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ultra c sic 文章 進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區
2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規模有望達91.7億美元
- TrendForce集邦咨詢(xún)最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車(chē)（BEV）銷(xiāo)量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到SiC供應鏈，但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場(chǎng)中仍然呈現加速滲透之勢，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(cháng)態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷(xiāo)售數據，其中Tesla在1
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雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
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柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析S
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過(guò)渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(chē)（EV）、數據中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場(chǎng)效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）和絕緣
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全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，以及一些實(shí)用設計技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時(shí)代，國際大廠(chǎng)量產(chǎn)前夕國內廠(chǎng)商風(fēng)口狂追
- 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現新進(jìn)展。從國內外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠(chǎng)商方面則有更多廠(chǎng)家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠(chǎng)或將延遲至明年建設近日，據外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠(chǎng)建設計劃或被推遲，最早將于2025年開(kāi)始。據悉，該工廠(chǎng)由Wolfsp
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程封頂
- 3月28日消息，當地時(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠(chǎng)——8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠(chǎng)位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠(chǎng)已有一些長(cháng)晶爐設備進(jìn)場(chǎng)，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議，查塔姆工廠(chǎng)的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增
- 隨著(zhù)近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增，市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高，因為最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用，市場(chǎng)對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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如何通過(guò)SiC增強電池儲能系統？
- 電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
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SiC是如何「拯救」降價(jià)車(chē)企的？
- 進(jìn)入 2024 年，10 多家車(chē)企紛紛宣布降價(jià)。車(chē)企給供應商的降價(jià)壓力更大，普遍要求降價(jià) 20%，過(guò)去一般是每年降 3%-5%。有觀(guān)點(diǎn)認為，車(chē)市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降，但從大背景來(lái)看，2 月銷(xiāo)量下滑，或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看，成本的下降確實(shí)會(huì )緩解降價(jià)的壓力，SiC（碳化硅）會(huì )不會(huì )是出路呢？降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日，可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車(chē)型的
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為什么Type-C接口充電更快？
- 如今，不僅很多手機的充電接口換成了Type-C接口，而且電腦、優(yōu)盤(pán)也都在普及Type-C接口。相比較以前各種接口共存的狀況，手機、電腦沒(méi)電時(shí)到處找合適充電線(xiàn)的尷尬，統一的接口簡(jiǎn)直太友好了！人們?yōu)槭裁慈绱饲嗖AType-C接口呢？大家對于Type-C接口最常見(jiàn)的認知就是不用區分正反，充電更快，畢竟誰(shuí)能拒絕“充電五分鐘，通話(huà)兩小時(shí)”的效率？來(lái)源 | 360圖片那么，為什么Type-C接口不用區分正反？它真的能讓充電更快？接下來(lái)我們就具體了解一下Type-C。1 Type-C接口充電更快？Type-C是
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納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì )展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀(guān)眾造訪(fǎng)由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著(zhù)全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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國產(chǎn)半導體CIM龍頭「賽美特」完成C+輪融資
- 3月18日消息，國產(chǎn)半導體CIM龍頭「賽美特」宣布已于近期完成數億元C+輪融資，本輪融資由成都策源資本領(lǐng)投，允泰資本、申萬(wàn)宏源、藍海洋基金、興業(yè)銀行等跟投。融資資金主要用于產(chǎn)研投入和人才儲備，并加速海外市場(chǎng)拓展，推動(dòng)國產(chǎn)智能制造軟件解決方案走進(jìn)更多世界工廠(chǎng)。?值得一提的是，在資本市場(chǎng)持續低迷的大環(huán)境下，再次獲得數億元融資彰顯出賽美特在國產(chǎn)半導體CIM領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢與巨大價(jià)值，也體現出投資方看好賽美特的發(fā)展前景，持續加碼的信心。?完成C+輪融資后，賽美特手握近10億現金，再加上企業(yè)主營(yíng)業(yè)
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納芯微推出基于創(chuàng )新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規級CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng )新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車(chē)載通信方案，NCA1462-Q1在滿(mǎn)足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進(jìn)一步兼容CiA 601-4標準，可實(shí)現≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專(zhuān)利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡(luò )多節點(diǎn)連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量；此外，超高的EMC表現，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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ultra c sic介紹
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