TrendForce：價(jià)格漲勢不停，第三季DRAM總營(yíng)收大幅季成長(cháng)15.8%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長(cháng)，及內存搭載量不斷攀升，第二季開(kāi)始DRAM原廠(chǎng)逐步降低標準型內存的產(chǎn)出，轉為行動(dòng)式內存與服務(wù)器用內存。在供應逐漸吃緊下，第三季開(kāi)始標準型內存價(jià)格呈上漲走勢，同時(shí)帶動(dòng)其他類(lèi)別內存的價(jià)格上揚。使得第三季全球DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(cháng)約15.8%。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋(píng)果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來(lái)于第四季停產(chǎn)，但第三季的備貨仍有助內存消化量與價(jià)格的上揚，標準型內存也因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量8GB內存比重亦持續增加，更讓第四季標準型內存合約價(jià)季漲幅逾30%。

　　三大DRAM廠(chǎng)營(yíng)收激增，美光轉虧為盈

　　三星依然穩坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭，營(yíng)收季成長(cháng)約22.4%，成長(cháng)幅度遠超過(guò)市占第二的SK海力士，兩大韓廠(chǎng)的市占各為50.2%以及24.8%，合計二家韓廠(chǎng)已囊括DRAM 75%的市占率。美光集團仍位居第三，營(yíng)收季增12.6%，市占18.5%。

　　營(yíng)業(yè)獲利部分，三星仍是DRAM產(chǎn)業(yè)冠軍，第三季營(yíng)業(yè)獲利率維持在37%，SK海力士由18%上升至25%，而美光則是轉虧為盈，從-0.6%轉為2.3%。吳雅婷表示，展望第四季，由于DRAM價(jià)格持續攀升，可以肯定各廠(chǎng)獲利仍將進(jìn)一步成長(cháng)。

　　力晶科技季營(yíng)收大幅衰退31.1%

　　由技術(shù)面觀(guān)察，三星已在20納米制程上取得領(lǐng)先，成本為三大DRAM廠(chǎng)中最低，新廠(chǎng)Line 17的18納米制程也從下半年起開(kāi)始生產(chǎn)。吳雅婷指出，由于三星目標以獲利為重，對于18納米是否繼續大規模擴產(chǎn)仍在謹慎規劃中。

　　第三季SK海力士的21納米制程產(chǎn)出不如預期，導致產(chǎn)業(yè)供給吃緊，目前SK海力士仍將著(zhù)重于21納米的良率提升，并規劃2017下半年進(jìn)入18納米試產(chǎn)階段，持續制程轉進(jìn)。

　　美光在華亞科于今年九月正式100%轉進(jìn)20納米制程下，20納米制程也正式成為美光的主力制程技術(shù)，美光后續也計劃明、后年陸續導入18/16納米量產(chǎn)。

　　臺廠(chǎng)部分，南亞科受惠于第三季標準型內存價(jià)格持續上漲，加上客戶(hù)陸續追加訂單，第三季營(yíng)收較第二季成長(cháng)16.7%，但隨著(zhù)新工廠(chǎng)Fab 3A North完工，明年上半年將導入20納米制程，屆時(shí)成本有望進(jìn)一步降低。

　　力晶科技DRAM營(yíng)收大幅下滑31.1%，受到第二季價(jià)格不好影響，力晶減少第三季標準型內存的產(chǎn)出，導致?tīng)I收大幅下滑，隨著(zhù)第四季DRAM價(jià)格大漲，力晶DRAM投片又開(kāi)始恢復之前水平，可預期營(yíng)收將回復成長(cháng)。

　　華邦電子第三季營(yíng)收小幅成長(cháng)7%，除46納米比重持續提升外，38納米制程預估最快于第四季正式少量投片生產(chǎn)，此外，由于利基型內存第四季起漲價(jià)，亦將反映在第四季的營(yíng)收表現上。