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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
ST公布今年第二季度及上半年財報
- 意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務(wù)報告。 意法半導體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛(ài)立信移動(dòng)平臺的全部業(yè)務(wù)，和1800萬(wàn)美元的技術(shù)授權費。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導體所在的所有市場(chǎng)以及全部地區的需求回暖，特別是中國和亞太地區的需求增長(cháng)強勁。因為商業(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場(chǎng)以及各地區第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場(chǎng)和亞太地區的表現則例外。 總裁兼首席執行官 Car
- 關(guān)鍵字： ST MOSFET MEMS GPS 無(wú)線(xiàn)寬帶
半導體C-V測量基礎
- 通用測試 電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。此外，利用C-V測量還可以對其他類(lèi)型的半導體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。 這類(lèi)測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學(xué)的研究實(shí)驗室和半導體廠(chǎng)商利用這類(lèi)測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強工程師也是極其重要的，
- 關(guān)鍵字： 吉時(shí)利 C-V測試 半導體 MOSFET MOSCAP
Linear 推出同步降壓型 DC/DC 控制器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態(tài)電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個(gè)輸出有效時(shí)僅消耗 170uA 電流，而兩個(gè)輸出都有效時(shí)消耗 300uA。兩個(gè)輸出都關(guān)斷時(shí)，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車(chē)和筆記本電腦應用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對負載突降和冷車(chē)發(fā)動(dòng)情況所常見(jiàn)的汽車(chē)寬輸入電壓瞬變提供保護作用，并涵蓋多種電池化學(xué)組成。輸出電流高達 20A
- 關(guān)鍵字： Linear MOSFET 控制器
NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng )立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無(wú)損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴苛應用條件下
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專(zhuān)用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件
- Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類(lèi)放大器輸出級以及其他多種48V應用。 Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權指出：“這個(gè)N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數目，同時(shí)簡(jiǎn)化柵極驅動(dòng)電路設計。比方說(shuō)，SO8充分發(fā)揮了
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMC10A816
Diodes推出新型MOSFET 半橋器件
- Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數量和PCB尺寸，極大地簡(jiǎn)化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設計。 Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型MOSFET，可取代四個(gè)分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個(gè)SO8 互補MOSFET 封裝。對于現有不同類(lèi)型的電機或其它感性負載驅動(dòng)裝置來(lái)說(shuō)，這意味著(zhù)可節省至少一半的PCB占板面積，同時(shí)大幅降低整體存貨成本?！? ZXM
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 半橋器件 ZXMHC SO8
Maxim推出低電壓、降壓調節器
- Maxim推出內置升壓開(kāi)關(guān)的低電壓、降壓調節器MAX17083。該器件專(zhuān)為空間緊張的應用而設計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開(kāi)關(guān)。內部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續負載電流，在保證高效率的同時(shí)減少了元件數量。MAX17083無(wú)需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進(jìn)一步節省了空間和成本。這款小型降壓調節器理想用于超便攜移動(dòng)PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。 MAX17083采用電流模式
- 關(guān)鍵字： Maxim 降壓調節器 MAX17083 MOSFET
英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列
- 今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會(huì )上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內領(lǐng)先的導通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負載條件下，降低開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、電機控制和快速開(kāi)關(guān)D類(lèi)功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。 OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開(kāi)關(guān)模式電源(譬如面向全球市場(chǎng)的臺式機和計算機服務(wù)器裝備的電源)的同步整流的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS
IR推出AUIRS2003S 200V IC
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車(chē)應用，包括汽車(chē)預電充開(kāi)關(guān)、步進(jìn)驅動(dòng)器和DC-DC轉換器。 AUIRS2003S符合AEC-Q100標準，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅動(dòng)器，并備有高、低側參考輸出通道，適用于惡劣的汽車(chē)環(huán)境及引擎罩下的應用。這款輸出驅動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅動(dòng)器跨導降至最低，而浮動(dòng)通道可在最高200V的高側配置中驅動(dòng)一個(gè) N 溝道功率MOSFET。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅動(dòng)器IC
IR推出增強型25V及30V MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網(wǎng)絡(luò )領(lǐng)域的計算應用。 新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗證的硅技術(shù)，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿(mǎn)載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉換損耗也有助于實(shí)現高效率
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 硅技術(shù)
MOSFET封裝節省占板空間并提高充電器性能
- Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設備的開(kāi)關(guān)。 Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個(gè)20V的P溝道增強模式MOSFET與一個(gè)配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個(gè)相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。 與傳統便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DFN封裝
飛兆推出可將導通電阻降低50％的100V MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數 (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進(jìn)的PowerTrench® 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時(shí)保持優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和穩健性
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應用。 新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實(shí)現非常低的RDS(on) ，顯著(zhù)改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來(lái)更多防護頻帶，并可減少由
- 關(guān)鍵字： IR 溝道 MOSFET
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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