IR推出增強型25V及30V MOSFET
—— 適用于負載點(diǎn)同步降壓轉換器應用
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時(shí)間：2009-05-15
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網(wǎng)絡(luò )領(lǐng)域的計算應用。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/94404.htm新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗證的硅技術(shù)，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿(mǎn)載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉換損耗也有助于實(shí)現高效率。
IR 亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝，可比 SO-8封裝提供更高的功率密度，同時(shí)保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過(guò)‘二合一’交換來(lái)減少元件數目，滿(mǎn)足不同應用的要求。”
單雙 N通道 MOSFET 現已開(kāi)始供應。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外，單個(gè) N通道器件也可在高量產(chǎn)時(shí)實(shí)現優(yōu)化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝，而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) ，可以不含鹵素。
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