qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區

三星公司硬盤(pán)產(chǎn)業(yè)疲軟試圖轉向QLC閃存生產(chǎn)

　　三星方面宣布其將推出4層單元閃存，即QLC NAND芯片。目前容量最高的閃存單元是具有每單元容納3 bits的TLC(三層單元)。然而由于QLC芯片所用材料較TLC而言，其讀寫(xiě)速度更慢且使用壽命也更低，所以QLC芯片的制備難度也隨之增大。　　　　SSD可并行訪(fǎng)問(wèn)多塊晶片以提升訪(fǎng)問(wèn)速度，同時(shí)還能夠憑借冗余配置以延長(cháng)其耐用性。　　迄今為止，東芝公司與西部數據公司，東芝方面的代工合作伙伴已經(jīng)開(kāi)始運行配有768 Gbit容量的QLC芯片產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)。而如果該合資企業(yè)沒(méi)有因為東芝方
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群聯(lián)潘健成：未來(lái)五年 NAND供不應求

　　內存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會(huì )補選一席董事，由日商東芝內存株式會(huì )社(TMC)當選。在市場(chǎng)供需方面，群聯(lián)董事長(cháng)潘健成樂(lè )觀(guān)表示，未來(lái)五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續供不應求。　　臺灣東芝先進(jìn)半導體因集團組織調整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開(kāi)股東臨時(shí)會(huì )補選，并順利由東芝內存株式會(huì )社當選。　　潘健成表示，東芝內存主導負責東芝的全球半導體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權移轉給東芝內存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過(guò)合作互補，強化技術(shù)，雙方關(guān)系將比過(guò)去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競
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2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉為平衡

　　根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng)，加上供給面受到制程轉進(jìn)進(jìn)度不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第三季起已持續六個(gè)季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長(cháng)37.7%，明年整體供需狀況將轉為供需平衡。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來(lái)看，因為NAND制程從2D轉進(jìn)3D不如預期，導致2017年非三星陣營(yíng)的新
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NAND閃存市場(chǎng)持續高漲，NAND閃存市場(chǎng)持續高漲，2020年將超DRAM

9月6日，深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(China Flash Market Summit 2017)，本文根據部分會(huì )議內容整理了國內外NAND閃存及部分非易失存儲器市場(chǎng)信息。
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2017年全球存儲市場(chǎng)規模將達950億美元

　　日前，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的、以“中國存儲全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )在深圳圓滿(mǎn)落幕。本次峰會(huì )齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、?？荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓，一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機會(huì )。峰會(huì )吸引全球近700家企業(yè)參會(huì )，其中包括東芝、西部數據、SK海力士、長(cháng)江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì )，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車(chē)、工業(yè)、大數據應用等，參會(huì )觀(guān)眾超
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東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

　　集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預期延宕，對于NAND Flash市場(chǎng)的產(chǎn)能影響，預期要到明年上半年才會(huì )趨于明顯;中長(cháng)期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(INCJ)財團、
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東芝半導體如此多嬌，引無(wú)數科技大佬競折腰

到底為什么東芝半導體可以引起如此大的波瀾?產(chǎn)品和技術(shù)有什么過(guò)人之處?鴻海為首的“不差錢(qián)”軍團又希望從東芝半導體得到什么?小編給你一一說(shuō)明。
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CFM：原廠(chǎng)加碼投資擴產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場(chǎng)仍缺貨到年底

　　9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿(mǎn)落幕。本次峰會(huì )除了齊聚國內外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導?！　‘斕煳蚪?00家企業(yè)參會(huì )，其中包括西部數據、SK海力士、長(cháng)江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì )，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
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莫大康：中國半導體業(yè)要奮力突圍

　　與美國在半導體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。　　01引言　　近期華爾街日報撰文“中國的下一個(gè)目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場(chǎng)，歪曲事實(shí)。　　此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義：　　一個(gè)是差距大，希望迅速的成長(cháng)，至多是擴大芯片的自給率。　　另一個(gè)是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進(jìn)步
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狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產(chǎn)

　　2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過(guò)臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規模，三星為確保新產(chǎn)能如期開(kāi)出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長(cháng)約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶(hù)自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。　　三星為因應DRAM和3DNAND市場(chǎng)強勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長(cháng)短，搶
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三星電子波瀾再起 NAND芯片市場(chǎng)風(fēng)云變幻

　　8月28日，三星電子宣布，未來(lái)將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò)，三星稱(chēng)，“此筆投資意在滿(mǎn)足NAND芯片市場(chǎng)的需求。”可是，三星的投資真的只為滿(mǎn)足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎? 　　波瀾的背后　　據2017年第二季度財報顯示，三星電子營(yíng)收額高達554.1億美元，同比增長(cháng)19%，并且，三星電子以銷(xiāo)售額14億美元的成績(jì)拿下45.9%的NAND Flash市占有率。　　有業(yè)者分析稱(chēng)，三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋(píng)果等其他電子類(lèi)產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛，同時(shí)其
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第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)8%，第三季價(jià)格續揚

　　集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線(xiàn)合約價(jià)平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內的eMMC/UFS以及SSD合約價(jià)仍持續小漲，2017年將是NAND Flash廠(chǎng)商營(yíng)收表現成果豐碩的一年。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠(chǎng)紛紛轉進(jìn)垂直堆棧
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DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

　　開(kāi)年以來(lái)大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長(cháng)江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過(guò)32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來(lái)是中芯國際董事長(cháng)周子學(xué)表達的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時(shí)間，大陸才能發(fā)展出比較有市場(chǎng)競爭力的企業(yè)主體。再來(lái)是最近紫光集團表示，由于長(cháng)江存儲的存儲器芯片工廠(chǎng)專(zhuān)案投資規模過(guò)大，目前尚處于建設初期，短期無(wú)法產(chǎn)生銷(xiāo)售收入，時(shí)機不成熟，停止收購長(cháng)江存儲的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)持續其發(fā)展動(dòng)能，但
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三大內存創(chuàng )最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產(chǎn)能

　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會(huì )一直缺貨到明年，許多客戶(hù)搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。業(yè)界指出，未簽訂長(cháng)約的客戶(hù)，內存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。　　集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現，缺貨問(wèn)題更嚴重。　　業(yè)界表示，三大內存應用范圍廣，尤其N(xiāo)OR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價(jià)遠比DRAM
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各家爭鳴存儲器技術(shù)標準儲存技術(shù)之爭再掀戰火

　　在2017年快閃存儲器高峰會(huì )(Flash Memory Summit)上，可見(jiàn)各主要NAND Flash供應商持續推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應商也都在談?wù)摵?jiǎn)化Flash儲存系統內建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時(shí)出現的延遲問(wèn)題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(pán)(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會(huì )上甚至連主要硬盤(pán)(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說(shuō)中提及硬盤(pán)相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。　　根據科技網(wǎng)站EE Times報導，在本屆大會(huì )上，三星電子(Samsung Electr
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