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格芯為互聯(lián)系統的22FDX平臺帶來(lái)新級別的安全性和保護
- 近日，作為先進(jìn)的特殊工藝半導體代工廠(chǎng)，格芯（GF?）今日宣布正在與Arm?展開(kāi)合作，為蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應用提供基于FD-SOI的格芯22FDX?平臺安全芯片上系統（SoC）解決方案。隨著(zhù)逆向工程的威脅和其他對IP的非法威脅日益加劇，采用基于硬件的安全IP解決方案（包括加密內核、硬件信任和高速協(xié)議引擎）從根本上保護復雜電子系統成為當務(wù)之急。配有Arm? CryptoIsland?片上安全隔區的格芯22FDX平臺提供了一種片上硬件安全解決方案，使得前端模塊（FEM）、射頻、基帶、嵌入式MRAM和加密功能可以輕松地集
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SOI 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟上海論壇期間頒獎，村田、中芯領(lǐng)導人獲獎
- 2019年9月17日 中國上海 -? SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟( SOI微電子完整價(jià)值鏈的領(lǐng)先行業(yè)組織)今日宣布了半導體行業(yè)的兩位杰出獲獎?wù)?分別是來(lái)自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事長(cháng)兼首席技術(shù)官Jim Cable和中芯集成電路(寧波)有限公司的首席執行官兼總經(jīng)理Herb Huang(黃河),二位為RF-SOI (一種廣泛用于蜂窩通信芯片的領(lǐng)先技術(shù))技術(shù)進(jìn)步做出貢獻而榮獲此殊榮。此次SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在上海舉辦了年度RF-SOI論壇,共有來(lái)自中國和世界各地的450多位行業(yè)領(lǐng)袖參加,是SOI
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格芯和Dolphin Integration 推出適用于5G、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)級應用的差異化FD-SOI自適應體偏置解決方案
- 格芯(GF)和領(lǐng)先的半導體IP提供商Dolphin Integration今日宣布，雙方正在合作研發(fā)自適應體偏置(ABB)系列解決方案，提升格芯22nm FD-SOI (22FDX?)工藝技術(shù)芯片上系統(SoC)的能效和可靠性，支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等多種高增長(cháng)應用?！ ∽鳛楹献魇乱说囊徊糠?，Dolphin Integration與格芯正在共同研發(fā)ABB系列解決方案，加速并簡(jiǎn)化SoC設計的體偏置實(shí)施方案。ABB具備特有的22FDX功能，可以讓設計師利用正向及反向體偏置技術(shù)，動(dòng)態(tài)地補償工藝、
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意法半導體開(kāi)始提供汽車(chē)微控制器嵌入式PCM樣片
- 橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)在IEDM2018國際電子器件展會(huì )上，公布了內置嵌入式相變存儲器(ePCM)的28nm FD-SOI汽車(chē)微控制器(MCU)技術(shù)的架構和性能基準，并從現在開(kāi)始向主要客戶(hù)提供基于ePCM的微控制器樣片，預計2020年按照汽車(chē)應用要求完成現場(chǎng)試驗，取得全部技術(shù)認證。這些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器，將被用于汽車(chē)傳動(dòng)系統、先進(jìn)安全網(wǎng)關(guān)、安全/ADAS系統以
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Soitec參加SOI高峰論壇，探討SOI技術(shù)在中國發(fā)展
- 作為設計和生產(chǎn)創(chuàng )新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，Soitec半導體公司于2018年9月18日至19日參加了在上海由SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟舉辦的第六屆FD-SOI高峰論壇暨國際RF-SOI研討會(huì )(Shanghai FD-SOI Forum & International RF-SOI Workshop)。來(lái)自國際頂級半導體公司、科研院所、投資機構和政府部門(mén)的業(yè)內精英在本屆高峰論壇上就FD-SOI和RF-SOI在人工智能、邊緣計算(Edge computing)、5G網(wǎng)絡(luò )連接技術(shù)中的應用等話(huà)題進(jìn)行了探討
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中科院院士王曦帶領(lǐng)團隊制備國際一流的SOI晶圓片
- 在許多人眼中，中科院院士、中科院上海微系統與信息技術(shù)研究所所長(cháng)王曦既是一位具有全球視野的戰略科學(xué)家，也是一位開(kāi)拓創(chuàng )新而又務(wù)實(shí)的企業(yè)家。他帶領(lǐng)團隊制備出了國際最先進(jìn)水平的SOI晶圓片，解決了我國航天電子器件急需SOI產(chǎn)品的“有無(wú)”問(wèn)題，孵化出我國唯一的SOI產(chǎn)業(yè)化基地。 他在上海牽頭推進(jìn)了一批半導體重大項目——12英寸集成電路硅片項目有望填補我國大尺寸硅片產(chǎn)業(yè)空白。3月23日，王曦榮獲上海市科技功臣獎。 從下圍棋中得到啟發(fā) 空間輻射會(huì )對衛
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格芯推出面向下一代移動(dòng)和5G應用的8SW RF-SOI技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無(wú)線(xiàn)通信應用的前端模塊(FEM)帶來(lái)顯著(zhù)的性能、集成和面積優(yōu)勢?！ 「裥救碌牡统杀?、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線(xiàn)上制造具有出色開(kāi)關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，該技術(shù)可以將功耗降低至70%，實(shí)現更高的電
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格芯CEO：FD-SOI是中國需要的技術(shù)
- 5G時(shí)代將對半導體的移動(dòng)性與對物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應性有著(zhù)越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增?！ ?月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現場(chǎng)，發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進(jìn)SOI技術(shù)的發(fā)展，介紹公司最新技術(shù)成果的同時(shí)也總結了SOI技術(shù)的現狀，并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來(lái)?！ ￡P(guān)于
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格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無(wú)線(xiàn)和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車(chē)雷達、WiGig、衛星通信以及無(wú)線(xiàn)回傳等新興高容量應用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案?！ ≡搩煞N解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數字技術(shù)結合，為集成單芯片系統解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應用中都可以實(shí)現最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應用，
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格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機存儲器
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數據中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性?！ ≌缃谠诿绹故镜?，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數據的能力，同時(shí)能使數據在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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莫大康冷靜看待成都的“格芯”
- 全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產(chǎn)線(xiàn)，GF占51%，并引入中國半導體業(yè)非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術(shù)。 “格芯”之所以引起業(yè)界關(guān)注有兩點(diǎn)： 1)與廈門(mén)的”聯(lián)芯”一樣是合資企業(yè)，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式; 2)導入SOI技術(shù)，目前計劃是2018年開(kāi)始成熟制程量產(chǎn)，以及2019年是22納米的FD-SOI技術(shù)量產(chǎn)。 為什么SOI技術(shù)對于中國是個(gè)亮點(diǎn)? 在摩爾
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soi介紹
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過(guò)在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說(shuō)SO [ 查看詳細 ]
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