根據國外媒體報導， NAND閃存市場(chǎng)上的競爭業(yè)者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產(chǎn)量，并且準備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個(gè)領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭，也在準備因應市場(chǎng)上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現需要NAND的新應用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動(dòng)作頻仍，市場(chǎng)領(lǐng)導供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件，第二大供貨商 Toshiba在日本的新晶圓廠(chǎng)即將投入生產(chǎn)，該公司一方面在開(kāi)發(fā)43-nm NAND產(chǎn)品線(xiàn)，另一方面也在開(kāi)發(fā)3-bit-per-cell的技術(shù)。全球第三大供貨商Hynix Semiconductor，計劃將第三季的位產(chǎn)量增加一倍。
另外，IM Flash Technologies增加在猶他州十二寸晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)量，該公司已在生產(chǎn)50-nm組件，并在開(kāi)發(fā)40-nm以下的產(chǎn)品。由于Samsung在本月初發(fā)生停電導致停產(chǎn)的事件，其它NAND供貨商都希望能夠從中獲利。其實(shí)，市場(chǎng)調研公司認為停電事件對于Samsung與其它競爭者而言也許都是好事，因為它減少了供貨，有助于價(jià)位的上揚。DRAMexchange的數據顯示，NAND組件的和約價(jià)格，在八月上半上升了15%至20%。
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