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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備通過(guò)技術(shù)鑒定

6月7日，蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備獲行業(yè)專(zhuān)家認可，成功通過(guò)技術(shù)鑒定評審。鑒定委員會(huì )認為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長(cháng)設備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng )新性強，突破了國內大尺寸晶體生長(cháng)技術(shù)瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權，經(jīng)濟效益顯著(zhù)。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專(zhuān)注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長(cháng)設備研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備，經(jīng)持續工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKIN
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恩智浦與采埃孚合作開(kāi)發(fā)基于SiC的牽引逆變器

6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）開(kāi)發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過(guò)利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動(dòng)器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程、減少充電停車(chē)次數、同時(shí)降低OEM廠(chǎng)商的系統級成本。據了解，牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē)電力傳動(dòng)系統的
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議，成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室

●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車(chē)型提高電驅能效●? ?雙方成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，共同推動(dòng)節能智能化電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌
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意法半導體與吉利汽車(chē)簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議

6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車(chē)集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程，深化新能源汽車(chē)轉型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上，建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構（如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng )新解決方案。據數據顯
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議，深化新能源汽車(chē)轉型；成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，推動(dòng)雙方創(chuàng )新合作

服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程，深化新能源汽車(chē)轉型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上，建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構（如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統）、
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構建新型能源體系，充電樁市場(chǎng)將迎來(lái)高增長(cháng)

能源是人類(lèi)生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎，能源轉型則是當今國際社會(huì )關(guān)注的焦點(diǎn)問(wèn)題，隨著(zhù)全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂(yōu)，新能源市場(chǎng)的需求正在快速增長(cháng)?！　‘斍叭蚱?chē)產(chǎn)業(yè)電動(dòng)化正在深度推進(jìn)，在新能源革命浪潮下，新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)成為各國重點(diǎn)發(fā)力方向。隨著(zhù)新能源汽車(chē)技術(shù)的日趨成熟，充電基礎設施快速發(fā)展。近年來(lái)，我國已建成世界上數量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類(lèi)型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個(gè)私樁的測算，中國2023年增量市場(chǎng)的純電動(dòng)車(chē)的車(chē)樁比已經(jīng)1：1，領(lǐng)先世界其它國家數倍
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如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！

電動(dòng)汽車(chē) (EV) 市場(chǎng)的快速增長(cháng)推動(dòng)了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實(shí)上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會(huì )供不應求。而隨著(zhù) SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來(lái) SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動(dòng)汽車(chē)的功率密度
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第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案

第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案相比傳統的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動(dòng)方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝

Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動(dòng)器

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器。這款創(chuàng )新的驅動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設計用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。內部負電荷調節器還能提供用戶(hù)可選的負柵極驅動(dòng)偏置，以實(shí)現更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。該驅動(dòng)器
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Diodes公司推出10Gbps符合汽車(chē)規格的交叉開(kāi)關(guān)可簡(jiǎn)化車(chē)內USB-C連接功能

Diodes 公司 (Diodes)近日推出10Gbps符合汽車(chē)規格的交叉開(kāi)關(guān)(Crossbar Switch)，為先進(jìn)的車(chē)內連接功能帶來(lái)更多便利與性能。Diodes 全新開(kāi)關(guān)PI3USB31532Q的設計可通過(guò) USB Type-C? 連接器實(shí)現USB 3.2 與 DisplayPort? 2.1 信號路由，確保信號高度完整性，相較于傳統交叉多路復用器與 ReDriver? 信號調節器更省電。此款交叉開(kāi)關(guān)適用于汽車(chē)后排娛樂(lè )系統與配備高分辨率大型顯示屏的智能座艙。PI3USB31532Q 支持三種符合 U
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多款車(chē)型相繼發(fā)布，SiC技術(shù)加速“上車(chē)”

SiC技術(shù)似乎已成為蔚來(lái)旗下新車(chē)型標配。蔚來(lái)在去年12月發(fā)布的行政旗艦車(chē)型ET9，搭載了蔚來(lái)自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達292Wh/kg，充電效率達到5C，呈現出來(lái)的效果就是充電5分鐘，續航255公里。近日，蔚來(lái)旗下又一款搭載SiC技術(shù)的車(chē)型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂(lè )道的首款車(chē)型L60。據悉，樂(lè )道全域采用900V高壓架構，包括電驅系統、熱泵空調、輔助加熱器（PTC）、車(chē)載充電機（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
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英飛凌為小米新款SU7智能電動(dòng)汽車(chē)供應一系列產(chǎn)品

Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動(dòng)汽車(chē)供應碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車(chē)的續航里程。英飛凌為小米SU7 Max車(chē)型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動(dòng)汽車(chē)供應了一系
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中宜創(chuàng )芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)達產(chǎn)

近日，河南中宜創(chuàng )芯發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中宜創(chuàng )芯”）SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)成功達產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%，已在國內二十多家企業(yè)和研究機構開(kāi)展試用和驗證。資料顯示，中宜創(chuàng )芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線(xiàn)。項目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開(kāi)工建設，9月20日項目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，據悉
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