美國美光科技：NAND閃存的未來(lái)在SSD

作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會(huì )（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應用工程師（Director of Application Engineering）Jim Cooke登臺做了演講。 

Jim Cooke首先就市場(chǎng)走向提到了大容量存儲器領(lǐng)域閃存的優(yōu)勢，他介紹說(shuō)，閃存在“性能、可靠性、耐久性、耗電、尺寸、重量、耐沖擊性、溫度方面均超過(guò)硬盤(pán)”，不如硬盤(pán)的方面是容量和單位容量所對應的成本。目前閃存的使用方法有緩存（Cache）中使用了閃存的硬盤(pán)“混合（Hybrid）型”和全部由閃存構成的大容量光盤(pán)（Disk）“SSD（固態(tài)存儲，Solid State Disk）”兩種，預計混合型將首先開(kāi)始普及，但2010年時(shí)SSD將趕上并超過(guò)混合型 
。Jim Cooke表示，根據美國IDC公司的預測，SSD單位容量所對應的成本“2010年時(shí)將壓縮至0.85～1.8英寸硬盤(pán)的1倍、2.5英寸硬盤(pán)的5.6倍。目前分別為5.3倍、8.8倍，到那時(shí)，二者的差將比現在小得多”。 

技術(shù)方面，Jim Cooke表示“2片型將是今后的趨勢”。將分為偶數片與奇數片兩個(gè)塊、使它可同時(shí)讀取兩個(gè)片以提高訪(fǎng)問(wèn)速度。目前每單元2值的SLC（單層單元）技術(shù)、每單元4值的MLC（多層單元）技術(shù)均被采用使用。Jim Cooke表示，對MLC而言，從耐久性的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)依次改變寫(xiě)入單元的“損耗平衡（Wear Leveling）”是必需的，而一開(kāi)始就從芯片方面支持它的Managed NAND是很重要的。具體而言，“eMMC（嵌入式多媒體卡，embedded Multimedia Card）”等實(shí)際上確定了接口等。 

Jim Cooke最后總結表示，NAND型閃存的主要市場(chǎng)為手機等移動(dòng)設備以及SSD。事實(shí)上，在WinHEC的展出會(huì )場(chǎng)上，除美光公司外，美國SanDisk Corp.與韓國三星電子（Samsung Electronics Co., Ltd.）等也展出了SSD，讓人不禁感受到閃存廠(chǎng)商的雄心。 

另一方面，美國微軟公司（Microsoft Corp.）也舉辦了題為“Solid-State Drives：Next-Generation Storage”的技術(shù)研討會(huì )。微軟強調，Windows一直在關(guān)注存儲器是否為SSD，與存儲器是硬盤(pán)的情況下，刪除數據時(shí)將出現一個(gè)刪除標記相對，當存儲器為SSD時(shí)，為了防止擦寫(xiě)，將進(jìn)行真正刪掉數據等處理、執行與SSD相應的動(dòng)作。另外作為將來(lái)硬盤(pán)與閃存的組合，提出了“復合SSD（Composite SSD）”的構想。不是把閃存用作緩存，而是在擦寫(xiě)頻繁的地方用硬盤(pán)、保存時(shí)間長(cháng)的數據存儲在閃存里。比如，為了將閃存用于服務(wù)器等大規模存儲器，提出了復合SSD是有效的這一見(jiàn)解。