一招教你如何使用嵌入式參數代碼

如果有幾個(gè)設置參數需要存儲到Flash中，我們一般會(huì )怎么存儲呢?將不同的參數都存儲到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數捆綁成一種結構體，每次修改都同時(shí)寫(xiě)入一次呢?

將參數存儲到固定的地址，則每個(gè)參數都將占用Flash的一個(gè)塊。而將全部參數捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個(gè)參數修改時(shí)，也需要將全部參數一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎?

前段時(shí)間學(xué)習Msos，看到其中使用的參數存儲的方法設計的很好，它將參數的變量地址與值，一同存儲入Flash中。出彩之處是使用參數的變量地址來(lái)標記不同的變量。

一、數據結構

這種存儲方式使用兩個(gè)數據結構：

typedef struct

{

uint Address; //參數變量的地址

uint Data; //參數變量的值

}CellStruct;

要存儲某個(gè)變量，需要將這個(gè)變量的地址和它的值一同存儲到存儲區。這種存儲方式的核心就是這個(gè)數據結構。這樣就可以使用*((uint *)(Address)) = Data 直接將存儲值賦值給對應的變量。簡(jiǎn)單的說(shuō)就是根據地址值來(lái)標記各個(gè)不同的參數。

2.存儲區的數據結構

二、代碼解析

這種存儲方式的使用兩個(gè)函數：

讀取存儲區中的變量值并更新變量的值

變量的存儲函數

2.1 參數的讀取

流程圖如上，主要步驟如下：

根據Flash中存寫(xiě)的變量地址，更新變量的值;

將Flash中存寫(xiě)的地址值存入臨時(shí)數組中，并根據地址值判斷是否存在重復存儲的無(wú)效數據，并將無(wú)效數組失效;

清空Flash存儲區，將臨時(shí)數組中有效的變量重新存入Flash中。

通過(guò)這些步驟，將存儲區中存儲的變量讀出，并將存儲區中的重復的無(wú)效數據清除。下面是源代碼：

2.2 參數的寫(xiě)入

參數的寫(xiě)入就很簡(jiǎn)單了，根據數據結構中的寫(xiě)入點(diǎn)，將變量的地址與值寫(xiě)入Flash中。

2.3 使用方法

使用方法：

每次上電啟動(dòng)時(shí)，調用讀取全部變量的函數;

修改某個(gè)參數的時(shí)候，調用寫(xiě)參數函數;

三、注意事項

在讀取參數時(shí)，需要在RAM中建立一個(gè)ParameterSpace大小的數組，如果這個(gè)值太大，會(huì )超過(guò)棧的大小，使得內存溢出。因此存儲區不能開(kāi)辟的太大。

四、總結

這種方式使用簡(jiǎn)便，尤其是在更新變量值時(shí)，根據存儲的變量地址更新相應的值。其實(shí)其本質(zhì)與我們使用變量名來(lái)標記不同的變量是一樣的。不過(guò)也有缺點(diǎn)：

首先其同時(shí)存儲變量的地址與變量的值，相當于多使用一倍的存儲空間;

像上面的注意事項中說(shuō)的，存儲區不能開(kāi)辟的過(guò)大，否則會(huì )使臨時(shí)數組超過(guò)棧的大小。