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旺宏NAND論文 獲國際肯定

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讓汽車(chē)更智能,適用于汽車(chē)遠程信息處理系統的全新 NAND+LPDDR4 MCP

  •   被譽(yù)為世界三大車(chē)展之一的東京車(chē)展于近日開(kāi)幕,來(lái)自全世界的主要汽車(chē)生產(chǎn)廠(chǎng)商通過(guò)展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來(lái)描繪下一代汽車(chē)發(fā)展藍圖,其中 “人工智能”、“自動(dòng)駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)界公認的未來(lái)的發(fā)展方向?! ±?,豐田展出的“愛(ài)i”系列,能憑借大量數據分析解駕駛員的日常習慣及行為模式,甚至判斷出駕駛員的興趣愛(ài)好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車(chē),豐田展示的依靠氫燃料電池提供動(dòng)力的大巴“SORA”,不僅助力環(huán)保,更在智能性方面有了極大提高。SORA內外搭載有8個(gè)高清晰攝像頭,能捕捉到周?chē)男腥?、?chē)輛
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圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

  • 中國存儲器后進(jìn)廠(chǎng)商 2018 年開(kāi)始產(chǎn)能逐步開(kāi)出,目前狀況到底如何?
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三星擴產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過(guò)剩

  •   三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元,其中,又將以3D NANDFlash為最大宗,研調機構IC Insights認為,3D NANDFlash恐將供過(guò)于求。   IC Insights預估,今年全球半導體資本支出金額將達908億美元,將成長(cháng)35%;其中,三星今年資本支出將倍增至260億美元,比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。   三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash),將達140億美元,IC Insights指出,三星將斥資70億美元,推進(jìn)動(dòng)態(tài)
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東芝第二財季運營(yíng)利潤增長(cháng)76% 芯片業(yè)務(wù)表現強勁

  •   11月9日消息,據國外媒體報道,日本東芝公司今天公布財報顯示,由于受到旗下內存芯片業(yè)務(wù)強勁業(yè)績(jì)的驅動(dòng),該公司本財年第二季度運營(yíng)利潤增長(cháng)了76%。最近,該公司同意將旗下內存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對外出售。   處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示,本財年7至9月份這個(gè)第二季度運營(yíng)利潤從上年同期的768.8億日元增長(cháng)至1250,8億日元(約合12億美元)。   這個(gè)業(yè)績(jì)好于分析師預期,湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據5位分析師預估,東芝本財年第二季度運營(yíng)利潤是1244.7億日
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機

  •   美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后,開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線(xiàn)廣度,日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成,將推出影像監控邊緣儲存解決方案,32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世,預計2018年第1季128GB和256GB版會(huì )開(kāi)始送樣,同年第2季量產(chǎn)。   美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn),除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域,也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應用,日前推出全系列的影像監控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合,以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。  
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機

  •   美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后,開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線(xiàn)廣度,日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成,將推出影像監控邊緣儲存解決方案,32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世,預計2018年第1季128GB和256GB版會(huì )開(kāi)始送樣,同年第2季量產(chǎn)。   美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn),除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域,也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應用,日前推出全系列的影像監控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合,以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。  
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IC Insights:全球半導體2017年上調市場(chǎng)預測提升至22%

  •   據IC Insights預測,2017年的IC市場(chǎng)增長(cháng)率有望提高到22%,較今年年中預期的16%再提升6個(gè)百分點(diǎn),出貨量增長(cháng)率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場(chǎng)預測是由于DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的激增。   此外,IC Insights同時(shí)調稿對O-S-D(光電子,傳感器/執行器和分立器件)市場(chǎng)的預測??傮w而言,2017年半導體產(chǎn)業(yè)整體預計增長(cháng)達20%,比年中預期調高5個(gè)百分點(diǎn)。   2017年,IC Insights預測DRAM的平均售價(jià)將大漲77%,預計今年將推動(dòng)DRAM
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DRAM/NAND都是啥?科普內存和硬盤(pán)的區別

  • DRAM/NAND都是啥?科普內存和硬盤(pán)的區別-現如今隨著(zhù)手機的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌,很多新生代的用戶(hù)都與手機的存儲就陷入了茫然。
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東芝受惡意攻擊導致NAND停產(chǎn):預估少生產(chǎn)40萬(wàn)TB容量

  •   援引DigiTimes報道,東芝的NAND部門(mén)近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊,被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線(xiàn)數周時(shí)間,這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。   DigiTimes消息稱(chēng)為了清除惡意程序,東芝公司的NAND生產(chǎn)線(xiàn)將停工3-6周時(shí)間才能恢復正常供應,預估將減少10萬(wàn)個(gè)wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預估假設這段停產(chǎn)時(shí)間正常生產(chǎn),能夠帶來(lái)5000萬(wàn)個(gè)芯片或者40萬(wàn)TB的NAND閃存。   近年來(lái)由于智能手機和服務(wù)器的需求不斷增大,NAND的售價(jià)也水漲船高。但是由于NAND廠(chǎng)商在生產(chǎn)
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DRAM漲潮再起 誰(shuí)才是真正贏(yíng)家?

  • DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現價(jià)格瘋漲現象,在NAND Flash以及DRAM市場(chǎng)漲潮不斷的這場(chǎng)角逐中,也許大家都是贏(yíng)家。
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基于magnum 2 測試系統的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究

  •   摘要:NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應用,然而在生產(chǎn)過(guò)程中出現壞塊和在使用過(guò)程中會(huì )出現壞塊增長(cháng)的情況,針對這種情況,本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法,實(shí)驗結果表明,此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外,針對NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數,如tREA(讀信號低電平到數據輸出時(shí)間)和tBERS(塊擦除時(shí)間)等,使用測試系統為器件施加適當的控制激勵,完成NAND FLASH的時(shí)序配合,從而達到器件性
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DRAM與NAND的區別及工作原理

  • DRAM與NAND的區別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較,弄清兩者的區別
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  RAM  

Nand Flash編程應用難點(diǎn)淺析

  •   Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種,為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數據的存儲,如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等?! ?989年,東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展,NAND應用越來(lái)越廣泛,但是大多數工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應用的一些難點(diǎn):分區、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
  • 關(guān)鍵字: Nand Flash  東芝  

3D NAND微縮極限近了嗎?

  • 隨著(zhù)平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多數人所想象的更短許多...
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  摩爾定律  
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qlc nand介紹

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