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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
合約價(jià)走跌，Q1全球DRAM總產(chǎn)值季減7.5%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，第一季DRAM合約均價(jià)較前一季跌幅達11%，加上筆電市場(chǎng)與智慧型手機步入傳統淡季，因此全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季總產(chǎn)值衰退達7.5%，營(yíng)收來(lái)到120億美元。 DRAMeXchange研究協(xié)理郭祚榮表示，受到淡季影響，第一季各DRAM廠(chǎng)都呈現營(yíng)收衰退走勢，但在制程持續轉進(jìn)下，毛利并未大幅縮減，整體表現與去年第四季相比相差不遠;然需求面不佳將影響后續價(jià)格走勢，因此DRAM廠(chǎng)在制程轉進(jìn)與產(chǎn)品比重分配，將是今年值得注意的決勝點(diǎn)。D
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
中國集成電路的低端路還要走多久？
- 中國集成電路產(chǎn)業(yè)在2014年下半年政策和資金的支持下迎來(lái)快速增長(cháng)，甚至有業(yè)內專(zhuān)家表示要防止集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)熱。從展訊、海思等公司可以看到國內半導體產(chǎn)業(yè)正在崛起，然而，以IC設計為代表的中國集成電路產(chǎn)業(yè)卻面臨處于低端市場(chǎng)的困擾。 在集成電路的三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節：IC設計、封測、晶圓制造中，國內IC設計、封測正在快速發(fā)展，同時(shí)在推進(jìn)DARM產(chǎn)業(yè)之后，完整了國內半導體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。不過(guò)，高速的發(fā)展并不能掩蓋所面臨的問(wèn)題。 用高性?xún)r(jià)比占領(lǐng)低端市場(chǎng) 既然說(shuō)IC設計與封測發(fā)展迅速，首先看一看發(fā)展現狀
- 關(guān)鍵字： 集成電路 DRAM
臺存儲器重兵集結MCP戰場(chǎng) 出貨醞釀大爆發(fā)
- 臺系存儲器供應商加速布局利基型產(chǎn)品領(lǐng)域，華邦、旺宏從NOR Flash芯片擴展至低階NAND Flash芯片，專(zhuān)攻車(chē)用及工控應用市場(chǎng)，南亞科則布局伺服器、智能型手機用的低功耗存儲器產(chǎn)品，至于多芯片封裝(Multi-Chip Package;MCP)市場(chǎng)更是兵家必爭之地，在晶豪與聯(lián)發(fā)科成功合作模式激勵下，旺宏、鈺創(chuàng )亦有意搶進(jìn)MCP戰場(chǎng)，并傳出正尋覓合作伙伴共同卡位MCP商機。 晶豪是最早布局MCP市場(chǎng)的臺系存儲器供應商，過(guò)去在SDRAM市場(chǎng)陷入低潮時(shí)，晶豪積極尋找新產(chǎn)品成長(cháng)動(dòng)能，并相中MCP市場(chǎng)成
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)十年一劫，中國全面搶灘市場(chǎng)
- 中國扶植自有DRAM供應鏈計劃浮上臺面，業(yè)界透露中國將分三個(gè)階段著(zhù)手，包括扶植大型集團建立自有技術(shù)、高關(guān)稅逼迫國際大廠(chǎng)合作、強制品牌系統廠(chǎng)采用， 由于上一輪全球DRAM市場(chǎng)崩盤(pán)是在2008年發(fā)生，業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆，對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。 半導體業(yè)者表示，中國建立DRAM產(chǎn)業(yè)最難解問(wèn)題，似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠(chǎng)所把持的DRAM技術(shù)，然事實(shí)上，中
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
服務(wù)器、消費性DRAM需求增 三星、SK海力士暫居市場(chǎng)優(yōu)勢
- 由韓國企業(yè)主導的半導體DRAM市場(chǎng)上，服務(wù)器、消費性電子、通訊設備占比正逐漸擴大。以半導體業(yè)者的立場(chǎng)而言，這意味著(zhù)可多元化獲利模式，期待可確保穩定的供應價(jià)格，并阻止后起業(yè)者的進(jìn)軍。 ET News引用市調機構IHS 2014年各領(lǐng)域DRAM需求資料指出，PC DRAM比重持續減少，移動(dòng)裝置、服務(wù)器、通訊、消費性電子用DRAM出現大幅度的成長(cháng)。 PC DRAM 2012年占整體DRAM比重達57.6%。然桌上型電腦和筆記型電腦市場(chǎng)成長(cháng)趨緩后，2014年比重下滑到39.6%。2015年預估將減
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
LPDDR4出貨比例成為DRAM廠(chǎng)獲利關(guān)鍵
- 市場(chǎng)研究機構TrendForce最新調查顯示，2015年第一季起智慧型手機出貨積弱不振，季衰退幅度高達9.2%。盡管第二季展望國際大廠(chǎng)蘋(píng)果(Apple)與三星(Samsung)出貨相對穩健，然而智慧型手機在中國通路的庫存水位仍高，在第二季將持續庫存去化的情況下，較難看到大幅的出貨成長(cháng)。第二季全球智慧型手機預估季成長(cháng)6.8%，中國地區(含中國品牌外銷(xiāo)國外)部分為14.8%，遠低于過(guò)往兩年動(dòng)輒25%以上的季成長(cháng)。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2
- 關(guān)鍵字： LPDDR4 DRAM
智能機/平板需求帶動(dòng)Mobile DRAM飛躍成長(cháng)
