PCIM2024論文摘要｜離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

隨著(zhù)全球低碳化的進(jìn)程，可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來(lái)越高，此種背景下，儲能系統的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動(dòng)性，PCS作為儲能系統的核心裝置應用廣泛。在工商業(yè)應用里，存在單相負載與三相不平衡負載，為了滿(mǎn)足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制，三相四線(xiàn)變流器拓撲是非常必要的，常見(jiàn)的拓撲形式有以下幾種：

分裂電容式拓撲，由于N線(xiàn)電流流過(guò)母線(xiàn)電容，電容容量需求增大，且直流電壓利用率較低，諧波畸變較大，抑制三相不平衡能力相對有限，平衡橋臂式拓撲通過(guò)硬件電路增強中點(diǎn)平衡控制能力，帶不平衡負載能力得到一定加強。

圖二、三相四橋臂拓撲

三相四橋臂拓撲，也為本文主要研究拓撲，增加了第四橋臂以增加控制自由度，電容容量的需求小于前者?？刹捎?d-SVPWM調制或三次諧波注入的載波調制方法，將三相解耦為獨立的單相控制，可以處理100%的不平衡電流，直流電壓利用率也得到了提升，但諧波表現依舊差于三相三線(xiàn)拓撲，需要采用合適功率器件與拓撲來(lái)改善。

SiC材料對比Si材料具有更高的電子漂移速率，同時(shí)SiC MOSFET由于其單極性導電特性，不存在IGBT關(guān)斷時(shí)的拖尾現象，Eoff相較IGBT大幅減小，SiC二極管反向恢復能量很小，因此SiC MOSFET的開(kāi)通損耗也遠小于Si IGBT，下圖為同電流規格的SiC MOSFET與IGBT開(kāi)關(guān)損耗的基準對比，相同電流情況下SiC MOSFET顯示出更優(yōu)的開(kāi)關(guān)損耗以及更小的溫度相關(guān)性。

由于IGBT pnpn的四層結構，導通特性存在一個(gè)轉折壓降，而SiC MOSFET的輸出特性曲線(xiàn)類(lèi)似于一條正比例直線(xiàn)，在小電流區域內，SiC MOSFET具有明顯更小的導通損耗，對比如下圖。

圖三、同電流規格SiC MOSFET與IGBT損耗對比

三相四橋臂變流器與三相三橋臂變流器輸出的相電壓電流波形如下，三相四橋臂拓撲電壓臺階減少，諧波畸變更大，在相同的濾波器參數下，3P4L拓撲的輸出電流THD較3P3L拓撲變差49.5%，因此對于3P4L變流器，為滿(mǎn)足系統諧波要求，如果采用IGBT方案需要應用多重化拓撲或三電平拓撲，都會(huì )大大增加系統成本，而采用SiC MOSFETs方案，由于開(kāi)關(guān)頻率的顯著(zhù)提升，兩電平拓撲即可滿(mǎn)足系統諧波需求，本文應用PLECS仿真，定量對比三電平三相四橋臂IGBT方案與兩電平三相四橋臂SiC MOSFET方案，采用同等電流規格分立器件，SiC MOSFETs方案在系統效率，電流諧波畸變，濾波器參數選擇，器件溫升層面都具有一定優(yōu)勢，以此說(shuō)明在三相四橋臂拓撲下SiC方案的價(jià)值所在。