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qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區
三星公司硬盤(pán)產(chǎn)業(yè)疲軟 試圖轉向QLC閃存生產(chǎn)

- 三星方面宣布其將推出4層單元閃存,即QLC NAND芯片。目前容量最高的閃存單元是具有每單元容納3 bits的TLC(三層單元)。然而由于QLC芯片所用材料較TLC而言,其讀寫(xiě)速度更慢且使用壽命也更低,所以QLC芯片的制備難度也隨之增大。 SSD可并行訪(fǎng)問(wèn)多塊晶片以提升訪(fǎng)問(wèn)速度,同時(shí)還能夠憑借冗余配置以延長(cháng)其耐用性。 迄今為止,東芝公司與西部數據公司,東芝方面的代工合作伙伴已經(jīng)開(kāi)始運行配有768 Gbit容量的QLC芯片產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)。而如果該合資企業(yè)沒(méi)有因為東芝方
- 關(guān)鍵字: 三星 QLC
群聯(lián)潘健成:未來(lái)五年 NAND供不應求
- 內存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會(huì )補選一席董事,由日商東芝內存株式會(huì )社(TMC)當選。在市場(chǎng)供需方面,群聯(lián)董事長(cháng)潘健成樂(lè )觀(guān)表示,未來(lái)五年,儲存型閃存(NANDFlash)將持續供不應求。 臺灣東芝先進(jìn)半導體因集團組織調整,今年8月1日辭去群聯(lián)董事,群聯(lián)昨日召開(kāi)股東臨時(shí)會(huì )補選,并順利由東芝內存株式會(huì )社當選。 潘健成表示,東芝內存主導負責東芝的全球半導體事業(yè),東芝已將群聯(lián)股權移轉給東芝內存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資,也透過(guò)合作互補,強化技術(shù),雙方關(guān)系將比過(guò)去15年更加緊密,在產(chǎn)業(yè)的競
- 關(guān)鍵字: NAND
2018年NAND Flash供給年增42.9%,全年度供需由緊俏轉為平衡
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng),加上供給面受到制程轉進(jìn)進(jìn)度不如預期的影響下,供不應求的狀況自2016年第三季起已持續六個(gè)季度;展望2018年,NAND Flash供給將增加42.9%,需求端將成長(cháng)37.7%,明年整體供需狀況將轉為供需平衡。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,從NAND Flash的供給面來(lái)看,因為NAND制程從2D轉進(jìn)3D不如預期,導致2017年非三星陣營(yíng)的新
- 關(guān)鍵字: NAND 西數
2017年全球存儲市場(chǎng)規模將達950億美元
- 日前,由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )在深圳圓滿(mǎn)落幕。本次峰會(huì )齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、??荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓,一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機會(huì )。峰會(huì )吸引全球近700家企業(yè)參會(huì ),其中包括東芝、西部數據、SK海力士、長(cháng)江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì ),涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車(chē)、工業(yè)、大數據應用等,參會(huì )觀(guān)眾超
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存
東芝宣布出售予美日聯(lián)盟,加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟,,由于此出售案較預期延宕,對于NAND Flash市場(chǎng)的產(chǎn)能影響,預期要到明年上半年才會(huì )趨于明顯;中長(cháng)期而言,在資金到位的情況下,將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(INCJ)財團、
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CFM:原廠(chǎng)加碼投資擴產(chǎn)64層3D NAND,然部分市場(chǎng)仍缺貨到年底

