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美光對NAND Flash發(fā)布警告

  •    全球NAND型閃存(Flash)大廠(chǎng)美光(Micron)近來(lái)針對全球NAND Flash市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展發(fā)出警語(yǔ)表示,目前NAND Flash廠(chǎng)制程技術(shù)發(fā)展相當快速且先進(jìn),但微影技術(shù)無(wú)法跟上NAND Flash廠(chǎng)發(fā)展,尤其令人感到驚訝的是,微影設備商技術(shù)竟遠落后NAND Flash大廠(chǎng)數年,幾家NAND Flash廠(chǎng)商為于未來(lái)順利發(fā)展,還必須領(lǐng)先微影設備商,自行開(kāi)發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。   近來(lái)全球各大DRAM廠(chǎng)為能有效運用旗下晶圓廠(chǎng),加上NAND&
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NAND閃存供貨商搶食大餅

  • 根據國外媒體報導, NAND閃存市場(chǎng)上的競爭業(yè)者,包括Hynix、IM Flash與Toshiba等,最近都悄悄增加產(chǎn)量,并且準備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個(gè)領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭,也在準備因應市場(chǎng)上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現需要NAND的新應用,例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能,采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動(dòng)作頻仍,市場(chǎng)領(lǐng)導供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件,第二大供貨商 Toshi
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏(yíng)家

  • NAND閃存產(chǎn)業(yè)風(fēng)水輪流轉,變化相當快速,原本第一季度頭號存儲卡廠(chǎng)商SanDisk還被第二名的金士頓(Kingston)苦苦追趕,飽受價(jià)格大跌之苦,然經(jīng)過(guò)這一波缺貨潮的洗禮之后,SanDisk成為了閃存存儲卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏(yíng)家。從上游NAND閃存晶圓,到終端成品制造一條鞭掌握的模式,在缺貨時(shí)期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價(jià)格大跌、終端需求疲弱不振的影響,財報出現了赤字,SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬(wàn)美元,每股剛好損益平衡,第二季度受到了NAND閃
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NAND市況是“業(yè)內有史以來(lái)最糟糕的”

  • 根據iSuppli公司的正式消息,NAND閃存供應商所面臨的市況是業(yè)內有史以來(lái)最?lèi)毫拥?,并且這種狀況可能進(jìn)一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地,供應商們就不會(huì )抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價(jià)和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價(jià)有望下降35%到40%。這種戲劇性的價(jià)格下滑意味著(zhù)NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個(gè)整體將在今年第一季度遭遇運營(yíng)損失,該市場(chǎng)有史以來(lái)第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟學(xué)101法則 需求對降價(jià)呈現彈性的響應,市況惡劣的主要原因在于NAND供
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NAND近期市場(chǎng)形勢升級為“中性”

  • 對于受?chē)乐貎r(jià)格侵蝕打擊近六個(gè)月之久的NAND閃存供應商來(lái)說(shuō),現在有好消息但不是最好的消息:iSuppli公司已經(jīng)更新了近期該市場(chǎng)的形勢評級。 目前,iSuppli將2006年10月2日那一周以來(lái)一直保持的NAND供應商市場(chǎng)形勢評級自“負面”升為“中性”。就在兩周前,iSuppli還認為供應商的情況是有史以來(lái)最為糟糕的。但是峰回路轉—在持續惡劣條件的情況下,其拐點(diǎn)即將來(lái)臨。 iSuppli的NAND動(dòng)量指標—上周跟蹤各項決定市場(chǎng)狀態(tài)因素的指標向正臨界偏移,該現象是自2006年11月13日那一周后首次出現。
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NAND市場(chǎng)在一季度遭遇最慘痛經(jīng)歷

  • 一季度NAND閃存市場(chǎng)有多糟糕? 糟糕得驚人! •        全球NAND市場(chǎng)營(yíng)收下降了6.84億美元,相比2006年第四季度下降了20.6%! •        市場(chǎng)如此糟糕以至于一個(gè)被公認為該市場(chǎng)領(lǐng)軍供應商NAND的營(yíng)收在此期間下降了10.1%! •    &nbs
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義隆電子上市高速八位 Flash MCU產(chǎn)品

  • 因應市場(chǎng)的需求,義隆電子近期推出八位Flash MCU的產(chǎn)品—編號 EM77F900 。這顆IC是一款速度高達40MIPS的八位單片機,在高速控制的應用領(lǐng)域可以讓您使用時(shí)得心應手,同時(shí),可以廣泛的應用于二維條形碼閱讀(2D Bar code reader)、游戲鼠標(Gaming mouse)、高速傳輸器(Dongle)、指紋辨識、移動(dòng)檢測(Motion detect)、USB audio、無(wú)線(xiàn)傳輸等領(lǐng)域。 義隆電子
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受三星停電事件影響 NAND價(jià)格上漲15-25%

