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淺談融合SD-RTN：毫秒級網(wǎng)絡(luò )加速的技術(shù)變革

　　關(guān)于延遲，任正非說(shuō)過(guò)：“VR需要低時(shí)延，我們還做不到，也許以后會(huì )有一些科學(xué)定理新發(fā)明，但是現在還沒(méi)有。所以，我們要理性認識VR/AR的產(chǎn)業(yè)發(fā)展規律，保持戰略耐心。AR/VR的發(fā)展速度太快，就會(huì )出現泡沫。為什么VR將來(lái)會(huì )有個(gè)泡沫期，關(guān)鍵是沒(méi)人能解決時(shí)延問(wèn)題?！薄　〗鼛啄昃W(wǎng)絡(luò )直播視頻、VR/AR、競技游戲、大數據、4K高清視頻的快速增長(cháng)，正在將毫秒級網(wǎng)絡(luò )加速技術(shù)推向歷史發(fā)展的潮頭。用戶(hù)的預期越來(lái)越高，他們期待“最好”的在線(xiàn)體驗，網(wǎng)絡(luò )延遲會(huì )直接影響到應用的轉化率。即有多少人可以變成你的客戶(hù)，現在用戶(hù)的體驗
關(guān)鍵字： SD-RTN VR

瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀(guān)測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設定針對RTN的設計余度。該公司已在ldquo
關(guān)鍵字： SRAM RTN 模擬方法

瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀(guān)測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設定針對RTN的設計余度。該公司已在ldquo
關(guān)鍵字： SRAM RTN 模擬方法

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