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內存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰線(xiàn)不斷擴大
- 快閃內存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統的消費性電子產(chǎn)品旺季出現，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說(shuō)是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來(lái)襲，都已有心理準備，但仍是不敢大意。 TRI觀(guān)點(diǎn)： 2007年內存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
Gartner:08全球半導體設備開(kāi)支將降9.9%
- 據市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱(chēng)，2008年全球半導體設備開(kāi)支預計將達到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱(chēng)，2007年的特點(diǎn)是DRAM內存不顧供過(guò)于求的現實(shí)繼續加大投資、NAND閃存開(kāi)支增速減緩和代工廠(chǎng)商恢復開(kāi)支的狀況令人失望。在2008年，我們預計隨著(zhù)DRAM內存市場(chǎng)將糾正資本開(kāi)支的長(cháng)期錯誤，半導體主要設備市場(chǎng)的開(kāi)支將減少。代工廠(chǎng)商開(kāi)支增長(cháng)速度減緩和由于擔心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND 閃存 IC自動(dòng)測試設備 ATE
供大于求 明年NAND閃存市場(chǎng)難以復蘇
- 比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據國外媒體報道，內存模塊制造商消息人士稱(chēng)，NAND閃存市場(chǎng)仍將處于供大于求的局面，這不僅對現貨市場(chǎng)造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價(jià)格。 12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價(jià)格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價(jià)格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價(jià)格沒(méi)有出現大幅滑落。 NAND閃存合同價(jià)格的下降，主要是由于蘋(píng)果每年戰略性削減其12月份的NAND
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存市場(chǎng) 存儲器
2008：巨型晶圓廠(chǎng)初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)自去年年初以來(lái)經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著(zhù)現貨價(jià)格與合約價(jià)格不斷創(chuàng )下新低，價(jià)格壓力充斥著(zhù)整個(gè)上一季度。由于價(jià)格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段，一個(gè)巨大而不斷增長(cháng)的市場(chǎng)即將出現。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節增長(cháng)至2011年的33.5萬(wàn)億兆字節。 大舉擴產(chǎn)NAND閃存 低價(jià)同時(shí)也推動(dòng)了需求的增長(cháng)，使得部分廠(chǎng)商出現供給不足。以東芝(To
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
采用AVR Flash微控制器的電動(dòng)車(chē)窗防夾系統
- 汽車(chē)上可自動(dòng)關(guān)閉的電動(dòng)車(chē)窗或車(chē)門(mén)設備潛藏著(zhù)卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動(dòng)以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著(zhù)必須持續監視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡(jiǎn)化的原因，本文所描述的系統使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達?；谒俣群团ぞ貙档臋z測算法已通過(guò)健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉換器和通過(guò)變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應用筆記有關(guān)于實(shí)現的詳細描述。 現代
- 關(guān)鍵字： AVR Flash 微控制器 汽車(chē)電子控制裝置
NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應用領(lǐng)域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場(chǎng)發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用，以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(cháng)至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數碼相機，到2006年MP3 Pla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
iSuppli調低08年半導體預期
- 市場(chǎng)研究機構iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調低了2008年全球半導體市場(chǎng)銷(xiāo)售收入預期，不過(guò)對于整個(gè)市場(chǎng)形勢仍持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。 據國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷(xiāo)售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數據)增長(cháng)7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli表示，2008年半導體市場(chǎng)將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預期并不樂(lè )觀(guān)，而美國經(jīng)濟的影響力自然會(huì )波及全球
- 關(guān)鍵字： 半導體 芯片 NAND 半導體材料
東芝推出首個(gè)對應多值技術(shù)的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個(gè)對應多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤(pán))產(chǎn)品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時(shí)開(kāi)始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開(kāi)的世界最大規模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問(wèn)題，目前還沒(méi)有真正普及。因此，搭載可以提高每個(gè)器件容量的普及型多值NAND的S
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 東芝 NAND 閃存
基于FPGA的串行Flash擴展實(shí)現
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應用。在現代數字電路設計中。經(jīng)常需要保存大量數據，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線(xiàn)電擦寫(xiě)，信息在掉電后不會(huì )丟失，因此成為設計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類(lèi)：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微處理器
DRAM市場(chǎng)基礎繼續惡化 預計08年資本開(kāi)支下滑超過(guò)30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內存市場(chǎng)基礎繼續惡化，大多數DRAM供應商，尤其韓國之外的廠(chǎng)商2008年資本開(kāi)支出現大幅削減?！? 預計2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開(kāi)支將下滑超過(guò)30%，原來(lái)預計下降20%。這將導致總體內存資本開(kāi)支減少10-12%。 在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(cháng)的低迷之后，該市場(chǎng)仍然存在嚴重的供過(guò)于求情況?！斑@主要由于按容量計
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 DRAM 三星 NAND EDA IC設計
各類(lèi)器件增長(cháng)強勁 出貨量增長(cháng)率預測調高
- 據市場(chǎng)調研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長(cháng)10%。該公司先前的預測是增長(cháng)8%。 ICInsights將調高增長(cháng)率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長(cháng)：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(cháng)60%)、數據轉換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長(cháng)率達到10%或者更高水平，將是連續第六年以?xún)晌粩档乃俣仍鲩L(cháng)，創(chuàng )下前所未有的強勁增長(cháng)紀錄。 ICInsights認為，
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 IC 元件 制造
內存芯片廠(chǎng)商提出新設計欲破摩爾定律
- 很多廠(chǎng)商都設計出了未來(lái)的閃存技術(shù)，但誰(shuí)能夠首先推出產(chǎn)品呢? Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。 Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項營(yíng)銷(xiāo)活動(dòng)，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。 伯特蘭說(shuō)，三星、東芝、Hynix公開(kāi)表示對電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
- 關(guān)鍵字： 閃存 芯片 NAND 存儲器
第三季度NAND閃存銷(xiāo)售額增長(cháng)37%，達42億美元
- 市場(chǎng)調研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導體全球銷(xiāo)售額增長(cháng)37%，達到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋(píng)果iPod在內的消費電子產(chǎn)品需求刺激下的連續增長(cháng)勢頭，本季度可能結束。由于產(chǎn)量增長(cháng)速度快于需求，本季度NAND的平均銷(xiāo)售價(jià)格將下降18%。 韓國海力士半導體第三季度增長(cháng)最快，其N(xiāo)AND銷(xiāo)售額比第二季度大增79%，達到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%，在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子，市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數量
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 DRAM 存儲器
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