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碳化硅在新能源汽車(chē)中的應用現狀與導入路徑

  • 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn),可以很好地滿(mǎn)足新能源汽車(chē)電動(dòng)化發(fā)展趨勢,引領(lǐng)和加速了汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程,對新能源汽車(chē)發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車(chē)正處于市場(chǎng)導入期到產(chǎn)業(yè)成長(cháng)期過(guò)渡的關(guān)鍵階段,汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量、保有量連續6年居世界首位,在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng )新,為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  新能源汽車(chē)  功率半導體  202110  MOSFET  SiC  

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰(shuí)是寬禁帶(WBG)材料的未來(lái)?

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規模應用。但不可否認,第三代半導體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢。
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應鏈

  • 近年隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)崛起,碳化硅(SiC)功率半導體市場(chǎng)需求激增,吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注,國際間碳化硅(SiC)晶圓的開(kāi)發(fā)驅使SiC爭奪戰正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比,碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap,Eg)的半導體;再者,碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field,Ec),因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料,因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
  • 關(guān)鍵字: 意法半導體  Norstel AB  碳化硅  SiC  

鄭有炓院士:第三代半導體迎來(lái)新發(fā)展機遇

  • 半導體材料是信息技術(shù)的核心基礎材料,一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè),半個(gè)多世紀來(lái)從基礎技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化,推動(dòng)了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續蓬勃發(fā)展。同樣地,信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅動(dòng)了半導體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料,它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發(fā)展起來(lái)的新型寬禁帶半導體材料,即禁帶寬度明顯大于Si(1.12 eV)和Ga
  • 關(guān)鍵字: 第三代半導體  SiC  

汽車(chē)電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案

  • 1? ?汽車(chē)電氣化的趨勢和挑戰汽車(chē)市場(chǎng)中與電氣化相關(guān)的應用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國領(lǐng)導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰,2060 年實(shí)現碳中和的目標。為了實(shí)現碳中和,減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種,用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時(shí)也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運輸行業(yè)碳排放占比達10%,而公路運輸占其中的74%,主要來(lái)自燃油車(chē)的排放。因此,發(fā)展電動(dòng)汽車(chē)并逐漸從燃油車(chē)過(guò)渡到電動(dòng)汽車(chē)對減少
  • 關(guān)鍵字: 202108  SiC  BMS  

清潔安全的汽車(chē)將由功能電子化和自動(dòng)駕駛賦能

  • 未來(lái)的汽車(chē)將是清潔和安全的汽車(chē),由先進(jìn)的汽車(chē)功能電子化和自動(dòng)駕駛技術(shù)賦能。安森美半導體汽車(chē)戰略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動(dòng)汽車(chē)電動(dòng)車(chē)可幫助實(shí)現零排放,其市場(chǎng)發(fā)展是令人興奮和充滿(mǎn)生機的,隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(cháng),必須推出滿(mǎn)足駕駛員需求的基礎設施,以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò ),使他們能夠快速完成行程,而沒(méi)有“續航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過(guò)350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn),緊湊
  • 關(guān)鍵字: 202108  SiC  汽車(chē)  OBC  

安森美半導體:為關(guān)鍵應用推出系列綠色解決方案

  • 1? ?關(guān)注關(guān)鍵應用的節能減排安森美半導體提供所有應用的電力電子解決方案,也專(zhuān)注于一些關(guān)鍵應用,包括能源基礎設施(太陽(yáng)能轉換、儲能、電動(dòng)車(chē)充電站/ 樁)、工業(yè)、云計算和5G 基礎設施。這些市場(chǎng)都有其獨特的技術(shù)挑戰。這些挑戰由相同因素的不同組合驅動(dòng):提高能效、減小尺寸和質(zhì)量以及優(yōu)化系統成本或擁有成本。例如太陽(yáng)能轉換,從集中式逆變器到組串式逆變器的轉變消除了逆變器的單點(diǎn)故障風(fēng)險。如果一個(gè)組串式逆變器停止工作,仍可用其他組串來(lái)發(fā)電。它還有個(gè)額外的好處,就是能對較少量的面板進(jìn)行最大功率點(diǎn)追蹤。
  • 關(guān)鍵字: 202107  SiC  

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

  • 圖騰柱PFC電路能顯著(zhù)改善交流輸入轉換器的效率,但是主流半導體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò),SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實(shí)現99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿(mǎn)足許多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權衡取舍,一個(gè)好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標,又要用功率因素校正(PFC)將線(xiàn)路諧波發(fā)射保持在低水平,以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下,會(huì )通過(guò)升壓轉換器部分實(shí)施PFC,升壓轉換器會(huì )將整流后
  • 關(guān)鍵字: SiC FET  PFC  

