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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區
Spansion大力推行其革命性MirrorBit? ORNAND2? 架構開(kāi)發(fā)計劃
- 北京，2008年4月23日——全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布在意大利米蘭設立其安全及先進(jìn)技術(shù)事業(yè)部（SATD）總部，以支持其革命性MirrorBit® ORNAND2™架構及安全產(chǎn)品策略的開(kāi)發(fā)計劃。該部門(mén)將負責Spansion各種不同閃存安全解決方案的開(kāi)發(fā)工作，并將MirrorBit技術(shù)拓展到目前NAND所服務(wù)的應用領(lǐng)域。 Spansion執行副總裁Carla Golla擔任該部門(mén)負責人，并招募了眾
- 關(guān)鍵字： Spansion 安全存儲 NAND
閃存新公司恒億負重前行?前景尚不…
- ? 如果憑老東家的實(shí)力，新公司應該讓人感覺(jué)很有希望。但是現實(shí)面臨兩個(gè)大的問(wèn)題，其一是在專(zhuān)注的存儲器領(lǐng)域強手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號芯片供應商英特爾與歐洲大廠(chǎng)STMicro合資新建的存儲器廠(chǎng)Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲器類(lèi)型)及內置RAM（內存）的存儲器，并利用新型相變移位
- 關(guān)鍵字： 閃存 恒億 RAM NOR NAND
恒憶?（NUMONYX）強勢進(jìn)軍存儲器市場(chǎng)
- 2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng )新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專(zhuān)長(cháng)，在成立之初就成為存儲器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠(chǎng)商，專(zhuān)注于存儲器開(kāi)發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機、MP3播放器、數碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲器
- 關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3
透視 FPGA 的安全性
- 今天的設計人員已經(jīng)在許多不同的領(lǐng)域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設計工具的范疇，逐漸用于生產(chǎn)應用中，尤其是消費電子和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。據Gartner Dataquest市場(chǎng)研究公司指出，FPGA器件在汽車(chē)應用中的使用規模從2002到2005年增加約七倍。 這個(gè)增長(cháng)在很大程度上是來(lái)自于FPGA本身的特點(diǎn)。由于象全球定位系統 (GPS) 導航裝置和DVD播放機之類(lèi)設備的產(chǎn)品壽命相對較短，因此縮短其開(kāi)發(fā)周期變得非常重要?？删幊踢壿嫳憧蔀樵O計人員提供所需的靈活性
- 關(guān)鍵字： FPGA 汽車(chē) Flash
HOLTEK新推出HT46F47E于A(yíng)/D型Flash MCU
- 03/03/2008訊,HOLTEK半導體繼I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內存可以透過(guò)ISP (In-System-Programming) 接口直接對已制造好的產(chǎn)品進(jìn)行MCU程序內存的燒錄，且燒錄次數可達十萬(wàn)次，此項特性讓客戶(hù)能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新，因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時(shí)間，并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶(hù)可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調校參數，不需受限于燒錄次數；在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級，提供更高的附加
- 關(guān)鍵字： Flash MCU
NAND市場(chǎng)增長(cháng)放緩芯片廠(chǎng)欲推遲建廠(chǎng)計劃
- 日前，全球領(lǐng)先的閃存供應商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(chǎng)(Fab5)，以應對未來(lái)市場(chǎng)對NAND閃存的需求，該工廠(chǎng)預計將于2010年投產(chǎn)。 市場(chǎng)研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠(chǎng)能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因為現在的供求關(guān)系依然比較樂(lè )觀(guān)?！? 但是閃存供應商們延遲其工廠(chǎng)興建計劃也再一次證明了NAN
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
ZigBee技術(shù) 無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò )節點(diǎn) MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統中的應用，完成了硬件接口設計和軟件設計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)，被廣泛地應用于手
- 關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復在線(xiàn)測試
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統存儲的新寵，因此其上的文件系統研究也日益廣泛，本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復方面進(jìn)行在線(xiàn)測試。在給出測試結果的同時(shí)，著(zhù)重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。 關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著(zhù)嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應用，嵌入式系統中的數據存儲和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問(wèn)題
- 北京時(shí)間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國經(jīng)濟衰退導致電腦和消費電子產(chǎn)品銷(xiāo)售增長(cháng)減速，對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤造成很大壓力。 英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內存芯片，這種芯片被廣泛應用于各種消費電子產(chǎn)品。兩年多來(lái)，英特爾巧妙地避過(guò)了那些芯片的價(jià)格波動(dòng)。 全球最大電腦芯片廠(chǎng)商英特爾在3月3日晚間宣布，它預計其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預期目標。主要原因在于：NAND閃存的價(jià)格低于預期水平。在第
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
Flash 單片機自編程技術(shù)的探討
- ???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片Flash存儲器的結構? ???????Flash存儲器模塊是一個(gè)可獨立操作的物理存儲器單元。全部模塊安排在同一個(gè)線(xiàn)性地址空間中，一個(gè)
- 關(guān)鍵字： Flash 單片機 自編程
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash
TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實(shí)現
- l 引言 在仿真環(huán)境下調試DSP板程序之后，還有一項重要的工作要做：怎樣實(shí)現程序代碼的脫機加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實(shí)際應用中，多采用外接Flash來(lái)加載程序代碼。此種方法簡(jiǎn)單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開(kāi)發(fā)的DSP系統應用板最終要脫離仿真器獨立運行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體，掉電后程序及數據就會(huì )丟失。這就需要1個(gè)能在斷電后保存程序及初始化數據的存儲體。Flash
- 關(guān)鍵字： TMS320C64x Flash
分析師稱(chēng)NAND閃存市場(chǎng)可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類(lèi)短缺和平均銷(xiāo)售價(jià)格走平之后，NAND閃存市場(chǎng)可能會(huì )再一次崩潰。 據Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱(chēng)，全球最大的NAND閃存買(mǎi)主蘋(píng)果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類(lèi)型NAND閃存芯片的采購?，F在NAND閃存還沒(méi)有殺手應用。這些因素都會(huì )對NAND閃存市場(chǎng)產(chǎn)生影響。 Mok稱(chēng)，蘋(píng)果在2006年就曾采取過(guò)同樣的減少采購的行動(dòng)，導致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應量超過(guò)了需求的70%和價(jià)格的下降。 這位分析師稱(chēng)，雖然自從2
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 芯片
內存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰線(xiàn)不斷擴大
- 快閃內存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統的消費性電子產(chǎn)品旺季出現，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說(shuō)是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來(lái)襲，都已有心理準備，但仍是不敢大意。 TRI觀(guān)點(diǎn)： 2007年內存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
nand-flash介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條nand-flash!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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