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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
運用MOSFET實(shí)現完美安全系統
- 車(chē)上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動(dòng)馬達，許多組件的多元應用，不僅提供了各式各樣的高負載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車(chē)所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車(chē)上電子系統的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統所造成損害。 另外，在一般汽車(chē)行駛的情況下，一旦出現了車(chē)上的組件出現故障狀況，將導致汽車(chē)上的電路系統發(fā)生短路，或電源無(wú)法供電。在遠程傳感器中采用車(chē)用金屬氧化半導體場(chǎng)效晶體管（Metal
- 關(guān)鍵字： MOSFET 安全系統
MOSFET開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)的示波器重現方法
- MOSFET的開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)是判斷MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開(kāi)關(guān)電源的性...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 損耗 開(kāi)關(guān) 動(dòng)態(tài) 截至 飽和
Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅動(dòng)器
- Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅動(dòng)器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護功能。 Intersil 公司此次推出的新型驅動(dòng)器增加了柵極驅動(dòng)電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅動(dòng)電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時(shí)間。這將最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
- 關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 驅動(dòng)器 柵極驅動(dòng)電流
大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計
- 大功率線(xiàn)性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無(wú)線(xiàn)電子通訊系統中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著(zhù)現代無(wú)線(xiàn)通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴頻技術(shù)對固態(tài)線(xiàn)性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。 通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應管(FET)設計要比使用常規功率晶體管設計方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會(huì )有太大的偏差，易
- 關(guān)鍵字： 放大器 寬帶射頻 MOSFET
探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案
- 人體信息監控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們設想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監控設備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現家庭監護。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個(gè)不小的挑戰。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù)，它的開(kāi)發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統體積以及將低功耗處理技術(shù)、無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來(lái)，在已有系統上增加一個(gè)帶太陽(yáng)能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。
- 關(guān)鍵字： SiC EEG 生物電信號采集 IMEC
Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動(dòng)器系列
- Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動(dòng)器系列，用于開(kāi)關(guān)電源和電機驅動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅動(dòng)器IC更快，有助于加快開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高電路效率。 該系列包含4款高速非反向柵極驅動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開(kāi)關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對MOSFET開(kāi)關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
- 關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
讀取隔離端數字狀態(tài)無(wú)需附加電源(06-100)
- 電子系統常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進(jìn)行隔離,比如在醫療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當然需要隔離的應用場(chǎng)合還很多，如采集爆炸現場(chǎng)參數的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。 在這些應用中,通常需要采集被隔離電路的數字線(xiàn)上的一些狀態(tài)參數, 傳統的辦法是采用光耦得以實(shí)現.然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉換時(shí)間長(cháng)(或動(dòng)態(tài)響應慢)，再者,隨著(zhù)光發(fā)射器老化，其光電轉換增益將隨時(shí)間減小。 采用圖1所示電
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET RC DATA_IN
NXP推出的高性能小信號MOSFET SOT883
- 恩智浦半導體（NXP Semiconductors）發(fā)布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的SOT883進(jìn)行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應用而設計，包括DC/DC電源轉換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設備的負載開(kāi)關(guān)。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開(kāi)關(guān)速度和非常低的Rds(on)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
什么是MOSFET
- “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，譯成中文是“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。 MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過(guò)G、S間加控制信號時(shí)可以改變D、S間的導通和截止。功率MO
- 關(guān)鍵字： MOSFET
可降低油耗的汽車(chē)電子系統
- 我們如何才能使汽車(chē)駕駛室具備更多的功能，使發(fā)動(dòng)機具有更大的功率，同時(shí)還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導通電阻功率 MOSFET將汽車(chē)中傳統的電力系統和液壓系統改為電子系統，這些MOSFET不但可以提高汽車(chē)的舒適性和安全性，還能夠提高燃油的行駛距離。 發(fā)動(dòng)機不僅僅要讓汽車(chē)在路上行駛，還要為整個(gè)汽車(chē)系統提供動(dòng)力?，F在人們對汽車(chē)的娛樂(lè )性、舒適性及安全性的要求越來(lái)越高。通過(guò)深入分析發(fā)現，對于一輛普通的汽車(chē)，每加侖的汽油所產(chǎn)生的能量最終用在車(chē)輪行駛上的不到15%，而大部分的能量
- 關(guān)鍵字： MOSFET 油耗
MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
- 一個(gè)采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿(mǎn)足負載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應要求。 與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著(zhù)一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預見(jiàn)的未來(lái)，開(kāi)關(guān)速度正在逐步成為負載點(diǎn)(pol)電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開(kāi)關(guān)速度是滿(mǎn)足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
- 關(guān)鍵字： MOSFET POL 電源 放大器
Maxim推出內置低導通阻抗開(kāi)關(guān)的高效率雙路3A/5A降壓調節器
- Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業(yè)界第一款具有以下功能的降壓型調節器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內置開(kāi)關(guān)可最大程度節省空間。除了節省空間外，器件由于采用內部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實(shí)現的。在低壓應用中，分立的競爭方案需要更高電壓實(shí)現完全導通，相比較而言，內部MOSFET則可提供更優(yōu)異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導通阻抗，可以以超過(guò)1M
- 關(guān)鍵字： Maxim 調節器 MOSFET 其他IC 制程
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