diǎn)。這種結構緊湊的正反可插接口改變了我們交換數據和為設備供電的方式，提供了更快的數據傳輸速率和多功能供電。然而，當 USB Type-C 于 2014 年首次推出時(shí)，只是被添加到已經(jīng)多種多樣的連接器類(lèi)型目錄中，包括直流電源連接器甚至其他 USB 變體。雖然這種連接器的靈活性對設計電子設備的原始設備制造商有利，但卻往往會(huì )給消費者帶來(lái)負擔，因為他們不得不使用無(wú)數不同的充電器為其購買(mǎi)的每臺獨特設備供電，從而進(jìn)一步加劇了電子垃圾的激增。那么，可以做些什么呢
- 關(guān)鍵字： USB Type-C 標準化
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過(guò)去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結構沒(méi)有考慮所有這些非線(xiàn)性因素?，F在，通過(guò)引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
SiC MOSFET用于電機驅動(dòng)的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無(wú)槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類(lèi)型中。這些電機需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿(mǎn)足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng )了新的機會(huì )。在我們的傳統印象中，電機驅動(dòng)系統往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車(chē)充電等需要高頻變換的應用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
航嘉G35 Pro 安全快充評測：雙 C 35W輸出，支持UFCS快充協(xié)議！
- 前言航嘉作為國內電源行業(yè)領(lǐng)跑品牌之一，推出了多款 G系列安全快充產(chǎn)品，一如此前的G20、G30、G35、G45、G65、G100等規格充電器，無(wú)論是應對主流且統一的手機端 USB Type-C 充電端口，還是為各國產(chǎn)手機的融合快充做了進(jìn)一步支持適配，皆可減輕消費者選擇和使用時(shí)的負擔。充電頭網(wǎng)拿到一款航嘉新推出的一款G系列安全快充產(chǎn)品—G35 Pro，它擁有2*Type-C 充電端口，同時(shí)，雙端口皆兼容融合快充協(xié)議，用戶(hù)可獲得更好的充電體驗；下面，就跟隨充電頭網(wǎng)來(lái)看看這款充電器的性能表現如何吧！
- 關(guān)鍵字： 航嘉 充電器 Type-C 評測
SiC是否會(huì )成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車(chē)使用市場(chǎng)的增長(cháng)比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長(cháng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強問(wèn)題現在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場(chǎng)全方位戰略已擴大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?！敝袊鳶i
- 關(guān)鍵字： SIC，液晶，半導體
Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門(mén)極驅動(dòng)器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器，新驅動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以?xún)鹊?2mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅動(dòng)器還具有高
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng )新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個(gè)人電子設備等應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓?xiě)眯阅苷?，怎么做到的？寬禁帶材料的?yōu)勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應用的安全性、穩健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿(mǎn)足電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開(kāi)關(guān)
TDK發(fā)布適用于汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的全新ASIL C級雜散場(chǎng)穩健型3D HAL傳感器
- ●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應位置傳感器，具備穩健的雜散場(chǎng)補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車(chē)安全相關(guān)系統中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車(chē)應用場(chǎng)景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤(pán)位置檢測、油門(mén)和制動(dòng)踏板位置檢測**TDK株式會(huì )社利用適用于汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的新型
- 關(guān)鍵字： TDK ASIL C 3D HAL傳感器
ultra c sic介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ultra c sic!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ultra c sic的理解，并與今后在此搜索ultra c sic的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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