SiC大戰拉開(kāi)帷幕,中國勝算幾何

  • 近些年,隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)以及其他系統的增長(cháng),碳化硅(SiC)功率半導體市場(chǎng)正在經(jīng)歷需求的突然激增,因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應用進(jìn)一步成熟的趨勢下,SiC的爭奪戰正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴,目前,襯底成本大約是加工晶片的50%,外延片是25%,器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節20%,封裝測試環(huán)節5%。SiC襯底不止貴,生產(chǎn)工藝還復雜,與硅相比,碳化硅很難處理、研磨和鋸切,挑戰非常大。所以大多數企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應商購買(mǎi)襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
  • 關(guān)鍵字: SiC  功率半導體  

功率半導體-馬達變頻器內的關(guān)鍵組件

  • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的馬達,而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長(cháng)一倍。隨著(zhù)對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來(lái)提升驅動(dòng)馬達用電效率的需求將會(huì )越來(lái)越顯著(zhù)。
  • 關(guān)鍵字: IGBT7  SiC MOSFET  馬達變頻器  功率半導體  英飛凌  

以中國帶動(dòng)世界 意法半導體搶占新能源汽車(chē)制高點(diǎn)

  • 意法半導體(STMicroelectronics) 以“意法半導體,科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展,展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。 作為意法半導體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一,此次展臺的焦點(diǎn)是一輛智能電動(dòng)轎跑小鵬P7,這款先進(jìn)的新能源智能汽車(chē)的車(chē)輛控制單元(VCU)中采用意法半導體的先進(jìn)的多功能芯片L9788,這是首個(gè)集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案,符合最高的功能性安全標準,產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
  • 關(guān)鍵字: 意法半導體  SiC  BMS  

電動(dòng)汽車(chē)BMS的技術(shù)趨勢及恩智浦的解決方案

  • 1? ?電動(dòng)汽車(chē)BMS的技術(shù)趨勢對恩智浦而言,我們所觀(guān)察到的電動(dòng)汽車(chē)制造商在規劃整個(gè)車(chē)型電氣化過(guò)程中正在面對如下挑戰,這也代表了現在技術(shù)發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續降低是電動(dòng)車(chē)普及以及車(chē)廠(chǎng)盈利的重要決勝點(diǎn)。除電芯降本外,還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機械架構,并制作支持自動(dòng)化組裝的生產(chǎn)線(xiàn),這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長(cháng)里程需要提高比能量,縮短充電時(shí)間則要增加比功率,在逐漸挑戰比能量和比功率極限的過(guò)程中,電池管理功能安全的等級、診斷的精度
  • 關(guān)鍵字: BMS  SiC  

SiC在電動(dòng)汽車(chē)的功率轉換中扮演越來(lái)越重要的角色

  • 1? ?中國新能源汽車(chē)市場(chǎng)的需求特點(diǎn)首先,中國的電動(dòng)化發(fā)展速度很快,中國企業(yè)的創(chuàng )新力旺盛,而且直接從傳統汽車(chē)向新能源汽車(chē)過(guò)渡,沒(méi)有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問(wèn)題。相比歐美,新興的中國車(chē)企更期待新能源汽車(chē)。在中國,功率轉換系統在汽車(chē)中的應用非常廣泛,這就是為什么ST專(zhuān)注于與中國客戶(hù)合作開(kāi)發(fā)電源管理系統。ST汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部大眾市場(chǎng)業(yè)務(wù)拓展負責人公司戰略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
  • 關(guān)鍵字: 新能源汽車(chē)  SiC  

TI為何把首款GaN FET定位于汽車(chē)和工業(yè)應用

  • GaN(氮化鎵)作為新一代半導體材料,正有越來(lái)越廣泛的應用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅動(dòng)器、內部保護和有源電源管理的GaN FET,分別面向車(chē)用充電器和工業(yè)電源,可以實(shí)現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車(chē)和工業(yè)方面的機會(huì )?此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么?為此,電子產(chǎn)品世界記者線(xiàn)上采訪(fǎng)了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
  • 關(guān)鍵字: GaN  FET  SiC  

推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

  • 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)(EV)數量的增加,對創(chuàng )建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長(cháng),如此便可更快地為車(chē)輛充電。與先前的電動(dòng)汽車(chē)相比,新型電動(dòng)汽車(chē)具有更高的行駛里程和更大的電池容量,因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿(mǎn)足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車(chē)充電至80%,行駛大約250 km。根據聯(lián)合充電系統和Charge de Move標準, 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天,我們將研究驅動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術(shù)
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