狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產(chǎn)

　　2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過(guò)臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規模，三星為確保新產(chǎn)能如期開(kāi)出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長(cháng)約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶(hù)自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。

　　三星為因應DRAM和3DNAND市場(chǎng)強勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長(cháng)短，搶回蘋(píng)果(Apple)處理器芯片訂單，三星2017年資本支出估計將高達150億~220億美元，且上半年資本支出已達110億美元，較2016年同期成長(cháng)3倍。

　　不過(guò)，全球硅晶圓產(chǎn)業(yè)卻面臨10年以來(lái)的最大缺口，全球半導體廠(chǎng)陷入搶貨狂潮，無(wú)論是臺積電、三星、英特爾之間的7納米制程戰火，或是2017年躍升主流且由三星、美光(Micron)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SKHynix)聯(lián)手啟動(dòng)的3DNAND大戰，甚至是大陸蓄勢待發(fā)將有超過(guò)20座的半導體晶圓廠(chǎng)，都苦陷硅晶圓缺貨潮。

　　近期業(yè)界傳出三星為確保新增的邏輯芯片、3DNAND及DRAM等產(chǎn)能擁有充足的硅晶圓貨源，讓2018年下半及2019年新產(chǎn)能如期開(kāi)出，三星開(kāi)始與環(huán)球晶、信越、SUMCO、Siltronic等硅晶圓供應商洽談長(cháng)約，有意包下硅晶圓產(chǎn)能。

　　硅晶圓業(yè)者表示，未來(lái)兩年三星在邏輯芯片、3DNAND、DRAM等芯片新增產(chǎn)能，預計每月可達20萬(wàn)片12吋晶圓，合計現有的12吋晶圓產(chǎn)能需求，估計到2019年三星每月需要的12吋晶圓將高達100萬(wàn)片，因此，三星對于鞏固硅晶圓產(chǎn)能相當重視。

　　近期環(huán)球晶開(kāi)始通知半導體客戶(hù)，2018年硅晶圓供貨量將減少30%，讓客戶(hù)十分恐慌，并開(kāi)始向信越、SUMCO、Siltronic等其他供應商求助，更加重市場(chǎng)缺貨氛圍，業(yè)界猜測環(huán)球晶應是獲得重要客戶(hù)的大訂單，才會(huì )減少現有客戶(hù)的配貨量，并推測該客戶(hù)便是三星。

　　環(huán)球晶借由購并Sunedison在半導體硅晶圓領(lǐng)域獲得充分產(chǎn)能，而Sunedison原本就是三星主要的硅晶圓供應商，環(huán)球晶借此購并案順利打入韓系客戶(hù)供應鏈。不過(guò)，之前Sunedison與三星簽長(cháng)約的價(jià)格十分低，預計該合約出貨已近尾聲，適逢這波史上最劇烈的硅晶圓缺貨潮，環(huán)球晶可望趁此和三星重談價(jià)格漂亮的新約，而三星為包下足夠產(chǎn)能將不惜一切代價(jià)。

　　近期三星擴產(chǎn)計劃包括擴大投資華城廠(chǎng)17號生產(chǎn)線(xiàn)的DRAM、3DNAND產(chǎn)能，以及加碼平澤廠(chǎng)3DNAND產(chǎn)能、大陸西安3DNAND擴產(chǎn)計劃等，原本預計2018年動(dòng)工的韓國18號生產(chǎn)線(xiàn)，也提前到2017年第4季動(dòng)工，并早一步搶下洛陽(yáng)紙貴的ASML極紫外光(EUV)機臺，該廠(chǎng)可望成為三星生產(chǎn)7納米邏輯芯片的主要基地。