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胡正明續寫(xiě)摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠(chǎng)商如何押寶？
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠(chǎng)落戶(hù)中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。 眾所周知，當柵極長(cháng)度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時(shí)代續命的高招。 盡管FinFET與FD-SOI師出同門(mén)，但是，兩者卻被“陣營(yíng)化”，FinFET陣營(yíng)占據絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠(chǎng)能給出答案。 今天我們就來(lái)談?wù)凢i
- 關(guān)鍵字： FinFET FD-SOI
新型智能手表顯示FD-SOI正當時(shí)？
- 在今年，業(yè)界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉移到由產(chǎn)品與應用所決定的技術(shù)競爭。 因為沒(méi)有可見(jiàn)的終端產(chǎn)品能證明其號稱(chēng)超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場(chǎng)上有實(shí)際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢何在? 終于，現在有實(shí)際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實(shí)證──是一只中國智慧型手機品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
- 關(guān)鍵字： 智能手表 FD-SOI
RF-SOI在中國已建立起完整的生態(tài)系統
- 日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會(huì )”上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱(chēng)，RF-SOI生態(tài)系統現已建立完善，并成為天線(xiàn)調諧器與射頻開(kāi)關(guān)的主流技術(shù)，占據了95%的市場(chǎng)份額，該系統有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結合，RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng )新和突破性的方案。 目前，RF-SOI技術(shù)主要應用于智能手機、WiFi等無(wú)線(xiàn)通訊領(lǐng)域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱(chēng)，國際上3G/4G手機用的射頻器件
- 關(guān)鍵字： RF-SOI 5G
格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線(xiàn)圖
- 格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現了業(yè)內首個(gè)多節點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節點(diǎn)縮放和超低功耗，并通過(guò)軟件控制實(shí)現按需定制性能，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應用智能系統而設計。 隨著(zhù)數以百萬(wàn)計的互聯(lián)設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著(zhù)半導體的進(jìn)一步創(chuàng )新。用于實(shí)現這些應用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統，集成包括無(wú)線(xiàn)連接、非易失性存
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格羅方德半導體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線(xiàn)圖
- 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實(shí)現了業(yè)內首個(gè)多節點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖，從而延續了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應用智能系統而設計。 隨著(zhù)數以百萬(wàn)計的互聯(lián)設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著(zhù)半導體的進(jìn)一步創(chuàng )新。用于實(shí)現這些應用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統，集成包括無(wú)線(xiàn)連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來(lái)越多的組件，
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格羅方德半導體推出生態(tài)系統合作伙伴計劃以加快未來(lái)互聯(lián)系統創(chuàng )新
- 格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統旨在為客戶(hù)加速基于22FDX™的片上系統設計，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。 隨著(zhù)公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現提供業(yè)內首個(gè)FD-SOI 路線(xiàn)圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實(shí)現先進(jìn)節點(diǎn)設計的客戶(hù)提供了一條低成本的遷移路徑。 通過(guò)格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶(hù)將能打造各類(lèi)創(chuàng )新的22FDX 片上系統解決方
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問(wèn)世
- Samsung Foundry準備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。 Samsung Foundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，該
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！
- 產(chǎn)業(yè)資深顧問(wèn)Handel Jones認為，半導體業(yè)者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢… 半 導體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應制程節點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時(shí)，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時(shí)，晶片系統性與參數性良率會(huì )降低，帶來(lái)較高的閘成本。
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Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開(kāi)發(fā)
- Globalfoundries技術(shù)長(cháng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續制程。 晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長(cháng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續制程。 Globalfoundries聲稱(chēng)其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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RF-SOI技術(shù)：加強5G網(wǎng)絡(luò )和智能物聯(lián)網(wǎng)應用
- 今天的智能手機和平板電腦內均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開(kāi)關(guān)、可調諧電容器和過(guò)濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動(dòng)設備調整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區域為無(wú)線(xiàn)設備提供持續強勁且清晰的網(wǎng)絡(luò )連接?！ ∫苿?dòng)市場(chǎng)對RF SOI的追捧持續升溫，因為它以高性?xún)r(jià)比實(shí)現了低插入損耗，在廣泛的頻段內實(shí)現低諧波和高線(xiàn)性度。RF SOI是一個(gè)雙贏(yíng)的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數據傳輸速度，同時(shí)有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！ ?/li>
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FD-SOI會(huì )是顛覆性技術(shù)嗎？
- 全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導廠(chǎng)商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著(zhù)為這項技術(shù)背書(shū)。 “我認為，FD-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經(jīng)過(guò)幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng )
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中國真的對FD-SOI制程技術(shù)有興趣？
- 身為一位記者，我發(fā)現撰寫(xiě)有關(guān)于“熱門(mén)”公司、技術(shù)與人物的報導，要比我通常負責的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫(xiě)了那些“時(shí)髦”的標題，我會(huì )確實(shí)感受到人氣飆漲。 因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫(xiě)那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋(píng)果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫(xiě)冷門(mén)題材、比較少人討論的話(huà)題，挑戰性就高得多;部分讀者會(huì )有先入為主的看法，認為那 些題目不關(guān)他們
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soi介紹
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過(guò)在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢，因此可以說(shuō)SO [ 查看詳細 ]
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