Microsemi公司推出工業(yè)級碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開(kāi)關(guān)電源、馬達驅動(dòng)器、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍，以滿(mǎn)足下一代功率轉換系統對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。

　　SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場(chǎng)強度和更好的熱傳導性。從而提高性能參數，包括零反向恢復、不受溫度影響的特性、更高的工作電壓和更高的工作溫度，使性能、效率和可靠性邁向新水平。

　　美高森美的新SiC功率模塊具有多種電路拓撲結構，可集成到小型封裝。新模塊產(chǎn)品的主體使用氮化鋁(AlN)基板，與散熱片隔離，從而提高了冷卻系統的熱傳導性能。其他功能還包括高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、低輸入電容、低驅動(dòng)要求、小型化以及最大程度降低寄生電感。

　　“我們應用在功率半導體集成和封裝領(lǐng)域的廣泛的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，提供下一代碳化硅功率模塊系列，這些器件具有出色的性能、可靠性和綜合質(zhì)量水平。”美高森美功率模塊產(chǎn)品集團總經(jīng)理Philippe Dupin表示，“我們的新模塊還使得設計人員能夠縮減系統尺寸和重量，同時(shí)降低總體系統成本。”

　　關(guān)于新的SiC模塊

　　美高森美新的工業(yè)溫度SiC功率模塊具有多種電路拓撲，并且集成在較小的封裝內。新模塊產(chǎn)品系列中的大多數產(chǎn)品使用氮化鋁(aluminum nitride，AIN)襯底，來(lái)實(shí)現與散熱器的隔離，從而改善了至散熱系統的熱傳遞。

　　其它特性包括高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、低輸入電容、低驅動(dòng)要求、小尺寸和最小寄生電感，能夠實(shí)現高頻率、高性能、高密度和節能的電力系統。

　　新工業(yè)溫度模塊系列包括以下參數和器件：

　　• 1200V升壓斬波電路(boost chopper)，額定電流為50至100A (器件編號：APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2)

　　• 1200V相臂(phase leg) 結構，額定電流為40至200A (器件編號：APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和APTMC120AM55CT1AG)

　　• 600V中性點(diǎn)箝位結構，專(zhuān)用于太陽(yáng)能或UPS應用的三級逆變器，額定電流為20至160A (器件編號：APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG)

　　• 中性點(diǎn)箝位結構，600V/1200V混合電壓，額定電流為20至50A (器件編號：APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G)

　　美高森美的SiC產(chǎn)品組合包括分立和模塊封裝的肖特基二極管，以及標準和定制配置的采用SiC肖特基二極管和IGBT或MOSFET晶體管組合的功率模塊。

　　供貨

　　美高森美以短交貨周期提供工業(yè)溫度SiC標準功率模塊樣品。要了解更多的信息，請聯(lián)絡(luò )當地美高森美公司銷(xiāo)售代表。