第三季移動(dòng)DRAM內存產(chǎn)值季增16.8%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，受惠于全球智能手機進(jìn)入傳統備貨旺季，加上各DRAM產(chǎn)品價(jià)格同步上揚，第三季行動(dòng)式內存總產(chǎn)值達45.88億美元，季成長(cháng)約16.8%。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋(píng)果iPhone 7與三星Note 7旗艦機型發(fā)布，讓全球行動(dòng)式內存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產(chǎn)，先前的備料動(dòng)作已為第三季行動(dòng)式內存的營(yíng)收做出貢獻。

　　以三大DRAM廠(chǎng)行動(dòng)式內存營(yíng)收市占來(lái)看，三星半導體營(yíng)收持續擴大到約64.5%，SK海力士約為22.8%，美光半導體為10.6%，三大主要DRAM廠(chǎng)的營(yíng)收占比達97.9%，而排名第四的南亞科僅有1.3%。

　　吳雅婷指出，第三季行動(dòng)式內存占DRAM總營(yíng)收比例上升至43.5%，在Note 7停產(chǎn)后各品牌廠(chǎng)紛紛搶占三星失去的市場(chǎng)，且行動(dòng)式內存價(jià)格上漲趨勢不變的情況下，預計今年第四季行動(dòng)式內存在DRAM總營(yíng)收占比仍將持續擴大。

　　三星仍為技術(shù)領(lǐng)導者，獲利能力為三大DRAM廠(chǎng)最高

　　就三大DRAM廠(chǎng)競爭能力分析，三星仍是行動(dòng)式內存霸主，除20納米制程已進(jìn)入相當成熟的階段，今年第四季更有LPDDR4 16Gb mono die正接受客戶(hù)的驗證，其技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界，如驗證成功，2017年的高階手機將有望搭載8GB內存。此外，其18納米制程技術(shù)也將于明年放量，有望進(jìn)一步提升三星半導體部門(mén)獲利。

　　SK海力士21納米制程良率正逐步提升，加上適逢手機傳統出貨旺季，其行動(dòng)式內存的21納米制程的投片量也在第三季放大，SK海力士計劃將21納米制程良率推至更成熟的階段，明年下半年也將導入18納米的試產(chǎn)，提高自身競爭力。

　　美光集團先前由于財務(wù)狀況不穩定，在行動(dòng)式內存采取20/25納米并重的策略，并以華亞科20納米轉進(jìn)速度最快，專(zhuān)注于提供蘋(píng)果陣營(yíng)的需求，而非蘋(píng)果陣營(yíng)的行動(dòng)式內存需求交由廣島廠(chǎng)與臺灣美光內存的25納米制程供應比重較高。明年美光集團也有望導入18納米制程。

　　臺系DRAM廠(chǎng)方面，受惠于行動(dòng)式內存的生產(chǎn)比重提升，加上行動(dòng)式內存漲價(jià)，南亞科在全球DRAM廠(chǎng)季營(yíng)收市占從1.1%提升至1.3%。目前南亞科廠(chǎng)內正進(jìn)入20納米制程轉換工程，該制程的行動(dòng)式內存產(chǎn)能將于明年開(kāi)出。

　　華邦電子第三季在全球DRAM廠(chǎng)的營(yíng)收市占與上季持平，約0.8%，整體營(yíng)收在客制化產(chǎn)品與ASIC產(chǎn)品價(jià)格提升后小幅成長(cháng)，華邦電子新制程38納米有機會(huì )于今年少量生產(chǎn)，且將優(yōu)先利用在利基型內存與行動(dòng)式內存上。