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用于有源電力濾波器的IGBT驅動(dòng)及保護研究

　　l 前言　　絕緣柵場(chǎng)效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著(zhù)廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專(zhuān)有EXB84l型驅動(dòng)器的設計進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動(dòng)電路。　　有源電力濾波器設計中應用4個(gè)IGBT作為開(kāi)關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗中，根據補償電流與指令電流的關(guān)系，用數字信號處理器(DSP
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電源管理和MOSFET推動(dòng)中國功率器件市場(chǎng)發(fā)展

　　全球能源需求的不斷增長(cháng)以及環(huán)境保護意識的逐步提升使得高效、節能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢。為此，電源|穩壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來(lái)越多的應用到整機產(chǎn)品中。在整機市場(chǎng)產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機產(chǎn)品中應用比例不斷提升的雙重帶動(dòng)下，中國功率器件市場(chǎng)在2007-2011年將繼續保持快速增長(cháng)，但由于市場(chǎng)基數的不斷擴大，市場(chǎng)增長(cháng)率將逐年下降。預計到2011年時(shí)中國功率器件市場(chǎng)銷(xiāo)售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場(chǎng)年均復合增長(cháng)率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
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功率場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)原理

　　功率場(chǎng)效應管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安全工作區寬等特點(diǎn)。由于其易于驅動(dòng)和開(kāi)關(guān)頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開(kāi)關(guān)電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車(chē)等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。一、電力場(chǎng)效應管的結構和工作原理　　電力場(chǎng)效應晶體管種類(lèi)和結構有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時(shí)
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功率模塊市場(chǎng)增長(cháng) 產(chǎn)業(yè)發(fā)展迫在眉睫

　　功率半導體器件的應用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來(lái)，隨著(zhù)新型功率半導體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應用領(lǐng)域。全球各大廠(chǎng)商也不失時(shí)機地加大研發(fā)力度，占領(lǐng)市場(chǎng)高地。　　發(fā)展功率半導體產(chǎn)業(yè)迫在眉睫　　目前，我國功率半導體企業(yè)生產(chǎn)條件和產(chǎn)品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個(gè)別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產(chǎn)品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復和超快恢復二極管完全不能制造。因此，我國市場(chǎng)用的功率器件約90%依賴(lài)進(jìn)口，其余約10%低檔產(chǎn)品是自己制造的。
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 功率半導體 VD-MOSFET 模擬IC 電源

基于MOSFET控制的PWM型直流可調電源的研制

　　引言　　功率場(chǎng)效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅動(dòng)功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn)，是目前開(kāi)關(guān)電源中常用的開(kāi)關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開(kāi)關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續可調(0～45V) 的小功率穩壓電源設計實(shí)例。　　總體結構與主電路　　圖1 為該電源的總體結構框圖。工作原理如下：　　　　圖1 　原理方框圖　　全橋整流電路將電網(wǎng)電壓220V
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選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的

隨著(zhù)制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統設計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標來(lái)選擇正確的MOSFET。　　MOSFET的選擇　　MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導通。導通時(shí)
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凌力爾特推出電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4444

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉換器拓撲中驅動(dòng)高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉換器。這個(gè)強大的驅動(dòng)器可采用 1.2Ω 的下
關(guān)鍵字：嵌入式系統單片機凌力爾特 MOSFET LTC4444 模擬IC

凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動(dòng)器 LTC4442/-1

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4442/-1，該器件用來(lái)在同步整流轉換器拓撲中驅動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅動(dòng)器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時(shí)，可組成完整的高效率同步穩壓器，該穩壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。這個(gè)強大的驅動(dòng)器可以吸收高達
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FAN3XXX系列高速低端MOSFET驅動(dòng)器概述

關(guān)鍵字： FAN3XXX MOSFET 低端驅動(dòng)器

車(chē)載SiC功率半導體前景光明逆變器大幅實(shí)現小型化及低成本化

　　豐田汽車(chē)在“ICSCRM 2007”展會(huì )第一天的主題演講中，談到了對應用于車(chē)載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動(dòng)力車(chē)等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體，將有助于逆變器大幅實(shí)現小型化及低成本化。　　在汽車(chē)領(lǐng)域的應用是許多SiC半導體廠(chǎng)商瞄準的目標，但多數看法認為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產(chǎn)業(yè)設備以及民用設備上配備，在汽車(chē)上配備的障礙更大。該公司雖然沒(méi)有透露計劃采用SiC半導體的日期，但表示“到本世紀10年代前
關(guān)鍵字：汽車(chē)電子豐田 SiC 半導體汽車(chē)電子

可測試低電流電源的簡(jiǎn)單雙恒流載荷

當今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開(kāi)關(guān)電源代替了體積笨重的線(xiàn)性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進(jìn)行了測試，一般使用電阻或標準現成的電負載。工程師會(huì )使用各種大功率電阻來(lái)檢驗多種負載條件以滿(mǎn)足合適的設計。多數標準的電負載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時(shí)，顯示結果并不準確，多數顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡(jiǎn)單雙恒流負載設計，這種設計可以利用廉價(jià)的通用元件來(lái)構建電路。負載電流流過(guò)MOSFET和一個(gè) 1Ω
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飛兆半導體再獲殊榮贏(yíng)得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導體全面優(yōu)化的集成式12V驅動(dòng)器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導體的30V同步降壓轉換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅動(dòng)器IC和兩個(gè)功率MOSFET集成在一個(gè)節省空間的8mm x 8mm的56腳M
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飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場(chǎng)現有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用(如筆記本電腦和手機)的最新架構。利用飛兆半導體的PowerTrench工藝，這些低導通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導損耗并且延長(cháng)寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
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飛兆半導體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場(chǎng)現有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構。利用飛兆半導體的Power Trench®工藝，這些低導通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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電源技術(shù)的創(chuàng )新與發(fā)展

1 引言　　人類(lèi)的經(jīng)濟活動(dòng)已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟時(shí)代，并正在轉入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時(shí)期。電源是位于市電（單相或三相）與負載之間，向負載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設備，是工業(yè)的基礎。　　電源技術(shù)是一種應用功率半導體器件，綜合電力變換技術(shù)、現代電子技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現代控制理論、材料科學(xué)、電機工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門(mén)多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對現代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動(dòng)化、電力工程、國防及某些
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