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PCIM2024論文摘要｜離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢
- 梗概隨著(zhù)全球低碳化的進(jìn)程，可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來(lái)越高，此種背景下，儲能系統的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動(dòng)性，PCS作為儲能系統的核心裝置應用廣泛。在工商業(yè)應用里，存在單相負載與三相不平衡負載，為了滿(mǎn)足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制，三相四線(xiàn)變流器拓撲是非常必要的，常見(jiàn)的拓撲形式有以下幾種：a)三橋臂分裂電容式拓撲b) 平衡橋臂拓撲圖一分裂電容式拓撲，由于N線(xiàn)電流流過(guò)母線(xiàn)電容，電容容量需求增大，且直流電壓利用率較低，諧波畸變較大，抑制三相不平衡能力相對有限，平衡橋臂式拓撲通過(guò)硬件電路增強中
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱(chēng)，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀(guān)環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計劃時(shí)間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠(chǎng)區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實(shí)現年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱(chēng)，本次募投項目延期僅涉及項目進(jìn)度的
- 關(guān)鍵字： 新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性
- Nexperia近日宣布，公司正在持續擴充其N(xiāo)extPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
- 關(guān)鍵字： Nexperia NextPower MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出安裝可靠性高的車(chē)載Nch MOSFET，非常適用于汽車(chē)車(chē)門(mén)、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應用！
- ~符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101，有助于車(chē)載應用的高效運行和小型化~全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出具有低導通電阻*1優(yōu)勢的車(chē)載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車(chē)門(mén)鎖和座椅調節裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應用。目前，3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售，未來(lái)會(huì )繼續擴大產(chǎn)品陣容。在汽車(chē)領(lǐng)域，隨著(zhù)安全性和便捷性的提高，電子產(chǎn)品逐漸增加，使得所安裝的電子元器件數量也
- 關(guān)鍵字： ROHM Nch MOSFET 汽車(chē)車(chē)門(mén) 座椅 電機 LED前照燈
很基礎的MOS管知識
- 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱(chēng)為單極型三極管，因為這種管子是利用電場(chǎng)效應控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應三極管（FET），簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。場(chǎng)效應管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結型場(chǎng)效應管（JFET），另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應管”你會(huì )發(fā)現，搜索出來(lái)的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應管。即使搜索“結型場(chǎng)效應管”，出來(lái)的也只有幾種，你是不是懷疑結型場(chǎng)效應管已經(jīng)被人類(lèi)拋棄了的感覺(jué)，沒(méi)錯，JFE
- 關(guān)鍵字： 三極管 MOSFET JFET
實(shí)現3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數字電源方案
- 隨著(zhù)社會(huì )經(jīng)濟發(fā)展、能源結構變革，近幾年全球對家用儲能系統的需求量一直保持相當程度的增長(cháng)。2023年，全球家用儲能系統市場(chǎng)銷(xiāo)售額達到了87.4億美元，預計2029年將達到498.6億美元，年復合增長(cháng)率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲能市場(chǎng)經(jīng)過(guò)了一輪爆發(fā)式增長(cháng)的狂歡后，現在也迎來(lái)了穩定增長(cháng)期，從未來(lái)看，預計在2027年便攜儲能市場(chǎng)將達到900億元；AI Server市場(chǎng)規模持續增長(cháng)，帶來(lái)了數字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求，現在單機3KW的Power也成為了標配。對于
- 關(guān)鍵字： Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 雙向圖騰柱 PFC 數字電源
羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會(huì )展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC 氮化鎵 GaN
還分不清結型場(chǎng)效應管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現
- JFET 與 MOSFET的區別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結上的電場(chǎng)引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)。JFET 與 MOSFET的區別兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱(chēng)為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱(chēng)為“OFF 器件”，
- 關(guān)鍵字： 結型場(chǎng)效應管 jfet MOSFET 電路設計
第三代半導體，距離頂流差了什么
- 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場(chǎng)規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場(chǎng)規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車(chē)能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動(dòng)力。新能源車(chē)的最大
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線(xiàn)
- 7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“悉智科技”）宣布，其首批車(chē)規級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線(xiàn)投產(chǎn)。悉智科技表示，此次下線(xiàn)的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開(kāi)發(fā)上，悉智科技取得了顯著(zhù)進(jìn)展，目前該產(chǎn)品已獲取到客戶(hù)的量產(chǎn)訂單，并會(huì )在今年四季度實(shí)現大規模量產(chǎn)。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營(yíng)以來(lái)，始終專(zhuān)注于車(chē)規級功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為智能電動(dòng)汽車(chē)、光儲新能源等客戶(hù)提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
- 關(guān)鍵字： 悉智科技 DCM封裝 8并 SiC
貿澤開(kāi)售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開(kāi)啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jì)Υ嫦到y、電動(dòng)汽車(chē)充電、電源和電機驅動(dòng)應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
- 關(guān)鍵字： 貿澤 英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET
電動(dòng)汽車(chē)和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)
- 圖1 半導體對許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑，從社會(huì )發(fā)展的角度，我們必須轉向采用可持續的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉變也帶來(lái)了一系列技術(shù)挑戰。無(wú)論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場(chǎng)步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過(guò)去，這些難題都必須被克服。對于電動(dòng)汽車(chē)（EV）和太陽(yáng)能電池板等應用，工程師面臨著(zhù)更多的挑戰，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續可靠地運
- 關(guān)鍵字： 電動(dòng)汽車(chē) 光伏逆變器 SiC
英飛凌OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET ，助力汽車(chē)控制器應用
- OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車(chē)規MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導通電阻的演進(jìn)。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進(jìn)英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開(kāi)發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無(wú)引腳封裝結合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能
- 關(guān)鍵字： OptiMOS MOSFET 英飛凌
用先進(jìn)的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
- 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來(lái)繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個(gè)模型來(lái)研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來(lái)生成直觀(guān)地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開(kāi)始。為此，我們將柵極電壓設置為遠高于閾值電壓的固定值，然后執行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
- 關(guān)鍵字： LTspice MOSFET NMOS
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