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qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區
東芝全球首發(fā)QLC 3D閃存：64層堆疊 單芯片1.5TB
- SLC(單比特)、MLC(雙比特)、TLC(三比特)之后，NAND閃存的第四種形態(tài)QLC終于正式出爐了。東芝今天發(fā)布了全球第一個(gè)采用每單元4比特位設計的QLC閃存，廉價(jià)的超大容量SSD將不再是夢(mèng)。 從TLC到QLC，雖然只是在同樣的電子單元內增加了一個(gè)比特位，但技術(shù)挑戰十分之大，因為需要雙倍的精度才能確保足夠高的穩定性、壽命和性能，不過(guò)一旦克服各種技術(shù)障礙，隨著(zhù)容量的大幅增加，單位成本也會(huì )繼續迅速下降。 東芝的這種新型BiCS閃存依然采用3D立體封裝，堆疊多達64層，每個(gè)Die的容量已經(jīng)做
- 關(guān)鍵字： 東芝 QLC
東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨投1800億增產(chǎn)3D NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠(chǎng)東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來(lái)?yè)尮祿行挠?SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場(chǎng)。 東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點(diǎn)」？
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門(mén)坎，預計將在未來(lái)18個(gè)月內成為市場(chǎng)主流... Western Digital(WD)內存技術(shù)執行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門(mén)坎。 在最近接受《EE Times》的訪(fǎng)問(wèn)中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開(kāi)創(chuàng )性技術(shù)」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產(chǎn)品線(xiàn)。 他預計今年WD約有一半的產(chǎn)品線(xiàn)都將采用3D
- 關(guān)鍵字： NAND 堆棧
三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，與此同時(shí)，三星還將擴展包含服務(wù)器、PC 與行動(dòng)裝置的儲存解決方案。 64 層 V-NAND 閃存用稱(chēng)為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩固領(lǐng)先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 其實(shí)，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶(hù)，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)，自此之后，三星持續朝行動(dòng)與消費型儲存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)新應用，務(wù)求與 I
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
若拿下東芝 郭董：優(yōu)先設廠(chǎng)美國
- 鴻海董事長(cháng)郭臺銘昨(12)日證實(shí)，將籌組美、日、臺夢(mèng)幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開(kāi)，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省高層，并強調，鴻海如果順利得標，海外市場(chǎng)將優(yōu)先考慮在美設內存芯片廠(chǎng)。 東芝半導體競標案進(jìn)入倒數計時(shí)，預計本周公布結果。 競標者之一鴻海動(dòng)作不斷，郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專(zhuān)訪(fǎng)。 郭董強調，如果鴻海順利標下東芝半導體事業(yè)，希望未來(lái)能在海外建立內存工廠(chǎng)，地點(diǎn)將優(yōu)先考慮美國。 郭臺銘補充，因為美國國內市場(chǎng)需求在當地還沒(méi)達到，
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項架構技術(shù)并不成熟。采SLC架構是在每個(gè)Cell中存儲1個(gè)bit的信息，以達到其穩定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾
NAND Flash下季度或史上最缺貨
- NAND Flash控制芯片與模塊廠(chǎng)群聯(lián)董事長(cháng)潘健成日前估計，接下來(lái)將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰，近日捧著(zhù)5000多萬(wàn)美元現金，大舉吃下某大廠(chǎng)釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。 群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時(shí)，建立的庫存水位一度超過(guò)三億美元，后來(lái)市場(chǎng)景氣于去年第3季開(kāi)始往上，價(jià)格走升，也讓該公司因此大賺。 潘健成提到，今年大概只有5月有機會(huì )多收貨，所以該公司在前兩個(gè)禮拜以現金買(mǎi)了大約5000多萬(wàn)美元的額外貨源，預計可供第3季使用。 群聯(lián)在今年4月時(shí)，手
- 關(guān)鍵字： NAND
2017第一季度NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收排名
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續第四季持續受到缺貨影響，即使第一季度為傳統NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內的行動(dòng)式存儲價(jià)格也呈現雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
Gartner：2016年全球半導體收入增長(cháng)2.6%
- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下，前二十五大半導體廠(chǎng)商總收入增加10.5%，表現遠優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(cháng)率?！ artner研究總監James Hines表示：“2016年半導體產(chǎn)業(yè)出現回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現疲軟，但下半年需求增強，定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長(cháng)的因素包括多項電子設備部門(mén)產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚及相對溫和的
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起 我國亟需建設自主存儲
- “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過(guò)開(kāi)放的專(zhuān)用連接、自由共享數據和允許非預期應用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周?chē)氖澜?，成為?lèi)似人類(lèi)的神經(jīng)系統 ”凱文·阿什頓說(shuō)(這個(gè)術(shù)語(yǔ)的發(fā)明者)。 在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱(chēng)為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來(lái)的十年中，將推動(dòng)NAND銷(xiāo)售，從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構及其與內存
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) NAND
東芝出售半導體導致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠
- 東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業(yè)，但競標者眾、過(guò)程冗長(cháng)，如此一來(lái)，韓國廠(chǎng)商反倒會(huì )成為最大受惠者? 韓聯(lián)社 24 日報導，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會(huì )讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產(chǎn)良機。 美國硬盤(pán)機制造巨擘 Western Digital(WD
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
中國必須建設自主存儲，為什么？
- 在即將到來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應用會(huì )非常廣泛，作用也會(huì )愈發(fā)重要，出現的各種裝置和新興應用都會(huì )用到NAND。
- 關(guān)鍵字： NAND 長(cháng)江存儲
東芝是大股東的群聯(lián)董事長(cháng)：東芝芯片會(huì )賣(mài)給日資
- 東芝半導體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對于東芝內存出售案，但長(cháng)期和東芝半導體合作的群聯(lián)董事長(cháng)潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買(mǎi)下。 他推斷最后結果，將會(huì )由日本境內私募基金或現有股東拿下，仍會(huì )維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數股權入股。 潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產(chǎn)不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢(qián)的事業(yè)體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財務(wù)危機的是核電事業(yè)，因此切割半導體事業(yè)獨立新公司
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
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