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解決補能焦慮，安森美SiC方案助力800V車(chē)型加速發(fā)布

800V車(chē)型刷屏，高壓SiC車(chē)載應用加速普及。實(shí)際上，近期有越來(lái)越多的國內外車(chē)企開(kāi)始加速800V電壓架構車(chē)型的量產(chǎn)，多款20-25萬(wàn)元價(jià)格段的標配SiC車(chē)型上市。2024年，隨著(zhù)車(chē)企卷價(jià)格卷性能戰略推進(jìn)，將進(jìn)一步拉動(dòng)SiC滲透。SiC迎來(lái)800V高壓平臺風(fēng)口◆ 800V架構成為電動(dòng)汽車(chē)主流電動(dòng)化進(jìn)程持續推進(jìn)，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車(chē)主驅方案部門(mén)產(chǎn)品總監Jonathan Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車(chē)駛上道路。但從消費者角度看購買(mǎi)電動(dòng)車(chē)的兩大顧慮是續航里程和充電便利性
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英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下，電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過(guò)采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備通過(guò)技術(shù)鑒定

6月7日，蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備獲行業(yè)專(zhuān)家認可，成功通過(guò)技術(shù)鑒定評審。鑒定委員會(huì )認為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長(cháng)設備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng )新性強，突破了國內大尺寸晶體生長(cháng)技術(shù)瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權，經(jīng)濟效益顯著(zhù)。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專(zhuān)注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長(cháng)設備研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長(cháng)設備，經(jīng)持續工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKIN
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MOSFET在服務(wù)器電源上的應用

服務(wù)器電源主要用在數據中心場(chǎng)景中，主要應用于服務(wù)器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開(kāi)關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個(gè)規范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務(wù)器。SSI（Server System Infrastructure）規范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規范，SSI規范的推出是為了規范服務(wù)器電源技術(shù)，降低開(kāi)發(fā)成本，延長(cháng)服務(wù)器的使用壽命
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PANJIT最新高效能60V/100V/150V車(chē)規級MOSFET系列

PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車(chē)規級?MOSFET，此系列通過(guò)先進(jìn)的溝槽技術(shù)設計達到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專(zhuān)為汽車(chē)和工業(yè)電力系統設計，提供優(yōu)異的品質(zhì)因數（FOM），顯著(zhù)降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導通和開(kāi)關(guān)損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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恩智浦與采埃孚合作開(kāi)發(fā)基于SiC的牽引逆變器

6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）開(kāi)發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過(guò)利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動(dòng)器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程、減少充電停車(chē)次數、同時(shí)降低OEM廠(chǎng)商的系統級成本。據了解，牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē)電力傳動(dòng)系統的
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議，成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室

●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車(chē)型提高電驅能效●? ?雙方成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，共同推動(dòng)節能智能化電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌
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意法半導體與吉利汽車(chē)簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議

6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車(chē)集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程，深化新能源汽車(chē)轉型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上，建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構（如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng )新解決方案。據數據顯
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議，深化新能源汽車(chē)轉型；成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，推動(dòng)雙方創(chuàng )新合作

服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程，深化新能源汽車(chē)轉型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上，建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構（如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統）、
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構建新型能源體系，充電樁市場(chǎng)將迎來(lái)高增長(cháng)

能源是人類(lèi)生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎，能源轉型則是當今國際社會(huì )關(guān)注的焦點(diǎn)問(wèn)題，隨著(zhù)全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂(yōu)，新能源市場(chǎng)的需求正在快速增長(cháng)?！　‘斍叭蚱?chē)產(chǎn)業(yè)電動(dòng)化正在深度推進(jìn)，在新能源革命浪潮下，新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)成為各國重點(diǎn)發(fā)力方向。隨著(zhù)新能源汽車(chē)技術(shù)的日趨成熟，充電基礎設施快速發(fā)展。近年來(lái)，我國已建成世界上數量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類(lèi)型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個(gè)私樁的測算，中國2023年增量市場(chǎng)的純電動(dòng)車(chē)的車(chē)樁比已經(jīng)1：1，領(lǐng)先世界其它國家數倍
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MOSFET基本原理、參數及米勒效應全解

1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場(chǎng)效應管（FET）是利用輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數載流子導電，又稱(chēng)單極型晶體管。場(chǎng)效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場(chǎng)效應管溫度穩定性好、集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類(lèi)，每一類(lèi)又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
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如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！

電動(dòng)汽車(chē) (EV) 市場(chǎng)的快速增長(cháng)推動(dòng)了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實(shí)上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會(huì )供不應求。而隨著(zhù) SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來(lái) SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動(dòng)汽車(chē)的功率密度
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功率MOSFET的工作原理

功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理(1)開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開(kāi)關(guān)過(guò)程原理：開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅動(dòng)開(kāi)通;-- [t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時(shí)刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)始導電;-- [t1-t2]區間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
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第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案

第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案相比傳統的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動(dòng)方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝

Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
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