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ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

  •   2017年3月14日(周二)~16日(周四),全球知名半導體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時(shí)ROHM將在E4館設有展位(展位號:4100),向與會(huì )觀(guān)眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來(lái)到現場(chǎng)還將有ROHM的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹,期待您的到來(lái)?! OHM展位信息  "慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內最重要的盛會(huì )。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導體制造商,&
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新型激光材料加工專(zhuān)利大幅提升SiC生產(chǎn)率

  •   日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱(chēng)為關(guān)鍵無(wú)定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption,KABRA)的專(zhuān)利和正在申請專(zhuān)利的激光材料加工技術(shù),可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來(lái)的四倍,并且在提高產(chǎn)量的同時(shí)減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠,不管晶體層的取向如何。目前,SiC 功率器件在市場(chǎng)中的滲透較慢,主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而,KABRA 方法能夠顯著(zhù)提高 SiC 器件的產(chǎn)量,并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
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“十三五”期間,功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線(xiàn)圖?

  •   如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟,功率半導體就是電機的心臟,它可以實(shí)現對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規劃,在此過(guò)程中,功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著(zhù)巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較,其實(shí)如果按比例計算,我國功率半導體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著(zhù)“節能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

  •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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第三代半導體技術(shù)、應用、市場(chǎng)全解析

  • 第一代半導體材料是元素半導體的天下,第一代半導體材料是化合物半導體材料,然而隨著(zhù)半導體器件應用領(lǐng)域的不斷擴大,特別是特殊場(chǎng)合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺,第一、二代半導體材料便無(wú)能為力,于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
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無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng) 碳化硅功率元件/模組商機涌現

  •   有鑒于全球環(huán)保意識抬頭,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中,碳化矽掌握早期開(kāi)發(fā)優(yōu)勢,其功率模組在再生能源與車(chē)用電子領(lǐng)域,商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵,則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。   可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備,為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng )造大量需求。另一方面,近期豐田汽車(chē)(Toyota)在電動(dòng)車(chē)中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐,其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過(guò)矽元件。   臺達電技術(shù)長(cháng)暨總
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11月8日:ROHM為汽車(chē)推出新一代SiC、LED方案

  •   ROHM新聞發(fā)布會(huì )上,首先宣布最新的第三代SiC技術(shù),包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊,提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據悉,相比平面(planar)柵型SiC MOSFET,新一代SiC MOSFET在整個(gè)溫度范圍內減少Rdson 50%,在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器?! OHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車(chē)用外部LED燈,ROHM方案精度更高,用于車(chē)前燈。還有LED矩陣控制器,使電路配置更容易、
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電信基帶單元的系統方框圖 (SBD)

  • 具有TI無(wú)線(xiàn)SoC處理器以及時(shí)鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統方框圖(SBD)。當今用于蜂窩式電信網(wǎng)絡(luò )的無(wú)線(xiàn)基站必須具備強大的信號處理功能,以便能夠處理網(wǎng)絡(luò )中不斷增加的大量語(yǔ)音和數據流量,并支持正廣泛...
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世界各國第三代半導體材料發(fā)展情況

  • 技術(shù)創(chuàng )新是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動(dòng)力,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料憑借著(zhù)其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視,從國際競爭角度看,美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃,并展開(kāi)全面戰略部署,欲搶占戰略制高點(diǎn)。
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技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件

  • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
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GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

  •   眾人皆知,由于半導體制程的不斷精進(jìn),數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運算力不斷增強,使運算的取得愈來(lái)愈便宜,也愈來(lái)愈輕便,運算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。    ?   GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp)   不過(guò),姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去,有些電子系統的輕便度仍待改進(jìn)提升,例如筆電出門(mén)經(jīng)常要帶著(zhù)一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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Zaptec公司采用意法半導體先進(jìn)的功率技術(shù),開(kāi)發(fā)出獨具特色的便攜式電動(dòng)汽車(chē)充電器

  •   橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)的享譽(yù)業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件,讓高科技創(chuàng )業(yè)公司Zaptec開(kāi)發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動(dòng)汽車(chē)充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng )新性初創(chuàng )公司。   作為市場(chǎng)首款內置電子變壓器的電動(dòng)汽車(chē)便攜式充電器,ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動(dòng)汽車(chē)充電。意法半導體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉換性能,讓Zaptec工程師得以設
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SiC功率半導體市場(chǎng)將開(kāi)始高速發(fā)展

  •   SiC功率半導體正進(jìn)入多個(gè)應用領(lǐng)域   當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時(shí),整個(gè)產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導體的未來(lái)發(fā)展存在疑慮,它會(huì )有市場(chǎng)嗎?它能夠真正實(shí)現商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天,人們不再會(huì )有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場(chǎng)是真實(shí)存在的,而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年,SiC功率半導體市場(chǎng)(包括二極管和晶體管)規模約為2億美元,到2021年,其市場(chǎng)規模預計將超過(guò)5.5億美元,這期間的復合年均增長(cháng)率預計將達19%。毫無(wú)懸念,消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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