飛兆推出可將導通電阻降低50％的100V MOSFET

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數 (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進(jìn)的PowerTrench® 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時(shí)保持優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和穩健性。相比柵級電荷相同的現有解決方案，這一專(zhuān)有工藝技術(shù)提供了業(yè)界最低的RDS (ON) (8 mΩ)，使FDMS86101得以減小導通損耗，而不會(huì )受到較高柵級電荷的影響。以太網(wǎng)、刀片服務(wù)器和電信應用正逐漸從12V轉向48V電源，對于優(yōu)化開(kāi)關(guān)效率的需求變得越來(lái)越重要。

　　PowerTrench MOSFET 內置增強型軟體 (soft-body) 二極管，可以減小開(kāi)關(guān)噪聲并降低應用的EMI 敏感性。這項功能可以節省線(xiàn)路板空間和減少組件數目，而許多替代解決方案卻需要加入一個(gè)緩沖器網(wǎng)絡(luò )才能減小開(kāi)關(guān)噪聲尖峰。

　　FDMS86101是飛兆半導體全面的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一員，能夠滿(mǎn)足當今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求，有助于實(shí)現更高的能效。飛兆半導體性能先進(jìn)的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)能夠實(shí)現非常低的米勒電荷(QGD)、RDS(on) 和總柵極電荷 (QG)，從而獲得出色的開(kāi)關(guān)性能和熱效率。