四強投資動(dòng)作暗潮洶涌 欲爭奪3D NAND市場(chǎng)

　　盡管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態(tài)，然近期各廠(chǎng)投資動(dòng)作頻頻，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠(chǎng)或以既有生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行轉換，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠(chǎng)生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預期未來(lái)3~4年內存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。

　　半導體業(yè)者表示，3D NAND技術(shù)是未來(lái)存儲器產(chǎn)品主流，然技術(shù)層次及難度十分高，目前在制程良率上仍面臨許多挑戰，預計2016年真正順利量產(chǎn)的存儲器大廠(chǎng)只有三星，其他業(yè)者仍在全力追趕中，全球3D NAND賽局甫揭開(kāi)序幕。

　　值得注意的是，3D NAND技術(shù)帶來(lái)突破性的成本降低，將攸關(guān)固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)發(fā)展，未來(lái)云端伺服器及企業(yè)SSD應用，亟需成本降低的存儲器解決方案來(lái)驅動(dòng)市場(chǎng)快速成長(cháng)，目前看來(lái)3D NAND技術(shù)能做到大量取代傳統硬碟，讓SSD市場(chǎng)滲透率飛躍前進(jìn)。

　　現階段全球存儲器產(chǎn)業(yè)維持四強寡占的平衡競局，但各廠(chǎng)臺面下投資動(dòng)作暗潮洶涌，三星與SK海力士在2015年初宣布大規模的長(cháng)期設備投資計劃，美光與東芝亦致力發(fā)展NAND Flash新技術(shù)，建廠(chǎng)計劃如火如荼進(jìn)行中，業(yè)界預期存儲器產(chǎn)業(yè)平衡狀態(tài)可能在未來(lái)3~4年內被打破。

　　根據韓媒D-Daily報導，SK海力士最近宣布未來(lái)10年內將投資46兆韓元(約396億美元)，興建包含利川M14在內的3個(gè)新廠(chǎng)，若加計維護及建物設備投資，總投資額高達75兆韓元(約645億美元)。

　　目前SK海力士擁有的12吋生產(chǎn)線(xiàn)有利川M10、忠北清州M11、M12及大陸無(wú)錫HC2，其中，利川與無(wú)錫廠(chǎng)生產(chǎn)DRAM，清州廠(chǎng)生產(chǎn)NAND Flash，原本M10廠(chǎng)負責的DRAM會(huì )移轉到M14新廠(chǎng)生產(chǎn)，M10廠(chǎng)20納米級DRAM產(chǎn)能為13萬(wàn)片12吋晶圓，M14新廠(chǎng)產(chǎn)能為20萬(wàn)片，未來(lái)將可視需求快速擴產(chǎn)，至于M10廠(chǎng)未來(lái)可能用來(lái)生產(chǎn)系統芯片、NAND Flash或做為研發(fā)設施。

　　三星正在京畿道平澤建設新廠(chǎng)，預定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元(約134億美元)，估計12吋晶圓產(chǎn)量可達20萬(wàn)片，但生產(chǎn)項目仍未定;原本打算做為系統LSI廠(chǎng)的華城17產(chǎn)線(xiàn)，先改為生產(chǎn)DRAM;至于三星大陸西安NAND Flash廠(chǎng)首期生產(chǎn)規模為每月10萬(wàn)片12吋晶圓。

　　美光在購并爾必達(Elpida)之后，將新加坡DRAM廠(chǎng)轉為生產(chǎn)NAND Flash，且致力發(fā)展3D NAND Flash，新加坡10X廠(chǎng)第1季開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)3D NAND Flash的設備轉換，預定2016年中投入量產(chǎn)。至于美光與英特爾(Intel)合資公司IM Flash，則陸續購并美國與新加坡NAND Flash工廠(chǎng)投入營(yíng)運。

　　另外，日廠(chǎng)東芝與美國SanDisk合資的3家大型NAND Flash制造廠(chǎng)亦陸續啟動(dòng)，其中，屬于超大型工廠(chǎng)的晶圓五廠(chǎng)已完成第二階段投資開(kāi)始啟動(dòng)，改建為尖端生產(chǎn)線(xiàn)的晶圓二廠(chǎng)最近在進(jìn)行測試，預估2016年完工后將擴大供應量。