EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
sic mosfet
sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： InternationalRectifier HEXFET MOSFET
基于漏極導通區特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程
- 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀(guān)明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 漏極 導通 開(kāi)關(guān)過(guò)程
如何進(jìn)行OLED電源設計
- 有些設計者為了追求較高的轉換效率, 選擇了升壓方式，產(chǎn)生一組高于輸入的穩定輸出, 如圖三的升壓架構。由于功率開(kāi)關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的升壓轉換器，如MAX1722, 可有效節省空間、降低成本。 手機Vdd解決方案 對于手機Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個(gè)內置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的同步降壓結構，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達1.2MHz, 允許設計者選用小尺寸的電感和輸出電容,
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源 OLED
尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
- 0 引言 近幾年，隨著(zhù)電子消費產(chǎn)品需求的日益增長(cháng)，功率MOSFET的需求也越來(lái)越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開(kāi)關(guān)損耗及較快的開(kāi)關(guān)速度，被廣泛地應用在低壓功率領(lǐng)域。 低壓TMOS的導通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導通電阻，同時(shí)不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽
- 關(guān)鍵字： MOSFET
安森美半導體推出8款新器件用于消費和工業(yè)應用
- 2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專(zhuān)門(mén)為中等電壓開(kāi)關(guān)應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅動(dòng)、LED驅動(dòng)器、電源、轉換器、脈寬調制(PWM)控制和橋電路中，這些應用講究二極管速度和換向安全工作區域(SOA)，安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應用受未預料的電壓瞬態(tài)影響。 這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
- 關(guān)鍵字： 安森美半導體 MOSFET
Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作
- Diodes Incorporated全面擴展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列，加入能夠在各種消費、通信、計算及工業(yè)應用中發(fā)揮負載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標準封裝的互補MOSFET。 這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現有器件兼容，性?xún)r(jià)比具有競爭優(yōu)勢，不僅能減少物料清單，還能在無(wú)需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
詳細講解MOSFET管驅動(dòng)電路
- 在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 結構 開(kāi)關(guān) 驅動(dòng)電路
基于MOSFET內部結構設計優(yōu)化驅動(dòng)電路
- 功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達控制等電子系統中的應用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 結構 開(kāi)關(guān) 馬達 驅動(dòng)電路
IR推出25W至500W可擴展輸出功率D類(lèi)音頻功率放大器參考設計
- 國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR） 推出針對每通道25W以上D類(lèi)音頻放大器的IRAUDAMP7參考設計，適用于包括家庭影院設備、樂(lè )器和汽車(chē)娛樂(lè )系統等應用。IRAUDAMP7的功率范圍為25W至500W，為單層PCB提供了高度的擴展性。 IRAUDAMP7S 120W雙通道、半橋式設計可以實(shí)現120W 8歐姆D類(lèi)音頻放大器91%的效率，在頻率1 kHz的60W 8歐姆時(shí)的THD+N為0.005% （均為典型） .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
- 關(guān)鍵字： IR D類(lèi)音頻放大器 參考設計 MOSFET
中國功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
- 在中國中，電源|穩壓器管理IC仍舊占據市場(chǎng)首要位置，（金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷(xiāo)售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷(xiāo)售額雖然不大，但隨著(zhù)其在工業(yè)控制、消費電子領(lǐng)域中應用的不斷增多，其市場(chǎng)銷(xiāo)售額保持著(zhù)較快的增長(cháng)，是中國功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。 從應用領(lǐng)域上看，消費電子領(lǐng)域銷(xiāo)售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計算機領(lǐng)域銷(xiāo)售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷(xiāo)售額占整體市場(chǎng)的68.9%，是功率器件的重要應用市場(chǎng)。同時(shí)，憑借筆記本電腦
- 關(guān)鍵字： MOSFET 功率晶體管 消費電子 IC LDO 液晶電視
SiC二極管逆變器投入應用，讓燃料電池車(chē)更輕
- 日產(chǎn)汽車(chē)開(kāi)發(fā)出了采用SiC二極管的汽車(chē)逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車(chē)“X-TRAIL FCV”上，并開(kāi)始行駛實(shí)驗。通過(guò)把二極管材料由原來(lái)的Si變更為SiC，今后有望實(shí)現逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動(dòng)汽車(chē)而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。 SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場(chǎng)比Si大1位數左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場(chǎng)3次方成反比。導通電阻小，因此可
- 關(guān)鍵字： 二極管 SiC 汽車(chē) 逆變器 日產(chǎn)
Micrel推出兩款新型同步降壓調節器
- 麥克雷爾公司 （Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，為其 HyperLight Load（TM） 同步降壓調節器家族增添了兩名新成員。這項在 MIC23030/1 中實(shí)施的專(zhuān)利架構能為便攜式產(chǎn)品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調節器內置 MOSFET，可在一個(gè)1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R） 封裝中提供高達4億安的輸出電流，而損耗量?jì)H為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load（TM） 降壓調節器能夠實(shí)現高達93
- 關(guān)鍵字： 麥克雷爾 Micrel 降壓調節器 MOSFET
sic mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
sic mosfet電路
sic mosfet相關(guān)帖子
sic mosfet資料下載
sic mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473