- 智慧型手機與平板電腦快速普及，正帶動(dòng)行動(dòng)式動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(Mobile DRAM)需求水漲船高，其中智慧型手機每年所采用的Mobile DRAM數量，更占全球總出貨量近八成比重，是最主要的應用及成長(cháng)來(lái)源。 近年來(lái)，行動(dòng)裝置產(chǎn)品因具有高功能性、便利性且兼具時(shí)尚感，成為全球最熱門(mén)電子產(chǎn)品，因而驅動(dòng)其關(guān)鍵零組件行動(dòng)式動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(Mobile DRAM)需求快速成長(cháng)，使之成為DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主流。本文將針對Mobile DRAM的應用面及市場(chǎng)發(fā)展性進(jìn)行探討。 挺進(jìn)手機/平板市場(chǎng) Mo
- 關(guān)鍵字： DRAM
新舊交替啟動(dòng)，今年移動(dòng)式存儲器價(jià)格料趨穩
- TrendForce最新調查顯示，2015年第一季起智慧型手機出貨積弱不振，季衰退幅度高達9.2%，盡管第二季展望國際大廠(chǎng)蘋(píng)果與三星出貨相對穩健，然而，智慧型手機在中國通路的庫存水位仍高，在第二季度將持續庫存去化下，較難看到大幅的出貨成長(cháng);第二季全球智慧型手機預估季成長(cháng)6.8%，中國地區(含中國品牌外銷(xiāo)國外)部分為14.8%，遠低于過(guò)往兩年動(dòng)輒25%以上的季成長(cháng)。 TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2015年行動(dòng)式存儲器價(jià)格走勢趨于穩定;目前行動(dòng)
- 關(guān)鍵字： DRAM LPDDR4
DRAM止跌 華亞科受惠
- DRAM大廠(chǎng)推升制程造成部分產(chǎn)能產(chǎn)出受影響的效應逐步發(fā)酵，由于市場(chǎng)供給量降低，帶動(dòng)DRAM價(jià)格止跌，集邦科技統計近四日主流DDR3 4Gb力守3美元整數關(guān)卡，蓄勢反彈，有助南亞科(2408)、華亞科營(yíng)運。 由于市場(chǎng)供給縮減、報價(jià)止跌，美國記憶體晶片指標廠(chǎng)美光上周五(17日)股價(jià)不畏美股重挫279點(diǎn)，上演逆轉行情，尾盤(pán)逆勢收紅，以28.02美元作收，小漲0.01元，持續站穩各均線(xiàn)，透露市場(chǎng)資金回流。 國際投資機構陸續對DRAM市況翻多，美國知名財經(jīng)網(wǎng)站巴隆(Barron`s.com)近日則引
- 關(guān)鍵字： DRAM 華亞科
傳京東方進(jìn)軍存儲芯片市場(chǎng)，看起來(lái)很美好？
- 近日，有韓國媒體“中央日報日文版”報道，我國液晶面板廠(chǎng)京東方 (BOE)有意進(jìn)軍存儲器芯片行業(yè)，引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注。受到《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立等利好政策的助推，今年以來(lái)包括存儲芯片在內的集成電路產(chǎn)業(yè)，熱度不斷升高，據悉積極爭取設立DRAM廠(chǎng)的地方政府已達6家。由于全球存儲產(chǎn)業(yè)正處于轉型期，加之市場(chǎng)廣闊，即使行業(yè)已趨于高度壟斷，如果政策到位、措施得當，未來(lái)中國切入存儲產(chǎn)業(yè)，依然存在機會(huì )。 中國積極介入存儲產(chǎn)業(yè) “作為
- 關(guān)鍵字： 京東方 DRAM
SK海力士全面進(jìn)入20納米級DRAM時(shí)代
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級DRAM，全面進(jìn)入20納米級生產(chǎn)時(shí)代。據了解，SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM，不過(guò)到2015年第1季，生產(chǎn)效率比30納米級制程更高的25納米DRAM制程比例，已高達全體生產(chǎn)的82%。 韓媒Digital Times報導，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止，約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%，但從2015年第1季開(kāi)始已全面轉進(jìn)20納米級制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30納米級
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
Gartner:2014年全球營(yíng)收前10大半導體廠(chǎng)商
- 國際研究暨顧問(wèn)機構 Gartner 最終統計結果顯示， 2014年全球半導體營(yíng)收總金額達3,403億美元，較2013年的3,154億美元增加7.9%。前25大半導體廠(chǎng)商合計之營(yíng)收成長(cháng)11.7%，高于業(yè)界整體成長(cháng)率。前25大半導體廠(chǎng)占整體市場(chǎng)營(yíng)收72.4%，亦高于2013年的69.9%。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“2014年各類(lèi)元件皆呈正成長(cháng)，不似2013年時(shí)，特殊應用積體電路(ASIC)、離散元件(discrete)與微組件(microcompone
- 關(guān)鍵字： 英特爾 DRAM
半導體去年成長(cháng) DRAM逾3成最猛
- 研究機構Gartner公布最新半導體統計，去年全球半導體總營(yíng)收金額達3403億美元，較2013年3154億美元增加7.9%，以記憶體連續2年最高，表現最好，其中DRAM去年成長(cháng)32%，創(chuàng )下歷史新高。 Gartner統計，去年半導體營(yíng)收前3名仍是英特爾、三星與高通，分別為523億美元、347億美元與192.9億美元，市占率為15.4%、10.2%與5.7%;前10名名單都與前年一樣，僅有名次小幅變動(dòng)。 英特爾三星高通前3名 經(jīng)過(guò)連2年衰退后，英特爾因個(gè)人電腦生產(chǎn)復蘇而重回成長(cháng)，年營(yíng)收增
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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