美光對NAND Flash發(fā)布警告

 
　　全球NAND型閃存(Flash)大廠(chǎng)美光(Micron)近來(lái)針對全球NAND Flash市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展發(fā)出警語(yǔ)表示，目前NAND Flash廠(chǎng)制程技術(shù)發(fā)展相當快速且先進(jìn)，但微影技術(shù)無(wú)法跟上NAND Flash廠(chǎng)發(fā)展，尤其令人感到驚訝的是，微影設備商技術(shù)竟遠落后NAND Flash大廠(chǎng)數年，幾家NAND Flash廠(chǎng)商為于未來(lái)順利發(fā)展，還必須領(lǐng)先微影設備商，自行開(kāi)發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。
　　近來(lái)全球各大DRAM廠(chǎng)為能有效運用旗下晶圓廠(chǎng)，加上NAND Flash市場(chǎng)成長(cháng)率遠高于標準型DRAM，促使多家DRAM大廠(chǎng)紛投入NAND Flash市場(chǎng)，就連臺系DRAM廠(chǎng)力晶及茂德，也相繼宣布將投入NAND Flash市場(chǎng)研發(fā)及制造行列，其中，力晶更是大張旗鼓地投入興建12吋廠(chǎng)，希望能趕上新一波內存需求潮。

　　不過(guò)，正當DRAM大廠(chǎng)紛投入NAND Flash市場(chǎng)，美光卻提出警語(yǔ)，美光NAND Flash發(fā)展事業(yè)群副總裁Frankie Roohparvar表示，目前NAND Flash發(fā)展所遇到最大瓶頸在于微影技術(shù)，事實(shí)上，微影技術(shù)已遠落后NAND Flash技術(shù)至少好幾年。目前微影技術(shù)設備供貨商完全跟不上NAND Flash廠(chǎng)商技術(shù)，NAND Flash廠(chǎng)已領(lǐng)導半導體業(yè)界制程技術(shù)。

　　美光表示，現在其于50奈米制程技術(shù)，甚至在掃瞄機發(fā)展前便已完全準備好，美光必須先將微影技術(shù)給準備好，才有助于美光在50奈米制程技術(shù)順利發(fā)展。目前193奈米浸潤式掃瞄機到了45奈米制程可能已無(wú)法使用，至于下世代浸潤式掃瞄機，預計將可使用到32奈米制程。

　　多家DRAM廠(chǎng)指出，做NAND Flash困難度確實(shí)較標準型DRAM要難上許多。NAND Flash發(fā)展不僅在微影技術(shù)上將出現瓶頸，過(guò)去采用NAND Flash架構到45奈米制程以下時(shí)，便會(huì )遭遇到一些物理極限限制，因而發(fā)明SONOS架構技術(shù)，使DATA Flash到45奈米制程以下時(shí)，依然可繼續走下去。

　　目前全球各大DATA Flash廠(chǎng)無(wú)不想盡辦法，希望能不斷改良SONOS架構，使其早日順利量產(chǎn)商業(yè)化。不過(guò)，SONOS仍有瓶頸待克服，最快要到2008年才會(huì )見(jiàn)到類(lèi)似SONOS架構的TANOS產(chǎn)品量產(chǎn)。TANOS結構系由鉭金屬、氧化鋁(高K材料)、氮化物、氧化物和硅晶層所組成，TANOS結構采用，也象征產(chǎn)業(yè)界首次將金屬層和高K材料結合應用于NAND設備中。

　　由于各大半導體廠(chǎng)已體認到，若不采用SONOS架構，應無(wú)法再將DATA Flash帶進(jìn)下一世代，因此，包括飛思卡爾(Freescale)、賽普拉斯(Cypress)等大廠(chǎng)，均開(kāi)始積極投入研發(fā)。