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ultra c sic 文章 進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區
新諜照顯示三星Galaxy Note20 Ultra將采用巨大后置攝像頭
- 現在大家已經(jīng)知道三星Galaxy Note20 Ulta跟三星Galaxy S20 Ultra相比將會(huì )有一個(gè)顯著(zhù)升級的攝像頭?，F在，三星爆料大神Ice_Universe發(fā)布了一些三星Galaxy Note20和Note20 Plus/Ultra的早期手機保護套的照片，看起來(lái)Note20 Ultra的相機集群將會(huì )非常龐大。通過(guò)對比可以看出大小的區別。盡管Note20 Ultra是一款更大的設備，但攝像頭群似乎占據了手機寬度的一半以上。尺寸更大的原因之一可能是用全新的激光自動(dòng)對焦元件替換了Time of Fl
- 關(guān)鍵字： 三星G alaxy Note20 Ultra
緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案
- 汽車(chē)電動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應商——緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應商,并就電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開(kāi)發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過(guò)使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車(chē)用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動(dòng)汽車(chē)電池的電能。這將非常有助于延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執行副總裁
- 關(guān)鍵字： SiC 電氣
通用研發(fā)下一代半自動(dòng)駕駛系統Ultra Cruise
- 日前，通用汽車(chē)全球產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、采購和供應鏈執行副總裁Doug Parks表示，該公司正在開(kāi)發(fā)新一代半自動(dòng)駕駛系統，內部代號為Ultra Cruise（超巡航）。
- 關(guān)鍵字： 通用 Ultra Cruise 半自動(dòng)駕駛系統
碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng )新浪潮
- 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會(huì )，電子產(chǎn)品世界訪(fǎng)問(wèn)了英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部,大中華區,開(kāi)關(guān)電源應用,高級市場(chǎng)經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續
- 關(guān)鍵字： SiC UPS
ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車(chē)行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UAES公司”）的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器（On Board Charger，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車(chē)制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字： OBC SiC MOSFET
安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用
- 近日，推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長(cháng)應用，包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電、不間斷電源（UPS）、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無(wú)法實(shí)現的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
- 關(guān)鍵字： SiC WBG
相機成本高達107.50美元！三星Galaxy S20 Ultra物料成本曝光
- 拆解機構TechInsights拆解了一部三星S20 Ultra韓版并給出了這部手機的物料成本分析。從圖表中可以看出，三星Galaxy S20 Ultra的總物料成本為528.50美元，值得注意的是S20 Ultra所采用的后攝模組成本最高，達到了107.50美元，此外驍龍865處理器芯片價(jià)值81美元，屏幕價(jià)值67美元，存儲元件價(jià)值44美元。獲悉，整部三星Galaxy S20 Ultra中成本最高的相機元件由108MP主攝+48MP長(cháng)焦+12MP超廣角+TOF四攝組成，其中包括一顆潛望式鏡頭，支持10X潛
- 關(guān)鍵字： 相機 Galax S20 Ultra
CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布，將繼續致力于應對汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰，并推出用于電動(dòng)汽車(chē)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個(gè)全新的可擴展平臺同時(shí)優(yōu)化了功率開(kāi)關(guān)的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動(dòng)汽車(chē)（EV）整車(chē)廠(chǎng)和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現更高效、更簡(jiǎn)潔電機驅動(dòng)的電動(dòng)機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。該可擴展
- 關(guān)鍵字： SiC IPM
電機的應用趨勢及控制解決方案
- 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術(shù)中心?現場(chǎng)應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動(dòng)向。 關(guān)鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著(zhù)智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、物流自動(dòng)化等概念的 普及深化，在與每個(gè)人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車(chē)載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域，各類(lèi)電機在技術(shù)方面都出現了新的 需求。?在家電領(lǐng)域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規劃路線(xiàn)，然后執 行移動(dòng)以及相應
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來(lái)越多的半導體企業(yè)開(kāi)始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年，SiC功率半導體市場(chǎng)預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車(chē)
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著(zhù)新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉換業(yè)務(wù)高級總監St
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車(chē)牽引逆變器
- 在本文中，我們將調查電動(dòng)車(chē)牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿(mǎn)負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開(kāi)關(guān)頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線(xiàn)波形和降低電機內的鐵損。預計在所有這些因素的影響下，純電動(dòng)車(chē)的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時(shí)，降低的損耗還能簡(jiǎn)化冷卻問(wèn)題。簡(jiǎn)介近期的新聞表明，純電動(dòng)車(chē)?(BEV) 的數量增加得比之前的預期要快。這促使汽車(chē)制造商（包括現有制
- 關(guān)鍵字： SiC BEV 牽引逆變器
ERNI推出全新線(xiàn)對板連接器系列
- 近日，ERNI推出iBridge Ultra連接器系列的全新型款，這為已經(jīng)很廣泛的線(xiàn)對板解決方案新增了其他連接器。這些2.0mm間距連接器經(jīng)設計提供緊湊和可靠的連接，可承受強烈的振動(dòng)，適合在惡劣環(huán)境中使用。其中的關(guān)鍵功能包括端子位置保證(TPA)，用于在母連接器外殼中為壓接觸點(diǎn)提供輔助鎖定。除了公連接器部件的定位銷(xiāo)之外，這個(gè)輔助鎖定功能還可以特別增強連接的抗強振動(dòng)能力，比如汽車(chē)應用中發(fā)生的強振動(dòng)。iBridge Ultra已根據汽車(chē)行業(yè)的USCAR-2和USCAR-21要求進(jìn)行了測試，此外，這款牢固且緊湊
- 關(guān)鍵字： ERNI iBridge Ultra
ultra c sic介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ultra c sic!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ultra c sic的理解，并與今后在此搜索ultra c sic的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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