DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

　　開(kāi)年以來(lái)大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長(cháng)江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過(guò)32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來(lái)是中芯國際董事長(cháng)周子學(xué)表達的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時(shí)間，大陸才能發(fā)展出比較有市場(chǎng)競爭力的企業(yè)主體。再來(lái)是最近紫光集團表示，由于長(cháng)江存儲的存儲器芯片工廠(chǎng)專(zhuān)案投資規模過(guò)大，目前尚處于建設初期，短期無(wú)法產(chǎn)生銷(xiāo)售收入，時(shí)機不成熟，停止收購長(cháng)江存儲的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)持續其發(fā)展動(dòng)能，但是較諸于2、3年前風(fēng)風(fēng)火火的在世界四處并購的意氣，頗有急景凋年的味道。

　　其實(shí)這是整體戰略經(jīng)過(guò)階段性實(shí)踐后的反思，也許對長(cháng)遠的發(fā)展是有益的。譬如當初長(cháng)江存儲發(fā)布研發(fā)32層3DNANDFlash時(shí)，我遠比年初看到它否認今年量產(chǎn)的消息還吃驚。長(cháng)江存儲NANDFlash據報導用的是Spansion的技術(shù)，批評者說(shuō)它原來(lái)只是NORFlash的制造商，2012后才跟Hynix合作NAND，這二者都錯了。Spansion與Hynix合作的是20nm、30nm和40nm嵌入式NAND，跟做stand-alone的存儲器技術(shù)差別很大，而且大概也不算成功。如果成功了，現在代工廠(chǎng)eMRAM就沒(méi)有問(wèn)世的迫切性。另外，Spansion在2007、08年也生產(chǎn)過(guò)NANDFlash，不過(guò)良率有待改善，而且速度較慢。速度慢對于3D應用障礙很大，因為3D就是容量大，元件運作慢或介面慢，容量大就白搭了。所以對當時(shí)公司的樂(lè )觀(guān)實(shí)在是一頭霧水。

　　“三步走”在發(fā)展時(shí)程上看法比較中肯?，F在邏輯制程的前沿是10nm，還有7nm(2018)、5nm(2020)與3nm(?)要走，這是看得到的，也許還可以有小延伸。在摩爾定律終結之前，后進(jìn)者的持續虧損近乎無(wú)可避免。代工如是、存儲器亦復如是。所以單純用商業(yè)投資的眼光來(lái)看，紫光的停止收購長(cháng)江存儲股權也是勢所必然。只是有個(gè)小注腳，要是我就不敢提“政府大力支持”、“國家資金支援”這等字眼。當初Hynix被各國懲以counter-veilingtax的殷鑒不遠。

　　但是大陸的持續大額半導體資金投入還是必要的，我認為投資的重點(diǎn)應該在運作環(huán)境、基礎設施以及人才培育上，而不在于追趕先進(jìn)制程，這樣可以少些花費;先進(jìn)制程反正幾年內追趕不上，但它終將緩慢下來(lái)而變得普及，這時(shí)候再追平費力少。大陸的半導體內需市場(chǎng)龐大，“中國制造2025”計劃中半導體產(chǎn)業(yè)自給率的指標為2020年達到40%，2025年達到70%。姑且不論這些時(shí)程是否可能，單只是從人數上有經(jīng)驗的人才必須再翻幾倍，只有從現在開(kāi)始大幅擴編，并且要在有經(jīng)營(yíng)、管理壓力的實(shí)作環(huán)境中培育才有可能。大量投資的可能虧損就當是基礎建設，來(lái)日再自?xún)敗?/p>

　　倒是后摩爾時(shí)代兩條研發(fā)主軸人工智能以及新物質(zhì)開(kāi)發(fā)，大陸的商業(yè)機構以及學(xué)術(shù)機構于此已有相當的基礎。與此二軸線(xiàn)配合的半導體制程節點(diǎn)產(chǎn)業(yè)界發(fā)軔于40nm、28nm，投入后可以立即加入市場(chǎng)競爭。這是經(jīng)濟產(chǎn)出比較高的研發(fā)，而且直接在后摩爾定律時(shí)代爭取領(lǐng)先生態(tài)區位。

　　態(tài)度的轉變雖是好事，卻也反應了另一個(gè)問(wèn)題。這幾年大陸積極招聘制程工程研發(fā)人才乃至于高端的經(jīng)營(yíng)管理人才。但是關(guān)于制高點(diǎn)的戰略層次似乎還在摸索的階段，而這方面人才的欠缺是最消耗資源的!