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Soitec第一季度銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)22.3%
- 法國SOI技術(shù)公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷(xiāo)售額為4390萬(wàn)歐元(約合6190萬(wàn)美元)，環(huán)比增長(cháng)22.3%，同比減少27.2%。 6月，Soitec在收到了主要客戶(hù)的急單之后，大幅上調了第一財季的預期，預測第一季度銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)20%。 第一季度，Soitec稱(chēng)晶圓銷(xiāo)售收入為4110萬(wàn)歐元(約合5790萬(wàn)美元)，環(huán)比增長(cháng)30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環(huán)比增長(cháng)35%。
- 關(guān)鍵字： SOI 晶圓
Global Foundries挖角為新廠(chǎng)Fab2鋪路
- Global Foundries再度展開(kāi)挖角，繼建置布局營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)、設計服務(wù)團隊之后，這次延攬建廠(chǎng)、廠(chǎng)務(wù)人才并將目標鎖定半導體設備商，Global Foundries預計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫(huà)中，這次延攬的Norm Armour原屬設備龍頭應用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠(chǎng)營(yíng)運干部，兩人都熟稔晶圓廠(chǎng)設備系統與IBM技術(shù)平臺。 Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 晶圓 半導體設備 SOI
Global Foundries志在英特爾 臺廠(chǎng)不是主要對手
- Global Foundries制造系統與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專(zhuān)攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來(lái)將持續延攬來(lái)自各界半導體好手加入壯大軍容，同時(shí)他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數轉進(jìn)40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實(shí)對準英特爾(Intel)。 競爭對手臺積電45/40
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 40納米 晶圓代工 SOI
英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊
- 新聞事件： 韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 事件影響： 將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場(chǎng) LS預計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開(kāi)始量產(chǎn)CIPOS模塊 韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷(xiāo)。 合
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術(shù) SOI
用IC激發(fā)汽車(chē)電子的創(chuàng )新
- 訪(fǎng)NXP 高級副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires 當人們在逐步習慣使用車(chē)用遙控門(mén)鎖（Remote Keyless Entry）打開(kāi)車(chē)門(mén)的時(shí)候，也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動(dòng)金屬鑰匙。將來(lái)，被稱(chēng)作“駛向未來(lái)的鑰匙”的智能鑰匙又會(huì )怎樣簡(jiǎn)化汽車(chē)的駕乘？ 智能鑰匙其實(shí)是采用了NFC(近距離無(wú)線(xiàn)通信)、GPS無(wú)線(xiàn)技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡?？梢酝ㄟ^(guò)顯示屏直觀(guān)地顯示汽車(chē)停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息，并且可以打造成一個(gè)非接觸式支付的多功能錢(qián)包。智能鑰匙通過(guò)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )將駕
- 關(guān)鍵字： RKE NXP NFC 磁阻傳感器 車(chē)載網(wǎng)絡(luò ) SOI
新SOI電路模型應邀競爭國際標準 北大微電子研究爭創(chuàng )世界一流水平
- 近日，北京大學(xué)微電子學(xué)研究院教授何進(jìn)博士的喜接美國電子和信息技術(shù)聯(lián)合會(huì ) (GEIA: Government Electronics & Information Technology Association）旗下的國際集成電路模型標準化委員會(huì )（CMC： Compact modeling Council）的主席邀請函，邀請何進(jìn)教授參加于6月5日到6日在美國波士頓舉行的關(guān)于新一代SOI 集成電路國際標準模型選擇的CMC會(huì )議， 攜帶北京大學(xué)自主研發(fā)的新SOI電路模型競爭高科技IT技術(shù)—納米
- 關(guān)鍵字： 北大 微電子 SOI
愛(ài)特梅爾推出采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅動(dòng)器IC
- 愛(ài)特梅爾公司宣布推出全新高溫六路半橋驅動(dòng)器芯片ATA6837和ATA6839。這兩款產(chǎn)品采用愛(ài)特梅爾的0.8 um 高壓BCD-on-SOI技術(shù) (SMART-I.S.?) 制造，可采用尺寸更小的低成本QFN封裝。新推器件具有高承壓能力 (高達40V)，因而既可用于客車(chē) (如空調系統出風(fēng)口控制)，也可用于24V卡車(chē)。此外，這些器件還具有多種保護功能。 ATA6837是帶有集成功率級的完全保護的六路半橋驅動(dòng)器IC。經(jīng)由微控制器 (如愛(ài)特梅爾符合汽車(chē)規范要求的AVR? 微控制器ATm
- 關(guān)鍵字： 愛(ài)特梅爾 驅動(dòng)器 IC BCD-on-SOI 半橋電路
Atmel采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅動(dòng)器集成電路
- Atmel推出新型高溫六邊形半橋驅動(dòng)器集成電路 (IC) ATA6837 和 ATA6839。ATA6837 和 ATA6839 采用 Atmel 的高壓 0.8 um BCD-on-SOI 技術(shù) (SMART-I.S.(R)) 制造，該技術(shù)使得采用更小、成本更低的 QFN封裝成為可能。鑒于其高壓性能（高達 40V），這些新設備可同時(shí)用于乘用車(chē)應用（如空調系統的片控制）以及 24V 卡車(chē)應用。這些設備還具備廣泛的保護功能。 ATA6837 是一個(gè)得到充分保護、擁有全面功率級的六邊形半橋驅動(dòng)器 I
- 關(guān)鍵字： Atmel 集成電路 驅動(dòng)器 BCD-on-SOI IC
SOI(絕緣體上硅)的采用日趨活躍
- 2004年5月A版 目前，越來(lái)越多的公司在采用SOI(絕緣體上硅)作為半導體生產(chǎn)的材料。在3月上海舉行的SEMICON China期間，法國Soitec公司COO(首席運營(yíng)官)Pascal Mauberger先生介紹了近期SOI的發(fā)展動(dòng)向。 SOI市場(chǎng)與應用 “摩爾定律長(cháng)盛不衰，主要歸功于尺寸越來(lái)越小，90年代以前這主要靠設備供應商與IC供應商的努力?！?Mauberger話(huà)鋒一轉，“但由于材料供應商的崛起，特別是由于工程基板或工程材料的技術(shù)進(jìn)步，實(shí)際材料已進(jìn)入了這個(gè)等式，形成了與設備賞、I
- 關(guān)鍵字： SOI 半導體材料
soi介紹
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過(guò)在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說(shuō)SO [ 查看詳細 ]
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