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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng )立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無(wú)損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴苛應用條件下
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Diodes推出新型MOSFET 半橋器件
- Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數量和PCB尺寸，極大地簡(jiǎn)化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設計。 Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型MOSFET，可取代四個(gè)分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個(gè)SO8 互補MOSFET 封裝。對于現有不同類(lèi)型的電機或其它感性負載驅動(dòng)裝置來(lái)說(shuō)，這意味著(zhù)可節省至少一半的PCB占板面積，同時(shí)大幅降低整體存貨成本?！? ZXM
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 半橋器件 ZXMHC SO8
意法半導體推出采用SO8窄封裝的SPI串口EEPROM存儲器芯片
- 意法半導體推出一款采用外殼寬度僅為150-mil (3.8mm)的微型SO8N封裝、支持SPI（串行外設接口）總線(xiàn)的1兆位串口EEPROM存儲器芯片— 目前市場(chǎng)上唯一的在如此小的封裝內放進(jìn)如此高密度的SPI串口EEPROM存儲器。除窄封裝外，新產(chǎn)品M95M01還有一個(gè)SO8W寬封裝版。該產(chǎn)品是為參數快速變化的存儲應用專(zhuān)門(mén)設計的，例如：數字電視、DVD影碟機、游戲機以及醫療設備、工控機、汽車(chē)信息娛樂(lè )和計算機外設等。存儲密度從1千位一直到1兆位，ST的
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 意法半導體 SO8 SPI串口 模擬IC 傳感器 執行器
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