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不止有等寬邊框，三星Galaxy S22 Ultra屏幕還有這些“拿手好戲”

說(shuō)起安卓機皇，很多朋友自然而然會(huì )想到三星的Galaxy S系列，它總能用先進(jìn)的配置和出色的體驗獲得消費者的認可，前不久發(fā)布的三星Galaxy S22 Ultra也正是這樣一款產(chǎn)品。這款新機擁有全新一代驍龍8移動(dòng)平臺、5000mAh大容量電池、最新的Corning? Gorilla? Glass Victus?+、裝甲鋁邊框等優(yōu)勢配置，不少消費者期待的S Pen也出現在了三星Galaxy S22 Ultra上。當然，屏幕也一直都是三星的“拿手好戲”，單單看這超窄并且近乎等邊的邊框就足見(jiàn)它的不同尋常。實(shí)際上，
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環(huán)旭電子預計在2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(cháng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導體國際大廠(chǎng)的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶(hù)青睞，預計在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(cháng)160%，成長(cháng)率遠高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(cháng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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環(huán)旭電子預計2022量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的快速成長(cháng)，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開(kāi)始布局切入功率半導體國際大廠(chǎng)的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶(hù)青睞，預計在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車(chē)用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)量為260萬(wàn)輛，與去年同期相比大幅成長(cháng)160%，成長(cháng)率遠高于全球整體汽車(chē)市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(cháng)帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

基礎半導體元器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實(shí)現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導體供應商UnitedSiC公司

移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo?,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導體供應商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長(cháng)的電動(dòng)汽車(chē)（EV）、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源市場(chǎng)的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎設施和國防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執行官，現任Qorv
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恩智浦利用信號質(zhì)量提升技術(shù)解決CAN FD帶寬限制難題

恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號質(zhì)量提升（SIC）技術(shù)已用于TJA146x收發(fā)器系列中，并已經(jīng)成功應用到長(cháng)安汽車(chē)最新的平臺中。恩智浦的CAN SIC技術(shù)有效提升了CAN信號質(zhì)量，使CAN FD網(wǎng)絡(luò )能夠在更大型復雜網(wǎng)絡(luò )中運行，實(shí)現更快的數據傳輸速率。這項經(jīng)濟高效的技術(shù)能夠擴展CAN FD的潛力和靈活性，從而應對下一代汽車(chē)的網(wǎng)絡(luò )挑戰。中國汽車(chē)制造商長(cháng)安汽車(chē)是第一家在生產(chǎn)中采用恩智浦的CAN SIC技術(shù)的汽車(chē)客戶(hù)?！? ?長(cháng)安汽車(chē)成為第一家采
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碳化硅在新能源汽車(chē)中的應用現狀與導入路徑

碳化硅具有高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以很好地滿(mǎn)足新能源汽車(chē)電動(dòng)化發(fā)展趨勢，引領(lǐng)和加速了汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程，對新能源汽車(chē)發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車(chē)正處于市場(chǎng)導入期到產(chǎn)業(yè)成長(cháng)期過(guò)渡的關(guān)鍵階段，汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量、保有量連續6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng )新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰(shuí)是寬禁帶(WBG)材料的未來(lái)？

以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢。
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意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應鏈

近年隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場(chǎng)需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開(kāi)發(fā)驅使SiC爭奪戰正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
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鄭有炓院士：第三代半導體迎來(lái)新發(fā)展機遇

半導體材料是信息技術(shù)的核心基礎材料，一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)，半個(gè)多世紀來(lái)從基礎技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化，推動(dòng)了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續蓬勃發(fā)展。同樣地，信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅動(dòng)了半導體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料，它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發(fā)展起來(lái)的新型寬禁帶半導體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
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汽車(chē)電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案

1? ?汽車(chē)電氣化的趨勢和挑戰汽車(chē)市場(chǎng)中與電氣化相關(guān)的應用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國領(lǐng)導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰，2060 年實(shí)現碳中和的目標。為了實(shí)現碳中和，減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種，用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時(shí)也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運輸行業(yè)碳排放占比達10%，而公路運輸占其中的74%，主要來(lái)自燃油車(chē)的排放。因此，發(fā)展電動(dòng)汽車(chē)并逐漸從燃油車(chē)過(guò)渡到電動(dòng)汽車(chē)對減少
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清潔安全的汽車(chē)將由功能電子化和自動(dòng)駕駛賦能

未來(lái)的汽車(chē)將是清潔和安全的汽車(chē)，由先進(jìn)的汽車(chē)功能電子化和自動(dòng)駕駛技術(shù)賦能。安森美半導體汽車(chē)戰略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動(dòng)汽車(chē)電動(dòng)車(chē)可幫助實(shí)現零排放，其市場(chǎng)發(fā)展是令人興奮和充滿(mǎn)生機的，隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(cháng)，必須推出滿(mǎn)足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò )，使他們能夠快速完成行程，而沒(méi)有“續航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過(guò)350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊
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安森美半導體：為關(guān)鍵應用推出系列綠色解決方案

1? ?關(guān)注關(guān)鍵應用的節能減排安森美半導體提供所有應用的電力電子解決方案，也專(zhuān)注于一些關(guān)鍵應用，包括能源基礎設施（太陽(yáng)能轉換、儲能、電動(dòng)車(chē)充電站/ 樁）、工業(yè)、云計算和5G 基礎設施。這些市場(chǎng)都有其獨特的技術(shù)挑戰。這些挑戰由相同因素的不同組合驅動(dòng)：提高能效、減小尺寸和質(zhì)量以及優(yōu)化系統成本或擁有成本。例如太陽(yáng)能轉換，從集中式逆變器到組串式逆變器的轉變消除了逆變器的單點(diǎn)故障風(fēng)險。如果一個(gè)組串式逆變器停止工作，仍可用其他組串來(lái)發(fā)電。它還有個(gè)額外的好處，就是能對較少量的面板進(jìn)行最大功率點(diǎn)追蹤。
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采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

圖騰柱PFC電路能顯著(zhù)改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實(shí)現99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿(mǎn)足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線(xiàn)路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會(huì )通過(guò)升壓轉換器部分實(shí)施PFC，升壓轉換器會(huì )將整流后
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SiC大戰拉開(kāi)帷幕，中國勝算幾何

近些年，隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)以及其他系統的增長(cháng)，碳化硅（SiC）功率半導體市場(chǎng)正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應用進(jìn)一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節20%，封裝測試環(huán)節5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰非常大。所以大多數企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應商購買(mǎi)襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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