  •     根據集邦科技資料,8月上旬NAND型閃存價(jià)格受韓國三星停電事件影響,平均上漲約15-25%。集邦分析師指出,由于短期內旬NAND型閃存市場(chǎng)供貨不足,預估8月下旬價(jià)格將持平或小漲。     據港臺媒體報道,三星半導體廠(chǎng)區在8月3日下午發(fā)生停電事件,使得該公司的6、7、8、9以及14廠(chǎng)的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響,但三星已宣布于8月4日下午恢復到正常生產(chǎn)狀況,根據該公司初步估計損失約4300萬(wàn)美元。  &
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Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設計平臺上預先驗證

  • 北京,2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布,其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機參考設計平臺上的預先驗證。MediaTek總部位于臺灣,是全球前十大提供無(wú)線(xiàn)通信和數字媒體解決方案的半導體芯片設計公司之一。在MediaTek參考設計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預先驗證,將使生產(chǎn)商能夠將具有成本效率的高性能手機更快地推向中國及其它高速增長(cháng)市場(chǎng)。 在未來(lái)幾年內,中國將成為推動(dòng)新型手機發(fā)
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NAND閃存芯片吃緊 加劇行業(yè)整合態(tài)勢

  •     隨著(zhù)NAND閃存芯片需求的增加,內存廠(chǎng)商已越來(lái)越難得到充足的NAND閃存芯片供應,NAND閃存芯片吃緊加劇了內存產(chǎn)業(yè)整合,業(yè)內人士稱(chēng)現在已有許多小規模的內存廠(chǎng)商從市場(chǎng)中退出。   今年前一段時(shí)間NAND閃存芯片價(jià)格出現了下滑,現在價(jià)格又開(kāi)始了回升,可這并不能讓眾多內存廠(chǎng)商高興起來(lái),因為并非所有的內存廠(chǎng)商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應,特別是在蘋(píng)果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。   現在約有一半的二線(xiàn)三線(xiàn)內存廠(chǎng)商退出了NAND閃存業(yè)務(wù),這也是不得已而為之,由
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TMS320VC55X系列DSP的FLASH引導方法*

  • 摘要: 本文以實(shí)際系統開(kāi)發(fā)基礎為背景,闡述了TMS320C55X系列DSP對FLASH在線(xiàn)燒寫(xiě)的方法,給出了系統的硬件連接示意圖和完整的燒寫(xiě)程序,并研究了自舉引導的實(shí)現方法以及大程序的二次引導方法。關(guān)鍵詞: TMS320C55X;FLASH;Bootloader;燒寫(xiě);二次引導 引言隨著(zhù)數字信號處理技術(shù)的快速發(fā)展,DSP被廣泛的應用到各種數字信號處理系統中。最終開(kāi)發(fā)的系統要想脫離仿真器運行,必須將程序代碼存儲在非易失性存儲器中。FLASH存儲器以其大容量和可在線(xiàn)編程等特點(diǎn)已成為DSP
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中芯國際切入NAND閃存市場(chǎng)

  •     在iPhone的帶動(dòng)下,NAND閃存市場(chǎng)近期一片大好,國內的晶元代工大廠(chǎng)中芯國際也抵制不住NAND閃存市場(chǎng)的誘惑,在近期宣布,下半年將開(kāi)始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8Gb NAND閃存顆粒的研發(fā),預計明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應廠(chǎng)之一。      受到今年Q2內存價(jià)格崩盤(pán)以及0.13微米制程代工競爭激烈影響,國內晶元代工大廠(chǎng)中芯國籍Q2營(yíng)收出現約200萬(wàn)美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
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微軟聯(lián)手英特爾戴爾開(kāi)發(fā)標準NAND閃存接口

  • 5月31日消息,美國當地時(shí)間5月30日,微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結成合作伙伴關(guān)系,開(kāi)發(fā)面向PC的標準NAND閃存接口。 據techspot網(wǎng)站報道稱(chēng),名為“非揮發(fā)性?xún)却嬷鳈C控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導成立的,旨在利用閃存加速現代操作系統中的功能,例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。  該組織希望能夠加速其標準的普及,從而使其優(yōu)勢得到真正的體驗。英特爾或其它廠(chǎng)商是否會(huì )將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知,但從該組
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美國美光科技:NAND閃存的未來(lái)在SSD

  • 作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference(WinHEC)的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會(huì )(Technical Session)。該公司 Memory Products Group 的首席應用工程師(D
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NAND Flash和NOR Flash的比較

  •   NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù),1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。   相“flash存儲器”經(jīng)??梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因
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