- 9月6日,由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿(mǎn)落幕。本次峰會(huì )除了齊聚國內外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講,其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導?! ‘斕煳蚪?00家企業(yè)參會(huì ),其中包括西部數據、SK海力士、長(cháng)江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì ),涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存
莫大康:中國半導體業(yè)要奮力突圍
- 與美國在半導體先進(jìn)工藝制程等方面的差距,不僅表現在人材,技術(shù)等方面,可能更大的差距在于綜合的國力,以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善,所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。 01引言 近期華爾街日報撰文“中國的下一個(gè)目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚,它是站在美方的立場(chǎng),歪曲事實(shí)。 此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”,有兩層意義: 一個(gè)是差距大,希望迅速的成長(cháng),至多是擴大芯片的自給率。 另一個(gè)是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進(jìn)步
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產(chǎn)
- 2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃,預計資本支出上看150億~220億美元,遠超過(guò)臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規模,三星為確保新產(chǎn)能如期開(kāi)出,近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長(cháng)約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶(hù)自2018年起硅晶圓供應量將減少30%,主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。 三星為因應DRAM和3DNAND市場(chǎng)強勁需求,加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程,企圖與臺積電一較長(cháng)短,搶
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
三星電子波瀾再起 NAND芯片市場(chǎng)風(fēng)云變幻

- 8月28日,三星電子宣布,未來(lái)將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò),三星稱(chēng),“此筆投資意在滿(mǎn)足NAND芯片市場(chǎng)的需求。”可是,三星的投資真的只為滿(mǎn)足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎? 波瀾的背后 據2017年第二季度財報顯示,三星電子營(yíng)收額高達554.1億美元,同比增長(cháng)19%,并且,三星電子以銷(xiāo)售額14億美元的成績(jì)拿下45.9%的NAND Flash市占有率。 有業(yè)者分析稱(chēng),三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋(píng)果等其他電子類(lèi)產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛,同時(shí)其
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)8%,第三季價(jià)格續揚

- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,今年第二季整體NAND Flash市況持續受到供貨吃緊的影響,即便處于傳統NAND Flash的淡季,各產(chǎn)品線(xiàn)合約價(jià)平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內的eMMC/UFS以及SSD合約價(jià)仍持續小漲,2017年將是NAND Flash廠(chǎng)商營(yíng)收表現成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制,NAND Flash原廠(chǎng)紛紛轉進(jìn)垂直堆棧
- 關(guān)鍵字: NAND 東芝
DIGITIMES:聲光暫掩的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況
- 開(kāi)年以來(lái)大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長(cháng)江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清,表示從未發(fā)表過(guò)32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來(lái)是中芯國際董事長(cháng)周子學(xué)表達的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1),指出要花至少15年的時(shí)間,大陸才能發(fā)展出比較有市場(chǎng)競爭力的企業(yè)主體。再來(lái)是最近紫光集團表示,由于長(cháng)江存儲的存儲器芯片工廠(chǎng)專(zhuān)案投資規模過(guò)大,目前尚處于建設初期,短期無(wú)法產(chǎn)生銷(xiāo)售收入,時(shí)機不成熟,停止收購長(cháng)江存儲的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)持續其發(fā)展動(dòng)能,但
- 關(guān)鍵字: 摩爾定律 NAND
三大內存創(chuàng )最缺且漲勢最久紀錄,手機品牌包產(chǎn)能
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會(huì )一直缺貨到明年,許多客戶(hù)搶貨,已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出,未簽訂長(cháng)約的客戶(hù),內存供貨將短缺,沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。 集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告,強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現,缺貨問(wèn)題更嚴重。 業(yè)界表示,三大內存應用范圍廣,尤其N(xiāo)OR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件,雖然單價(jià)遠比DRAM
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
各家爭鳴存儲器技術(shù)標準 儲存技術(shù)之爭再掀戰火
- 在2017年快閃存儲器高峰會(huì )(Flash Memory Summit)上,可見(jiàn)各主要NAND Flash供應商持續推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優(yōu)勢,幾乎各主要供應商也都在談?wù)摵?jiǎn)化Flash儲存系統內建軟件的必要性,以減少應用在資料中心時(shí)出現的延遲問(wèn)題,以及試圖定義固態(tài)硬盤(pán)(SSD)全新尺寸標準,另值得注意的是,本屆大會(huì )上甚至連主要硬盤(pán)(HD)制造商,都已幾乎不在主題演說(shuō)中提及硬盤(pán)相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。 根據科技網(wǎng)站EE Times報導,在本屆大會(huì )上,三星電子(Samsung Electr
- 關(guān)鍵字: 存儲器 NAND
qlc nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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