Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性
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Nexperia近日宣布，公司正在持續擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202408/461769.htm
許多MOSFET制造商在將其器件的開(kāi)關(guān)性能與其他產(chǎn)品進(jìn)行對比時(shí)，特別看重是否能通過(guò)低QG(tot)和低QGD實(shí)現高效率。然而，通過(guò)廣泛的研究，Nexperia發(fā)現Qrr同樣重要，因為它會(huì )影響尖峰表現，進(jìn)而影響器件開(kāi)關(guān)期間產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)量。通過(guò)專(zhuān)注于研究該參數，Nexperia大大降低了其NextPower 系列80/100 V MOSFET產(chǎn)生的尖峰水平，同時(shí)也降低了它們產(chǎn)生的EMI量。如果最終用戶(hù)的應用在后期未通過(guò)電磁兼容性(EMC)測試，而需要重新設計時(shí)，這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本，從而為最終用戶(hù)帶來(lái)顯著(zhù)的益處。
與當前可用的器件相比，這些新MOSFET的導通電阻(RDSon)降幅高達31%。Nexperia還計劃在今年晚些時(shí)候進(jìn)一步加強其N(xiāo)extPower 80/100 V產(chǎn)品組合，再發(fā)布一款LFPAK88 MOSFET，在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on)，同時(shí)在產(chǎn)品組合中引入功率密集型CCPAK1212。為了進(jìn)一步支持這些器件的設計導入和驗證，Nexperia屢獲殊榮的交互式數據手冊，為工程師提供了全面且用戶(hù)友好的器件行為分析。
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